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  • Harwin通过新增紧凑型Gecko-SL产品加强已有的电缆组件供应

    英国朴茨茅斯，2019年11月14日–为了使客户能够快速得到简捷且经济高效的互连解决方案，Harwin充分利用自身丰富的专业知识，最近已经扩展现有的高可靠性电缆组件产品系列范围。通过采用Harwin广受市场欢迎的Datamate产品，屡获殊荣的Gecko Screw-Lok（Gecko-SL）1.25mm连接器系列已经可以提供更多选件，客户可以选用更多种类的电缆组件，从而帮助客户避免在设备方面的前期投资以及内部进行此类工作所需的人员培训成本。 Gecko-SL电缆组件有单端和双端两种格式，完全符合业界公认的IPC-620电缆和线束行业标准，它们可以被指定为电缆到电缆或电缆到板的实施方案。每条电缆都有26AWG线规PTFE架构，长度分别为150/300/ 450mm（6/12/18英寸）。这些组件与现有的金属后盖（backshell）完全兼容，从而提高了机械牢固性，并具有较强的电磁兼容能力。借助于六角槽螺丝固定和锁定前接合机制，这些坚固的组件易于部署，尤其适用于空间受限的应用环境。由于Gecko-SL连接器具备高抗冲击/振动能力，可耐受更加极端的温度，且具有相对较强的载流能力（尽管间距较窄，每个触点仍可承载2A电流），这些组件也因此受益。 客户可以为他们的组件选择6到50管脚阵列，所有这些都可以通过Harwin公司及其全球分销合作伙伴库存提供，这意味着交货时间更短，不会影响最终系统的生产，而且还提供必要的固定硬件，这些或者直接提供，或作为后壳套件的一部分提供。 所有提供的组件均100％经过连续性检测，这大大简化了系统集成过程，节省客户的时间和精力。Harwin可根据客户要求提供组件的评估样品。 Harwin公司高可靠性产品经理John Brunt解释说：“我们已经看到市场中对基于Datamate现有电缆组件有巨大需求，并且客户对于这些产品的便利性也有非常积极的反馈。因此，将这种功能引入到Harwin生产的其他连接器显然非常有效。在那些涉及多个接合操作的应用中，Gecko-SL是首选的高可靠性连接器。通过提供这些电缆组件，我们能够更好地满足客户更多方面的需求，客户也能够得到最佳的解决方案。”

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  • 索尼加快全球步伐，印度“硅谷” 成立研发中心

    目前，索尼已经在中国、日本、美国、德国以及比利时等国家设立研发中心，现在伴随着印度班加罗尔研发中心的成立，索尼在全球已经设立了六个研发中心。昨日晚间，索尼中国官微正式宣布将在印度班加罗尔设立全新的研发中心，该研发中心将在2020年开始正式运营。   索尼官宣将在印度班加罗尔设立全新的研发中心 索尼中国官微表示，我们期待充分活用班加罗尔当地强大的信息技术人才库，进一步提升研发能力，扩大业务多样性，继续 “用创意和技的力量感动世界”。   目前索尼已拥有多个研发中心 此前已有不少厂商宣布在班加罗尔设立研发中心，现在索尼也加入这一行列，这也向我们展现出索尼对技术极高的重视程度。 目前已有多个厂商在全球设立研发中心，我们熟知的索尼同样不例外。班加罗尔是印度第五大城市，也是居印度IT产业第一位的城市，被称为印度的“硅谷”。

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  • “中国芯”内生长：开始全球市场崭露头角！

    这一年，全球首款5G SoC芯片——华为海思麒麟990面世;我国存储器实现从无到有的突破，64层3D NAND闪存芯片量产，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产;中芯国际14纳米工艺量产;国内最大半导体设备商之一中微半导体成功上市。 发展芯片产业是中国科技真正崛起的必经之路，今年以来的华为事件，以及海康、大华等企业被美国商务部列入“实体清单”，再次给中国半导体产业敲响警钟。但从中长期看，这也给中国半导体厂商带来国产替代的新机会。 发展势头向好 市场调研公司IC Insights发布的数据显示，今年上半年全球半导体行业产值1487.2亿美元，同比暴跌18%;但中国依然保持向上增长势头，上半年全行业实现销售收入3048亿元，同比增长11.8%。 芯片垂直产业链包括设计、制造和封测。在设计和封测领域，中国与美国的先进企业差距已经逐步缩小。 目前，大陆初步建立起了集成电路产业链，各个细分领域也涌现出了一批具有一定竞争力的企业。上海集成电路产业投资基金董事长沈伟国表示，在手机芯片设计领域，海思、紫光展锐进入全球前十;晶圆代工领域有中芯国际和华虹集团;存储器有长江存储;封测已进入第一梯队，长电、华天、通富均进入全球前十;装备和材料也已有布局，从光刻机、大硅片到靶材、清洗液等。 在芯片设计领域，华为海思今年发布的麒麟990采用目前业界最先进的7nm+ EUV工艺制程。在麒麟990发布会上，华为消费者业务 CEO 余承东就曾表示，“A公司没有推出5G解决方案，另一些公司有自己一些5G解决方案，但采用的是外挂的方式实现，目前华为是业内首款且唯一的一款集成SoC芯片”。他指出，麒麟990芯片上集成了103亿晶体管，是目前晶体管数最多、功能最完整、复杂度最高的5G SoC。 阿里巴巴旗下的平头哥发布了首款玄铁910芯片,号称是业界性能最强的RISC-V处理器芯，未来可以应用于5G、人工智能、物联网、自动驾驶等领域。 在芯片制造领域，中芯国际近期也表示，该公司14nm制程工艺芯片已经实现量产，并将于2021年正式出货。 而在占全球市场三分之一左右的存储器领域，我国更是实现了从无到有的突破。 今年9月，紫光集团旗下长江存储宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，这是中国首款64层3D NAND闪存;同样在9月，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。 “如果我们从2018年下半年看整个国产化替代的情况，很多都是零;如果到今年年底，至少会提到个位数，今年下半年导入速度会相当快。同时大基金也在密集推进，已经看到国内一些部分在突破了。”国盛证券研究所所长助理、电子行业首席分析师郑震湘指出。 这离不开一系列政策和大基金的支持。2014年6月，国务院颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度。且明确提出，到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强。 同年9月，工业和信息化部、财政部、国家开发银行联合牵头发起设立国家集成电路产业投资基金, 首期募集总规模1387.2亿元，为国内单期规模最大的产业投资基金。 就在上个月，备受关注的国家大基金二期也正式落地，中国集成电路企业将迎来更大发展机遇，特别是设备材料和应用端。工商信息显示，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司注册资本为2041.5亿元，共有27位股东。 科创板成最大亮点 “今年上半年的最大亮点就是科创板。科创板出来以后，解决了很多社会资本退出问题。前两年我们关注(集成电路)产业基金，现在科创板出来了，给大家提供了很好的退出渠道。”中国半导体行业协会副秘书长、赛迪智库集成电路研究所所长王世江在一次公开场合上表示。 王世江指出，科创板将吸引更多资源往集成电路行业涌。“中国集成电路很缺人，即使是专业人才也大量涌向互联网、金融行业，因为待遇比较高。但随着科创板形成的氛围，资本、人才各方面资源都会往这方面倾斜，可能会对我们产业氛围起到比较好的作用，这样对产品销售以及并购管理都有比较大的好处。” 今年3月22日，上证所披露首批科创板受理企业，9家受理企业中芯片企业就占了三席，说明科创板对芯片企业的重视。 7月22日，科创板正式开市。首批25家企业正式上市交易，当天半导体企业涨幅领先。首批上市的半导体企业主要覆盖产业链的装备、材料、设计等领域。国产半导体材料商安集微电子科技(上海)股份有限公司领涨，盘中最高涨至520.57%，成为科创板开市涨幅最高的企业。 中微半导体被认为是科创板最强芯片股，主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向全球集成电路和LED芯片制造商提供高端设备和服务，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案。 中微公司发行市盈率最高达到170.75倍，创科创板新股发行估值纪录，而同行业上市企业PE(披露值)平均值为32.87倍。 中微公司董事长尹志尧表示，中国目前很多科创企业都处在一个不对称竞争的国际环境里，国外同类公司平均要大二三十倍，而且已经占据了市场的垄断地位。国内新生公司虽然战斗力很强，但是规模还很小，在这种情况下，最重要的就是发展速度。 元禾璞华管理合伙人、投委会主席陈大同在今年9月的一次论坛上表示，现在的时间点是中国半导体行业的黄金十年、二十年。“我们一直在呼吁，必须要给中国高科技、硬科技有一个绿色通道，一直没有，但是这回不一样了。”他认为，科创板是一个重大突破，真正体现了资本市场对于硬科技的认可。 浦东新区金融工作局副局长张辉此前表示，科创板的推出是资本市场服务科创企业、提供有效供给、完善资本市场的重大举措，必将增强资本市场对科技创新企业的包容性和适应性，也必将为集成电路企业提供相对宽松的上市环境和便捷的融资渠道，极大促进我国的集成电路产业发展。 “技术不是万能的，但是没有自己的核心技术是万万不能的。”清华大学微电子研究所所长、中国半导体行业协会副理事长魏少军在今年5月的世界半导体大会上这样说。

