S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识

NAND flash： 速度快，擦写5ms内;位翻转概率较大，为10%左右;容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多;接口为IO接口

NOR flash： 速度慢，擦除5S时间;位翻转概率小于NAND flash;容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没有NAND flash多;接口为RAM接口，可以直接运行程序

2、注意事项

2.1：在每次写操作之前需要进行擦除操作

2.1：使用前扫描坏块，不再使用

3、容量关系

1页 = 512 + 16字节

1块 = 512B * 32页

= (16K + 512)字节

1个器件 = 4096块 = 528M

不同的flash有不一样的页块大小，对于K9F2G08U0C来说

1页 = 2K

1块 = 128K = 64页

冗余区大小 = 512 * 16 byte

一个器件两层

一层 = 1GB = 8块

4、一次传输

4.1：传命令 检查状态

4.2：传地址 检查状态

4.3：传数据 检查状态

5、NAND flash interface(基本接口)

RnB : 就绪/忙 输出信号 Busy

nFRE: 读使能

nFCE: 芯片使能

CLE : 命令锁存使能

ALE : 地址锁存使能

nFWE: 写使能

DATA[0~7]: 数据输入输出

扩展

WP : 写保护

6、关于时间

寄存器NFCONF的 TACLS = setup time

TWRPH0 = WE High to Busy

TWRPH1 = Hold time

7、关于位地址操作

由于本板子上的nand flash标写的是八位的，而技术手册上明确表示

8位、2048bit、5 cycle address的取址操作是A0-A7 A8-A11 A12-A19 A20-A27 A28

16位、2048bit、5 cycle address的取址操作是A0-A7 A8-A10 A11-A18 A19-A26 A27

但是在本板子上实验的结果是按16位的可以正确索引到地址，而按8位的反而不能找到地址了，而韦东山的程序也是按照16位的，并且还多出了A28，暂且在此认为是硬件的问题

8、NAND flash 的操作步骤

8.1、NFCONF寄存器的配置：主要是关于时序的问题，板子上集成的nand flash 模块可以发出特定的时序，只需要简单的配置一下时间，

具体可以参照NAND flash 对应的技术手册。

8.2、NFCONT寄存器的配置：主要关注的是使能ECC，关闭片选，类似于LCD1602的配置方式，其中有些位是由外部引脚的状态所决定的，

具体可以参照S3C2440技术手册的NAND flash控制章节。

8.3、复位：复位指令0xFF，需要先片选，等待操作成功，取消片选

指令的下达，有关操作可以参照NAND flash的控制步骤

Tips: 用define的时候一定要在后面加上括号

例如：#define S3C2440_NAND ((S3C2440_NAND_FLASH *)0x4E000000)

形如：#define S3C2440_NAND (S3C2440_NAND_FLASH *)0x4E000000 是错误的