• 为什么监控电压很重要?

    监控电压轨与做庭院工作一样令人着迷。虽然大多数人并不特别喜欢拔除杂草或修剪树篱,但有必要防止事情失控或让其他人对你大喊大叫。 幸运的是,有无数种方法可以监控我们的 1.8V 电源轨。不幸的是,并不总是清楚哪种方法最好。本博客系列的第 1 部分着眼于电压监控为何如此重要。

  • 为快速双轴电机控制开发而设计

    “低成本”、“充电时间短”、“续航里程长”。现有的—驱动电机与车速主要有以下3个问题需要进一步改进。“电机的高效率区域不能覆盖所有的转速,尤其是高速”。“在某些驾驶场景中,比如上坡时,可能会感到动力不足”。“更大的电机尺寸和电池容量是必要的。”为了解决这一问题,“既要实现高效率,又要实现高性能”和“既要实现高输出,又要实现电动车桥的紧凑”是非常重要的。为了实现这一目标,我们开发了“双电机-双速”3合一电驱系统;可实现双电机多驱动模式、2电机2速组合可提供4种驱动模式。根据驾驶工况选择最优模式,既能提高能耗,又能降低电池容量。双电机,可在必要的驱动场景下获得足够的驱动力。由于采用两个小电机对称放置,可以使电机的直径更小,所以可以在不增大电机尺寸的情况下通电。它有助于扩大行李空间,而且无需投资购买新的大驱动电机。

  • 数字电源控制推进 GaN PFC 设计

    我最近与您分享了TI 全新 Piccolo™ F28004x 微控制器 (MCU) 系列的生产公告,该系列针对电源控制应用进行了优化。 Piccolo F28004x 用于高性能电源控制的主要特性包括:

  • 感应式感应:五分钟感应线圈设计

    知道吗,我们可以使用 WEBENCH® 在五分钟内设计一个用于感应感应的 PCB 线圈? 如果我们正在考虑使用LDC1000等电感数字转换器,但担心设计传感器线圈所需的时间,请查看WEBENCH® Inductive Sensing Designer。

  • 如何开始使用电流检测放大器应用第二部分

    在本系列的第一部分中,我讨论了与电流检测放大器规格相关的概念,以及如何使用应用要求来缩小器件选择范围。在本期中,我将讨论电流范围如何帮助得出分流电阻值,以及电流范围和分流值如何与器件性能相结合,从而在精度和功耗之间进行权衡。 直到最近发布的 TI INA250电流检测放大器(稍后会详细介绍),电流实际上并没有通过电流检测放大器。因此,被测量的电流范围并不直接决定设备规格。

  • 如何开始使用电流检测放大器应用第三部分

    在本系列的前几期中,我讨论了实现备选方案以及这些决策如何影响设备参数以及受设备参数影响。在这篇文章中,我将解释设备参数和系统因素如何影响可实现的精度。

  • 在电池保护应用中如何选择 MOSFET器件

    在这篇文章中,我们将研究 MOSFET 用于电池保护。 每年,越来越多的电子设备由包含锂离子 (Li ion) 电池的电池供电。高功率密度、低自放电率和易于充电使其成为几乎所有便携式电子产品的首选电池类型——如今,从口袋里的手机到每天数以百万计开车上班的电动汽车,应有尽有由锂离子电池供电。尽管它们具有许多优点,但这些电池也带来了一定的风险和设计挑战,如果不成功缓解这些风险和设计挑战,可能会导致灾难性的后果。我认为没有人会很快忘记 2016 年爆炸性的 Galaxy S7 设备平板电脑和随后的召回。

  • 在电机控制应用中如何选择 MOSFET器件

    我们研究了如何在最终应用未知时为 FET 建议适当的交叉参考。在本博客和本系列即将发布的文章中,我们将开始研究针对特定最终应用需要考虑哪些具体考虑因素,从最终应用中用于驱动电机的 FET 开始。 电机控制是 30V-100V 分立 MOSFET 的一个巨大(且快速增长的)市场,特别是对于驱动直流电机的许多拓扑结构。在这里,我将专注于选择正确的 FET 来驱动有刷、无刷和步进电机。虽然硬性规则很少,而且可能有无数种不同的方法,但我希望这篇文章能让我们了解根据我们的最终应用从哪里开始。