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  • 通过优化焊膏模板开孔来扩大连接器的选择范围

    通过优化焊膏模板开孔来扩大连接器的选择范围 在高密度电子系统中，通过对开孔形状进行精心设计，设计师现在可以将共面度为0.15 mm的连接器与厚度为0.10 mm焊膏模板匹配使用 作者：David Decker，Samtec Inc.互联工艺部总监 随着电子系统中元器件密度的提高，设计师通常为了和印制电路板（PCB）上厚度为0.10 mm的焊膏模板配套，而选择共面度不超过0.10 mm的、同等精密的连接器。然而，市场上有很多共面度值为0.15 mm的连接器，同时共面度值为0.10mm的连接器也由于引脚数量的增加以及特型引脚、直角连接器的引入等原因而难度越来越大。这因此限制了设计师的连接器选择范围；或者在本可以优先使用单个连接器时，却不得不使用多个连接器，或者被迫使用阶梯焊膏模板。这两种选项都增加了系统设计和生产的成本与复杂度。 然而，Samtec Inc.和Phoenix Contact的一项研究表明，通过优化焊膏模板的开孔形状，设计师就可以选择已广泛提供的、价格更低的、共面度为0.15 mm的连接器来与更精细的0.10 mm焊膏模板配合使用，同时在良品率为100%的情况下也能满足IPC-J-STD-001 Class 2标准的要求。 本文将讨论焊膏模板与连接器共面度之间的关系，以及设计师面临的取舍和制约因素等话题。然后本文将介绍此项研究的情况和相应的结果，以及这些结果在优化设计的时候对成本、空间、性能和可靠性产生的影响。 焊膏模板与连接器共面度之间的关系 利用精密加工的焊膏模板来精准地施放一小块焊膏并不太困难。但随着连接器引脚数量的不断增加，同时连接器上的一些引脚需要被做成特定形状和被做成诸如直角连接等特定的连接类型，连接器与采用精密焊膏模板来施放成形的焊料之间出现了越来越大的匹配困难。主要问题是由于连接器引脚的共面度引起。 简而言之，“共面度”这一术语是指当连接器被置于平面上时，其高度最高的和高度最低的引线（或引脚）之间的最大距离。该距离的数值通常可用光学测量设备测得（图1，左图）。 图1: 共面度是指在一个平面上测量到的不同引线高度之间的最大差值；对表面贴装（SMT）器件的引线而言，将该项差值降至最低至关重要，借此可以避免焊点出现问题。（右下角）。（图片来源：Samtec Inc.） 好的共面度对于好的焊点至关重要：如果一条引脚或引线的位置太高，它可能就无法与焊膏形成充分的接触，从而导致焊点在机械上出现虚焊或出现完全电气连接开路的漏焊。大多数规范都要求共面度在0.10mm和0.15mm之间。 通过利用正确的工艺和工具，就能够为多数应用持续地构建共面度为0.15 mm的连接器。然而，由于引脚数量的增加，特别是一些连接器的引脚发展成为了特定的形状，或者它们需要以特定角度（如双排、直角）来进行连接时，要达到0.10 mm的共面度就更为困难。维持这种较低的共面度会增加连接器成本。 如今的大型电路板都包括超过3000个元件和体积更小的、更高集成度的电子器件，使得本已紧张的板上空间变得更加密集，其结果是元器件引脚之间的间距也越来越小，设计师现在也在更多地考虑采用厚度为0.10 mm的焊膏模板。如果使用更厚的焊膏模版，那么引线或焊盘之间就会存在较高的焊桥风险。然而，设计师很难找到既满足0.10mm共面度规格要求，同时又具有足够引脚数及合适外形尺寸的连接器。 当然，设计师的确也可以选择其他解决方案。如他们可以采用阶梯化焊膏模板，用薄一点的焊膏模板来应对小节距元件，而用更大一些的模板来支持连接器。这就解决了问题，但焊膏模板成本就会变得更高，同时还有可能无法适用于焊锡阶梯两侧元器件之间空间不足的应用。根据通常的经验来看，两个阶梯开孔之间的距离应该为阶梯厚度的36倍。 另一种选择是使用多个连接器。连接器的引脚数量越少，就越容易使其满足更为紧密的共面度规格。但是多个连接器又增加了成本，同时增加了布局复杂性并带来可靠性问题。此外，尽管连接器可能满足0.10 mm共面度要求，但厚度为0.10 mm的焊膏模板意味着更低的焊料高度，从而导致焊点机械强度可能不够高。 如何优化焊膏模板的开孔 为了最低限度地采用这些折衷方案，Samtec和Phoenix Contact针对三个系列的连接器研究了通过修改焊膏模板开孔所产生的效果。这些研究使用了一个厚度为0.15 mm和1:1开孔的模板，从而使沉积焊料的尺寸和形状与铜焊盘一致。随后在这些实验中增加了两种厚度为0.10mm的、但开孔更大的模板，并在接下来的研究中制作并选用了共面度在0.10 mm和0.15 mm范围内的连接器。 这项研究涉及将焊膏模板开孔的大小调整到超出焊盘尺寸来进行套印，以增加焊料量并形成更好的连接，但不多到导致焊桥或在电路板表面留下焊球。为实现这一目标，这项研究依赖于回流焊过程中的焊膏在达到其液化温度后，在加热的焊盘上形成凝结的趋势。当然，必须为每种连接器类型确定正确的开孔大小（图2）。 图2：橙色轮廓显示了FTSH连接器的最佳开孔尺寸。（图片来源：Samtec Inc.） 例如，为了确保在共面度为0.152 mm的 FTSH连接器样品与厚度为0.10 mm焊膏模板之间形成良好的焊点，最佳开孔为2.84 mm x 0.97 mm。这样就可以面向100%良品率去实现满足IPC-J-STD-001 Class 2标准要求的高质量焊点（图3）。 图3 ：共面度为0.152 mm的FTSH连接器样品在使用了厚度为0.10 mm的、具有优化开孔的焊膏模板后形成的焊接结果，可以看到其内排（左图）引脚和外排引脚（右图）都是高质量的焊点。（图片来源：Samtec Inc） 基于这些结果，可以清楚地看到设计人员在使用厚度为0.10 mm的焊膏模板时，应当再次考虑采用最大共面度值为0.15mm的连接器。如果已经确定了用最佳模板开孔来支持组合模式，就可以采用众多现成可用的连接器而扩大了选择范围，并可避免在受到限制的范围内选用昂贵的替代品。如果最佳开孔无法在网上获得或尚未确定，那么很重要的是在设计流程之初就要去联系连接器制造商来确定最佳开孔，或为任何已确定的应用找出更合适的解决方案。 早期介入极为关键，随着设计流程逐渐深入，其选择面就越来越窄。 结论 由于充分了解各种取舍权衡，并听到客户对更加精密的焊膏模板和更加紧致的共面度的渴望，Samtec Inc.与Phoenix Contact两家公司的研发团队携手开发了优化焊膏模板开孔的途径，它可使共面度为0.15mm的连接器能与厚度为0.10mm的焊膏模板配合使用。该项研究带来了全球最佳成果：厚度为0.10mm的精密焊膏模板、更大的连接器选择范围、低成本、低复杂度、满足IPC-J-STD-001 Class 2标准中机械强度要求的高质量焊点。 关于作者： David Decker，Samtec Inc.互联工艺部总监 David Decker于1993年获得了路易斯维尔大学Speed科学学院（University of Louisville’s Speed Scientific School）的机械工程工学硕士学位，并于1998年获得了专业工程执照。其职业生涯始于在Lexmark, Inc. 担任的注塑模具工程师，其后任职于通用电气家电产品部（General Electric Appliances）。随后，David加入了Samtec并在该公司工作了22年，曾在新产品设计、定制化产品设计等部门担任重要职务，并在过去15年中一直担任互连工艺部总监。David还在Clark县警长办公室预备役部担任中尉，并在该处服务了9年。

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  • 英特尔发逆天新U：功耗仅30W，专用于边缘计算和AI

    11月14日 讯 - 昨日，英特尔在美国旧金山举办了2019年人工智能峰会。在此期间英特尔正式发布了全新一代视觉处理单元Movidius，代号为Keem Bay。 据报道显示，Keem Bay是专为边缘计算和人工智能打造的全新产品，主要用于计算机视觉、深度学习和媒体处理等方面。 Keem Bay采用了全新的高效能架构，和上一代相比，性能提升10倍以上，是英伟达TX2的4倍，功耗为30W。 此前，英特尔曾于2017年推出过一款Movidius Myriad X视觉处理器，采用16nm制程工艺制造，是一款低功耗的SoC，主要用于人工智能算法加速和深度学习等。 本次大会上，英特尔表示将对人工智能领域加大投入。此外，新一代Movidius视觉处理单元将于明年上半年上市。

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  • 联发科抢先高通骁龙865，平民5G时代到来？

    最近联发科官宣将于11月26日在深圳举行MediaTek 5G方案发布暨全球合作伙伴大会。不出意外，本次发布会将推出联发科集成5G基带SOC，名为MT6855。在早前的网上消息我们知道了高通(Qualcomm)即将在美国夏威夷举行的Snapdragon技术峰会上发表全新旗舰骁龙865处理器。在面对高通即将发表新一代骁龙865处理器所带来的声势，联发科也不甘示弱。   值得一提的是，这款联发科MT6885预计使用Cortex-A77的CPU核心和Mali-G77的GPU核心，并整合旗下Helio M70 5G基带，提供Sub-6GHz频段支援，而且将会会配备第三代AI处理引擎，支持最高8，000万像素拍照。而根据联发科之前的表示，目前MT6885已经开始量产，并将于2020年第1季开始向制造商供货。 距网上的报道透露，此次联发科所带来的MT6885芯片是基于台积电7nm FinFET工艺制程打造，采用ARM Cortex A77架构，集成Mali-G77 GPU，这是全球首款7nm ARM Cortex A77 CPU，具备强悍的性能体验。

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  • 全球芯片 “两强之争”打响 三星誓言成为“世界第一”