  • 负载开关的应用如何选择 MOSFET器件

    MOSFET 被用作负载开关的次数超过了在任何其他应用中的使用量,一次数量为数亿个。我可能应该从我在这里定义“负载开关”的确切方式开始。为了这篇文章的缘故,考虑负载开关任何小信号 FET,其在系统中的唯一功能是将一些低电流 (

  • 如何选择 MOSFET – 开关电源应用

    在当前市场上,高性能功率 MOSFET 最常见的用途或许也是选择最合适的 FET 的最大挑战。性能、价格和尺寸之间的权衡从来没有比开关模式电源 (SMPS) 中使用的 MOSFET 更混乱。 遍历一个详尽的 SMPS 拓扑列表,包括隔离的和非隔离的,并列出每个拓扑最重要的考虑因素,这可能需要一个新奇的 - 一个比我这样的简单营销工程师拥有更多技术知识的应用程序专家。但我确实希望在本博客的后续段落中,我可以提供至少一些技巧和陷阱来避免。

  • 如何选择 MOSFET,基于各方面考量

    在复杂的电源设计中,金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的选择往往是事后才考虑的。毕竟,它只是一个三针设备。它有多复杂,对吧?但是任何喜欢生蚝的人都会(试图)告诉你,外表可能是骗人的。尝试选择正确的 MOSFET 或“FET”可能比我们想象的要复杂。

  • 如何使用原厂选型工具,选择 MOSFET

    我们谈到了为开关模式电源 (SMPS) 应用选择最合适的场效应晶体管 (FET) 是多么困难。根据数据表规格预测电路性能是一个繁琐的过程。要了解它的繁琐程度,我建议阅读应用说明“考虑同步降压转换器的共源电感的功率损耗计算”,因为它细致地详细说明了一阶和二阶寄生元件对这一特定拓扑的功率损耗影响.

  • 如何优化差分放大器噪声

    信号增益和噪声增益对于放大器电路设计都很重要。信号增益显然很重要,因为我们希望准确控制信号幅度。噪声增益也很重要,尽管它不会直接影响信号幅度,因为它会影响放大器稳定性和环路增益,而这两者都会对信号质量产生影响。因此,能够计算特定电路的噪声增益和信号增益非常重要。获得这些数字后,我们可以使用数据表指南来优化我们的电路。

  • 使用 PMBus™ 控制我们的电源设备

    服务器、以太网交换机、基站和存储附件盒等云基础设施终端设备对电源的功率密度要求正在增加。作为回应,将集成 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)DC/DC 转换器用于大电流 POL(负载点)轨,传统上由带有外部 MOSFET 的 PWM(脉宽调制)控制器提供服务,这已成为主流. 此外,为高性能处理器和 FPGA 执行高级任务的需求,如自适应电压缩放(基于处理器操作配置文件的动态 Vout 调整以优化功率损耗)也变得很重要。此外,电源设计人员越来越关注消除外部组件、提高可靠性和防止故障发生。

    电源
    2022-05-13
    DCDC PMBus
  • 如何使用 Over-The-Top 放大器防止模拟前端出现过压

    高压发生的可能性是工业应用中一个持续关注的问题。寻找提供保护的方法一直是开发人员的一项重要任务。这个设计技巧说明了开发人员如何通过利用顶级®(OTT)放大器来实现这一点。即使是工业应用程序,有时也会经历高于系统供应的电压。虽然这里的潜力不像在汽车电子产品中那么高,但它们通常可能高于通常的系统电压。对于许多运算电流来说,某些系统电压甚至可能过高。这对模拟前端(AFEs)提出了一个巨大的挑战。例如,较高的电压可以使典型放大器的内部输入二极管传导。这种状态存在的时间越长,就越有可能发生故障甚至故障。开发人员可以使用外部的保护电路,如外部二极管或电阻,采取相应的预防措施。然而由于这个原因,这些额外的组件需要在板上的空间和有缺点如泄漏电流、附加电容和噪声。

发布文章