    11月13日报道 ，韩国三星电子在半导体代工领域向台积电发起正面挑战，虽然三星近日发布的财报显示，2019年7月至9月的合并营业利润同比大幅减少56%，销售额减少5%。主力半导体业务的营业利润同比大幅减少78%，不过环比减少10%，减幅收窄。但是三星将每年花费巨额投资，确定采用新一代生产技术“EUV(极紫外光刻)”的量产体制，用10年左右挑战台积电世界首位的宝座。三星与台积电这两强展开竞争，将促进行业的技术革新。 三星誓言成为“世界第一”   报道称，SK海力士、原东芝存储器等全球半导体存储器企业的业绩恢复迟迟没有进展，而三星呈现出复苏的迹象，这得益于三星年销售额可观的代工生产业务。7月至9月，该业务的销售额比上季度增长14%，持续保持两位数增长。在存储器价格下跌背景下，代工生产业务支撑了三星的业绩。 三星高层强调，“继存储器之后，在包括代工生产在内的系统半导体业务领域也必将成为世界第一”。这名高层称，每年会在该领域的生产设备和研发上投入巨额资金。作为比肩半导体存储器业务的收益支柱，三星计划把代工生产业务打造为世界第一。 报道称，代工生产的尖端竞争正迎来新的局面。能够使半导体性能飞跃性提升的全新生产技术EUV进入普及期，三星可以应用通过存储器业务培育的技术。另外，预计今后为应对5G，高性能半导体的需求将急剧扩大，三星认为这是良机。 在位于首尔郊外三星华城工厂的新厂房内，EUV曝光设备的投产准备工作正在推进之中。三星计划向半导体设备投入大量资金，最早将于2020年初正式投产。据业内相关人士透露，预计将量产美国高通的最尖端智能手机用CPU(中央处理器)。 报道称，三星已在自身智能手机的CPU上使用EUV技术，还将把该技术应用于代工生产。据称，和现有生产方法相比，使用EUV技术后，CPU处理速度和省电性能将提高两至三成左右。 台积电倾尽全力守王者地位 不过，报道同时指出，在代工生产领域，台积电握有世界一半市场份额，将量产活用EUV技术、电路线宽为7纳米的半导体。近日，台积电还宣布把2019年内的投资额增加50亿美元(1美元约合7元人民币)，这正是对自身技术有信心的表现。此外，台积电还确定获得美国苹果新一代iPhone用尖端半导体订单。 台积电总裁兼副董事长魏哲家表示，公司的下一代半导体在行业内最先进，能够更加吸引顾客。透露出扩大市场份额的自信。 另据台湾中时电子报11月12日报道，抓住三星生产半导体材料受到日韩贸易战影响，以及先进制程采用(EUV)技术发展不如预期，台积电靠着7纳米(EUV)技术的强效版制程(N7+)，协助客户产品大量进入市场。 报道称，台积电倾全力支持联发科发展，就是要超越三星在5G芯片制程的时程，只要能抢到大陆中端5G手机市场，就有机会扩大市占率。 《日本经济新闻》网站认为，台积电的强项不仅只有量产技术。该公司还拥有几千名技术人员，这些人为客户设计线路提供支援，起到了确保量产的桥梁作用。另一方面，三星以存储器为主力业务，缺少的是应对多品种的设计技术。 另一个令三星不安的因素是日本政府加强对韩国的出口管制。成为限制对象的3种产品中，EUV用光刻胶不可缺少且难以找到替代采购地。虽然目前仍能够稳定采购，但是未来采购可能变得困难。 报道认为，三星和台积电均主张“自身用EUV技术实现7纳米半导体的量产”，显示出对自身技术实力的强烈信心。 报道称，三星把成为世界第一代工企业目标的实现时间设定在2030年。计划用10多年培育设计技术，目前正以美国硅谷的基地为中心招募技术人员。半导体两强火花四溅的竞争将持续下去。

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  • 重磅！MLCC大厂国巨18亿美元收购美电容大厂Kemet

    据路透社报道，国巨(Yageo)表示，将以18亿美元的价格收购竞争对手无源电子元件制造商Kemet Corp，以扩大其全球覆盖范围。 前两年疯狂涨价的MLCC大家应该不陌生，国巨就是MLCC的主要供应商。国巨公司成立于1977年，主营被动电子元器件，供应完整的电阻、电容及无线组件等被动组件，以满足客户各种不同领域应用的需求。据国巨官网介绍，国巨现今为全球第一大芯片电阻制造商，全球第三大积层陶瓷电容供货商，在磁性材料领域则名列全球第四。   Kemet Corp是一家美国电容器制造商，例如钽、铝、多层陶瓷、薄膜、纸张、聚合物电解和超级电容器。Kemet还生产其他各种无源电子元件，如交流线路滤波器、EMI磁芯和滤波器、挠性抑制器、机电设备(继电器)、金属复合电感器、铁氧体产品以及变压器/磁性器件。 KEMET在钽电容的生产工艺和基础材料上都具备技术优势，其钽电容销量曾经位居全球第一，公司总部座落于美国南卡罗莱纳州格林维尔市。   此次收购预计2020年下半年可完成交易。KEMET将成为国巨旗下子公司，受此消息影响，KEMET周一股价跌2.1%，报收23.02美元。

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  • 中国研制出垂直结构“硅-石墨烯-锗晶体管”，超高速晶体管再获突破

    11月10日，记者今天从中国科学院金属研究所获悉，该所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅-石墨烯-锗晶体管”，成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上，并将其截止频率由兆赫兹提升至吉赫兹领域。相关成果已于近日在线发表于国际学术期刊《自然•通讯》。 据该成果论文的通讯作者、中科院金属所研究员孙东明介绍，这一研究工作提升了石墨烯基区晶体管的性能，未来将有望在太赫兹领域的高速器件中应用，为最终实现超高速晶体管奠定了基础。   (硅-石墨烯-锗晶体管相关器件示意图) 1947年，第一个双极结型晶体管诞生于美国贝尔实验室，引领人类社会进入信息技术的新篇章。在过去的几十年里，提高双极结型晶体管的工作频率，成为科学界的不懈追求，异质结双极型晶体管和热电子晶体管等高速器件相继被研究报道。然而，当需要进一步提高频率时，这些器件遭遇了瓶颈。异质结双极型晶体管的截止频率，最终被基区渡越时间所限制，而热电子晶体管的发展，则受限于无孔、低阻的超薄金属基区的制备难题。 石墨烯，这个性能优异的二维材料，近年来倍受关注。科学界提出将石墨烯作为基区材料制备晶体管，其原子级厚度将消除基区渡越时间的限制，同时其超高的载流子迁移率也有助于实现高质量的低阻基区。 “目前已报道的石墨烯基区晶体管，普遍采用隧穿发射结，然而隧穿发射结的势垒高度，严重限制了该晶体管作为高速电子器件的发展前景。”此次成果论文的第一作者、中科院金属所副研究员刘驰表示，科研人员提出了半导体薄膜和石墨烯转移工艺，首次制备出如今这一成果。 据刘驰介绍，与已报道的隧穿发射结相比，硅-石墨烯肖特基结表现出目前最大的开态电流和最小的发射结电容，从而得到最短的发射结充电时间，使器件总延迟时间缩短了1000倍以上，可将器件的截止频率由约1.0兆赫兹提升至1.2吉赫兹。刘驰说，通过基于实验数据的建模，科研人员进一步发现，该器件具备工作于太赫兹领域的潜力，而这对于未来的晶体管研制具有十分重要的意义。

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  • 格力掷20亿加码芯片布局 芯片之路如何演进?

    11月11日晚，三安光电和格力电器同时发布公告称，三安光电拟通过定增募集资金总额不超过70亿元，认购方包括长沙先导高芯投资合伙企业(有限合伙)(以下简称先导高芯)和格力电器(000651，SZ)，前者拟认购50亿元，后者拟认购20亿元。本次募投项目的实施主体为三安光电全资子公司泉州三安半导体科技有限公司，项目建设期为4年，达产期为7年，预计达产年销售收入为82.44亿元(不含税)，达产年净利润为19.92亿元。 《每日经济新闻》记者了解到，三安光电是国内LED芯片龙头，此次三安光电的定增募资扣除发行费用后的净额将全部投入到“半导体研发与产业化项目(一期)”的建设中。 本次非公开发行完成后，按照三安光电发行股票数量上限计算，格力电器将持有三安光电4.76%的股份。那么，格力电器为何参与此项目?对此，格力电器的解释是，有助于帮助格力打入半导体制造行业并提升公司在相关领域的技术积累。 格力电器掷20亿元 三安光电的公告显示，“半导体研发与产业化项目(一期)”项目总投资是138.05亿元，拟投入募集资金70亿元，剩余不足部分由三安光电自筹解决。 据悉，“半导体研发与产业化项目(一期)”建设主要包括三大业务板块及公共配套建设。其中，三大业务板块分别为：氮化镓业务板块、砷化镓业务板块、特种封装业务板块。本次募投项目实施后，将建成包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片;高端砷化镓LED外延、芯片;大功率氮化镓激光器;特种封装产品应用四个产品方向的研发、生产基地。氮化镓板块建成后预计年产氮化镓芯片769.2万片;砷化镓业务板块预计年产GaAs LED芯片123.2万片。 三安光电在公告中称，定增募投项目的实施符合LED发展趋势，公司通过本次募投项目拓展Mini/Micro LED应用领域、高亮度LED照明、车用LED照明、紫外/红外LED、植物照明LED芯片、大功率激光器、太阳能电池等下游应用领域，发力新兴细分市场。 格力的芯片业务如何演进? 格力电器在公告中称，公司此次对外投资是属于战略性股权投资，投资的目的是，三安光电在化合物半导体领域具有先发优势，有助于公司中央空调、智能装备、精密模具、光伏及储能等板块打入半导体制造行业，同时通过与三安光电在半导体领域的合作研发，有助于进一步提升公司在相关领域的技术积累。 记者了解到，格力的“造芯”历程要从2018年讲起，中兴通讯事件引发国内一阵“造芯”热潮。格力电器在2017年年报中宣布不分红的决定，称要留存资金研发集成电路等新产业技术。随后格力电器董事长董明珠透露，格力电器是要做空调芯片，格力电器早在前几年就已在自主研发空调芯片设计技术，并已有一定技术积累。 2018年12月1日，格力电器宣布出资30亿元参与闻泰科技(600745，SH)收购安世半导体项目。据介绍，安世半导体是目前中国唯一拥有完整芯片设计、晶圆制造、封装测试的大型IDM企业。格力电器当时称，投资有利于加大与闻泰科技在通讯终端、物联网、智能硬件等业务上的合作。 在2019年半年报中，格力电器透露公司在通讯设备领域的最新进展称，公司也正在专注智慧家庭芯片的研发。今年8月，格力电器启动“高性能小型化机器人专用伺服系统关键技术研究”、“模具及装备制造业智能制造系统集成技术研究与示范应用”、“全自主可控的变频空调专用驱动控制芯片和智能功率模块的研发及产业化”三大项目。 格力电器近期动作不断，前脚刚出资1亿元设立电商子公司，后脚又宣布参与三安光电(600703，SH)的非公开发行A股股票方案。对于此次参与LED芯片项目是否与公司现有芯片业务有协同性，11月11日格力电器方面相关人士回复《每日经济新闻》记者称：“暂时没有更多可以对外公布的信息，以公告的为准。”

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  • 外媒：避开ARM 中国欲打造自主半导体供应链

    外媒称，在中国的半导体行业，不采用英国安谋科技公司(ARM)知识产权(IP)的开发正在增加。避开堪称世界标准的ARM，一些中国企业利用任何人都能自由使用的“开源”知识产权相继开发出了半导体。这种趋势符合中国推进高科技产品自主开发的强化政策。   据《日本经济新闻》网站11月8日报道，最近一段时间，中国提出强化半导体供应链。虽然在制造设备和原材料方面的培育进展迟缓，但在电路设计领域，出现了一些具有世界水平的企业。 报道称，近期，有中国企业推出了用于近距离无线通信“蓝牙”的半导体芯片，用于无线耳机的控制;还有企业推出了搭载自主开发的相关芯片的可穿戴终端。不仅如此，也有中国企业参加了管理相关知识产权的组织，部分企业则启动了相关芯片的开发。 谷歌和美国国际商用机器公司(IBM)等美国企业也参加的此类组织对中国企业的行动表示欢迎。 报道称，当前，外界对属于世界最大半导体市场的中国充满期待，其中不乏一些位于美国的机构。 据此前报道，中国新设了一只价值2041.5亿元人民币的国家半导体基金。该国正寻求培育本土芯片产业，并缩小与美国的技术差距。 报道称，根据企业注册信息，这只政府支持的基金规模比2014年发起的一只类似基金大近90亿美元(1美元约合6.99元人民币)，那只基金筹集了约1390亿元人民币。

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  • 5G芯片苹果搞不定 国内手机却“底气十足”搞出“大动作”

     众所周知，信息化时代，芯片技术是支撑现代各项科学技术发展的基础，而5G芯片也是当前各国科技竞争的关键。此前的“中兴事件”也使我们认识到，在关键领域，一个企业唯有将核心技术掌握在自己手上，在竞争时才会变得足够有“底气”,5G芯片研发竞争已经开始，国内各大公司踏实钻研5G芯片技术，在即将到来的万物互联时代，取得让人骄傲的成绩。 2019年4月，科技圈发生了两件与5G手机芯片相关的重要事件，其一是高通与苹果之间的专利许可纠纷最终得到解决，其二是英特尔宣布退出5G手机调制解调器业务。 而后在7月26日，苹果和因特尔宣布：苹果同意10亿美元收购英特尔智能手机调制解调器部门。近日，高通又在财报会议上表示，预计2020年将能售出2亿部5G智能手机，其中包括将于明年秋天推出的新iPhone。 目前苹果并未透露何时推出5G手机，但这一消息传出无疑引起了果粉的注意，很多人翘首以盼的5G iPhone终于要来了吗?对比之下，国内手机厂商又是怎样去夺得5G芯片的制高点的，下面我们来看一下。 01 5G芯片的开发门槛有多高? 高通首席财务官Akash Palkhiwala在投资者电话会议上表示，明年5G芯片将有“两个拐点”。 一个是在春天，三星和国内几大手机厂商预计将在那时推出新的5G手机。第二个拐点将在秋季，采用5G技术的旗舰手机将发布。而这可能是指苹果的iPhone和谷歌的Pixel手机，毕竟每年苹果秋季发布会的主角都是iPhone。     苹果与高通在今年4月就全球专利授权诉讼和解，并与高通达成六年授权及供货协议。随着5G越来越普及，很多业内分析师都预测，苹果将通过与高通的这份协议，最快在明年推出5G iPhone。 5G基带芯片决定了明年新iPhone到底支不支持5G网络，或许很多人会想，苹果这样财大气粗的公司，为什么迟迟搞不定5G芯片，5G芯片的开发门槛真有这么高吗?     苹果公司CEO 蒂姆库克 4G时代前，市场上原本就有十多家手机基带芯片供应商，每一代技术升级，基带芯片制造商所面临的技术挑战也在增加，每次信号迭代升级也淘汰掉部分业内基带厂商。高投入却不一定有高回报，而技术门槛却越来越高，市场的“大洗牌”在所难免。 3G到4G的演变中，博通、马维尔等基带芯片制造商逐渐撤出。之后，也没有新的参与者进入该市场，4G发展至今，能够将基带集成于SoC的半导体厂商寥寥无几。     苹果A13处理器性能强悍 但依然外挂英特尔4G基带 5G芯片的研发离不开长年的技术积累+高投入这两个因素。技术积累方面，可不是仅仅有钱就可以解决的，这还涉及到专利的授权。强如苹果，仍旧采用外挂基带，因此我们大可推断5G时代的苹果A系列芯片更不会、更不可能采用将5G基带集成于SoC这种做法。 5G标准相较于3G、4G标准，技术含量更高、需要攻坚的问题更为复杂，这也造就5G芯片“强者更强、弱者淘汰”的生态环境。 02 国内各大手机厂商5G芯片进展 5G芯片研发门槛高，还是挡不住各大手机巨头争夺5G制高点的热情。比如近日vivo正式公布与三星联合研发的5G双模SoC Exynos 980处理器。要知道，目前量产机器只有华为Mate 30 5G系列和Mate 20 X(5G)支持5G双模。     Exynos 980采用8nm工艺打造，行业首发搭载A77架构CPU，比上一代性能提升20%。2颗2.2GHz的Cortex-A77核心和6颗1.8GHz的A55核心，GPU为Mali-G76 MP5。     网络方面，Exynos 980集成5G基带，支持6GHz以下频段，最高下行速率2.55Gbps，最高上行速率1.28Gbps，并且向下兼容2/3/4G网络。 Exynos 980支持新的Wi-Fi 6标准，为无缝在线游戏和流畅的高分辨率视频流媒体提供了更快的速度和更大的稳定性。     并且Exynos 980处理器可以实现旗舰级的AI能力，高性能NPU和DSP，计算能力超过5T。官方介绍，vivo投入500+专业研发工程师全面深入参与三星芯片定制研发，与三星共享400+个功能特性。 最重要的是，vivo X30将会搭载三星Exynos980 处理器，12月就会发布，让人不免有些期待!由此可以看出，vivo选择了和有5G芯片技术专利强大的三星联合，寻求了一种“合作共赢”的5G芯片发展道路。 另一方面，国内大厂OPPO也已经官宣将于12月份发布高通双模5G手机，相关人士爆料称，OPPO的首款5G双模手机正是新旗舰OPPO Reno 3。 OPPO的5G手机或将搭载骁龙735处理器，采用台积电的7nm工艺， 由2.36GHz的Cortex A76+2.32GHz的Cortex A76两个大核心和1.73GHz的Cortex A55六个小核心组成。内嵌5G基带芯片支持NSA/SA双模5G技术，并集成Adreno620 GPU，性能将会比骁龙730提升5%-10%。     华为总裁 任正非 最后谈到5G芯片硬实力，就不得不提一下华为。今年9月，华为在德国慕尼黑发布了新的Mate30系列手机中，搭载了麒麟990/990 5G处理器。 麒麟990 5G作为“杀手锏”可谓引人瞩目，它不仅是业界首个7nm+EUV制程的5G SoC，还是世界上第一款晶体管数量超过100亿的移动终端芯片。     由于自身集成5G基带，不需要外挂，功耗减少很多。麒麟990 5G单芯片就能够支持2G/3G/4G/5G所有模式、支持NSA/SA双模5G技术。同时实现5G的下行速率最高2.3Gbps，上行速率最高1.25Gbps，比外挂5G的手机快了近50%，让人惊叹。     麒麟990 5G采用了2个大核(Based Cortex-A76 @2.86GHz)+2个中核(Based Cortex-A76 @2.36GHz)+4个小核(Based Cortex-A55 @1.95GHz)的三档能效架构。     GPU方面，则采用了16核Mali-G76 GPU的配置，相比之前的10核多了足足6个核心。图形性能进一步增强。加上华为自研的达芬奇架构NPU，AI性能十分强大。     而据最新消息显示，华为还在准备下放5G到其他系列，爆料人士evleaks放出了华为nova 6 5G版的渲染图，具体5G芯片型号未知，但不排除是麒麟990 5G。 5G芯片下放，5G手机的价格届时会更加实惠。总结来看，手机巨头对于5G芯片的战略部署选择了不同的道路，像自主研发、合作开发和购置5G芯片等不同方式。你追我赶，目标却很一致，都是努力实现在5G芯片发展上足够的“话语权”。

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  • 英特尔赶上获利“顺风车” 芯片市场真的回暖了吗？

     英特尔公布第三季财报时宣布了一项规模庞大的回购计划，规模为200亿美元，但分析师在财报电话会议上对此只字不提。加入芯片巨头英特尔(Intel)担任首席财务官已有三个季度，乔治•戴维斯(George Davis)仍在发现这份工作的细微差别。这要归咎于跟踪英特尔的华尔街卖方分析师，他们对个人电脑市场的变迁比对资本回报率更感兴趣。 “财报电话会议结束时，我问鲍勃(英特尔首席执行官鲍勃•斯旺)，‘鲍勃，你需要回购多少股票才能在电话会议上回答这一个问题?’”戴维斯上周在与华尔街的一次面对面会议上笑着说。 戴维斯在芯片制造商高通公司从事金融业五年半后，于今年1月加入该公司。他接替了斯万，后者在2018年布莱恩•克兰尼克(Brian Krzanich)被解职后从首席财务官升任首席执行官。 戴维斯在纽约街头与华尔街进行了交谈，他将在那里主持英特尔(Intel)自动驾驶汽车芯片的Mobileye业务的首次投资者会议。该业务今年有望实现9亿美元的收入，较去年增长近30%，但它没有得到华尔街应有的重视，戴维斯说。 他表示，与Mobileye在2017年被收购时的预期相比，“它的投资主题表现得更好”。尽管如此，像谷歌的子公司Waymo这样进展缓慢的机构还是吸引了所有的注意力。因此，英特尔将投资者聚集在特拉维夫，让他们对这个部门进行真正的检查。 但那200亿美元的回购呢?英特尔能否在未来几年继续以这样的速度回购股票? 戴维斯说：“我们所承诺的是实现至少100%的自由现金流回报，然后我们将在未来15到18个月执行一项200亿美元的回购计划。” 戴维斯指出，英特尔正在产生大量的自由现金流，今年为160亿美元，估计它刚刚增加了10亿美元，“我们预计将继续使[自由现金流]成为公司的一个重要重点。” “即使在200亿美元计划完成后，我们的资产负债表仍非常稳健，”他补充道。英特尔可以承受负的净现金余额，该公司上季度末的现金及现金等价物总额为170亿美元，长期债务约为200亿美元。他说：“随着时间的推移，我们的现金余额会下降，因为从经营的角度来看，你不需要有150亿到200亿美元。” 他表示：“与‘现金为王’的全盛时期相比，每家公司在税改后所需的净现金量已大幅下降。” 除了高自由现金流，英特尔正在从其蜂窝调制解调器业务卖给苹果公司，并退出内存芯片的合资企业已经使用美光技。戴维斯预计更多的现金可能来自“看着削减我们的投资组合在其他领域。” 戴维斯说，英特尔正在寻找合作伙伴，来提高投资回报。一旦完成这个过程，我们将讨论这个计划。他说，这是“几个月的事，不是几年的事”。 200亿美元的回购计划反映出该公司股价过低。“我们正考虑了我们的估值和计划，我们认为对估值的看法与市场目前的看法不同。”英特尔当前的收益率为4.33%，基于每年支付每股2.52美元的股息，而股价为58.15美元。这是“与业内同行相比的强劲收益率”，部分原因是“股价太低”。 戴维斯暗示，为了平衡回购，英特尔需要有吸引力，可以这么说，对于任何潜在的收购。当被问及英特尔是否有可能进行大规模收购时，戴维斯暗示，目前的重点是瘦身，而不是增加重量。 他表示，在我们目前服务的3000亿美元总目标市场中，我们有大量的机会。对许多科技公司来说，最难的事情是专注。专注意味着既要跟上蓬勃发展的市场，又要修复近年来支离破碎的芯片制造过程。英特尔(Intel)最初的目标是运输尺寸最小的晶体管，即10纳米的100亿分之一米，但在大约3年的时间里，该公司未能实现这一目标。这在华尔街引起了巨大的恐慌。 现在，戴维斯说，英特尔打算在新芯片技术首次亮相时他说：“我们拥有完成这项工作所需的所有要素。”这在很大程度上要归功于伦杜chintala正在进行的改革。 戴维斯说，英特尔的10纳米芯片今年终于开始量产，将在2021年的某个时候达到出货量峰值。大约在那个时候，10纳米芯片将“超越”现有的14纳米芯片，Davis说，这意味着在出货量上超过它们。 戴维斯说，“2021年下半年，我们将推出第一批7纳米芯片，两到两年半后，我们将达到5纳米。” 一些华尔街人士抱怨说，7-纳米在2021年晚些时候首次亮相这将英特尔得日程又推后，这意味着10纳米也会出现类似的延迟。戴维斯回答说：“不，不会出现这状况，这是我们的承诺。” 英特尔计划今明两年大幅增加用于个人电脑芯片的硅片产量，增幅约为25%。该公司计划，到2020年，其个人电脑微处理器的销量将增长“中位数至高个位数”。戴维斯承认，这样的前景可能会让一些观察人士感到奇怪。 戴维斯说：“希望在未来18个月到24个月里这是一个更具竞争性的环境，我们愿意在价格上展开竞争。” 另一件令人大跌眼镜的事情是，该公司用于服务器计算机的芯片销量大幅飙升。数据中心业务收入较上一季度增长28%，至64亿美元，占英特尔收入的近一半。戴维斯将其归结为主导数据中心芯片采购的云计算供应商在采购时机上的不协调，因为该部门前三个季度表现不佳。 “如果你是个人电脑市场的学生，你会说，嗯，这比市场的增长要快，”大卫说。但他指出，英特尔实际上是在追赶，因为该公司今年无法完全满足需求。它还打算夺回一些被先进微设备夺走的份额。

    半导体 财报 芯片 回购计划

  • 研华携手兆芯 深化中国“芯”产业生态合作

    2019年11月，中国·深圳- 11月5日，全球领先的嵌入式设计与服务厂商研华科技携手国内领先芯片厂商上海兆芯(以下简称“兆芯”)举办的“中国芯助力安全可靠国产化”合作伙伴高峰论坛在深圳圆满落幕。这是一场立足传统产业视角，探索传统行业国产化生态合作发展之道的行业盛会。本次会议，聚集了上海兆芯、深度科技、百敖软件、长城信息、证通电子等行业人士，剖析中国芯片行业现状、聚焦金融、能源、网安及工业多领域市场需求，构建芯片、核心板卡、设备、系统集成完整的生态链。 生态协同：打造国产化时代共同体 研华IoT嵌入式平台事业群中国总经理许杰弘在开场致辞中表示，集成电路产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，其技术水平和发展规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。近年来，党中央、国务院高度重视集成电路产业发展，先后出台一系列文件，为我国集成电路产业发展营造了良好的产业环境。现阶段我国集成电路产业发展取得了长足进步，但是仍需加强核心技术攻关，保障供应链安全和产业安全。研华与业界伙伴将携手共建开放、合作和共赢的新赛道，实现多元共赢。 研华IoT嵌入式平台事业群中国总经理许杰弘致辞 携手共赢：拥抱主流生态 兆芯作为国内领先的芯片厂商，掌握中央处理器、图形处理器、芯片组三大核心技术，并将核心技术进行持续迭代创新。同时，采用自主微架构设计，构建全流程设计规范，设计标准，注重稳定可靠，面向垂直行业提供国产通用处理器解决方案。会议中，罗勇博士表示，作为国产自主可控x86解决方案的供应商，兆芯与研华强强联手，拥抱主流生态， 深耕产业应用，助力金融、能源、交通、网络安全、工业等行业的国产化应用平滑迁移，通过软硬结合的方式，为行业客户提供能够无缝替代，并且充分满足各方需求的国产化解决方案及信息技术服务，保障信息安全。 研华+兆芯 中国芯助力实现安全可靠国产化 兆芯副总经理 罗勇博士主题演讲 凝聚共识：共创国产化大未来 会议中，深度科技副总经理詹总、研华IoT嵌入式平台事业群业务总监胡智生、研华DMS行业经理周锡昌围绕携手共赢，共谋发展为题，分别从操作系统、设备集成、定制化服务角度介绍了各自领域如何助力传统行业注入中国“芯”，共同探讨如何在国产化趋势下，携手共创共赢，深耕行业应用。 深度科技副总经理 詹学     研华IoT嵌入式平台事业群业务总监胡智生 最后，在研华协同创新研发中心总监庄哲豪的主持下，兆芯、深度科技、百敖软件等企业专家一同围绕“传统行业如何注入中国“芯”进行深度探讨，将会议推向高潮。各位专家分别从芯片、操作系统、BIOS软件等角度剖析X86和ARM架构生态现状，以“拥抱”姿态迎接国际主流架构，畅想将芯片、操作系统、BIOS等核心部件化零为整，共同构建芯片、核心板卡、设备、系统集成完整的生态链。 企业大咖 高峰论坛 国产化的发展之路任长道远，不仅需要攻坚者们十年如一日的技术突破，更需要集合产业势能，共同协作，不断塑造、完善国产化产业体系才能建立中国核心技术真正的竞争力。在挑战这些国际巨头的道路上，大家并非单打独斗，研华作为一家有三十多年历史的嵌入式设计和服务领先厂商将会和行业伙伴一同携手并肩，从芯片生产、硬件整合、软件应用到系统集成为大家提供完善的服务，进行更深层次的合作，一同来推进国产化的进程。

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  • 英特尔发布全球最大容量的全新Stratix® 10 GX 10M FPGA

    早前，多家客户已经收到全新英特尔® Stratix® 10 GX 10M FPGA样片，该产品是全球密度最高的FPGA，拥有1020万个逻辑单元，现已量产。该款元件密度极高的FPGA，是基于现有的英特尔Stratix 10 FPGA架构，以及英特尔先进的嵌入式多芯片互连桥接（EMIB） 技术。其利用EMIB技术融合了两个高密度英特尔 Stratix 10 GX FPGA 核心逻辑晶片（每个晶片容量为 510 万个逻辑单元）以及相应的I/O单元。 英特尔Stratix 10 GX 10M FPGA拥有1020万个逻辑单元，其密度约为Stratix 10 GX 1SG280 FPGA 的 3.7 倍，后者为原英特尔Stratix 10系列中元件密度最高的设备。英特尔的EMIB技术只是多项IC工艺技术、制造和封装创新中的一项，正是这些创新的存在，让英特尔得以设计、制造并交付目前世界上密度最高（代表计算能力）的FPGA。 图：英特尔Stratix 10 GX 10M FPGA共有1020万个逻辑单元，是第一款使用EMIB技术将两个FPGA构造晶片在逻辑和电气上实现整合的英特尔FPGA ASIC原型设计和仿真市场对当前最大容量的FPGA需求格外急切。有数家供应商提供商用现成 (COTS) ASIC原型设计和仿真系统，对于这些供应商而言，能够将当前最大的 FPGA 用于 ASIC 仿真和原型设计系统中，就意味着获得了巨大的竞争优势。 此外，包括英特尔在内的很多大型半导体公司都开发了自定义原型设计和仿真系统，并在流片前使用该系统来验证自身最大规模、最复杂、风险最高的 ASSP 和 SoC 设计。ASIC 仿真和原型设计系统可以帮助设计团队大幅降低设计风险。因此，包括英特尔 Stratix 10 FPGA 和更早的 Stratix® III、Stratix IV 和 Stratix V 设备在内的英特尔 FPGA，十多年来一直被用做很多仿真和原型设计系统的基础设备。 ASIC 仿真和原型设计系统支持很多与 IC 和系统开发相关的工作，包括： ◆ 使用真实硬件的算法开发 ◆ 芯片制造前的早期SoC软件开发 ◆ RTOS验证 ◆ 针对硬件和软件的极端条件测试  ◆ 连续设计迭代的回归测试 仿真和原型设计系统旨在帮助半导体厂商在芯片制造前发现和避免代价高昂的软硬件设计缺陷，从而节省数百万美元。芯片在制造完成后修复硬件设计缺陷的成本要高得多，通常需要昂贵的重新设计费用。当设备制造出来并交付给终端客户，解决这些问题的成本甚至会更高。正因为风险如此之高，且有可能节省的费用如此之多，这些原型设计和仿真系统为IC设计团队带来了实实在在的价值。仿真和原型设计系统的使用已经越来越普及，因为在经济风险如此之高的情况下，没有哪个设计团队负责人敢于忽视这项谨慎的验证性投资。 使用最大型的FPGA，就能够在尽可能少的FPGA设备中纳入大型ASIC、ASSP和SoC设计。英特尔Stratix 10 GX 10M FPGA是用于此类应用的一系列大型FPGA系列中的最新设备。该款全新的英特尔Stratix 10 FPGA支持仿真和原型设计系统的开发，适用于耗用亿级ASIC门的数字IC设计。包含1020万个逻辑单元的英特尔Stratix 10 GX 10M FPGA，现已支持英特尔® Quartus® Prime软件套件。该套件采用新款专用IP，明确支持ASIC仿真和原型设计。 英特尔Stratix 10 GX 10M FPGA是第一款使用EMIB技术并在逻辑和电气上将两个FPGA构造晶片结合到一起的英特尔FPGA，实现高达1020万个逻辑单元密度。在该设备上，数万个连接通过多颗EMIB将两个 FPGA构造晶片进行连接，从而在两个单片FPGA构造晶片之间形成高带宽连接。 以前，英特尔使用了EMIB 技术将 I/O和内存单元连接到FPGA构造晶片，从而实现了英特尔 Stratix 10 FPGA 家族的规模和种类不断扩张。例如，英特尔Stratix 10 MX设备集成了8 GB或16 GB的 EMIB相连的3D堆叠HBM2 SRAM单元。最近发布的英特尔Stratix 10 DX FPGA则集成了EMIB相连的P tile，具备PCIe 4.0兼容能力。 英特尔Stratix 10 DX FPGA中使用的P tile是兼容PCIe 4.0 的 PCI-SIG系统集成设备清单中的首款组件级设备。最近发布的英特尔® Agilex™ FPGA 中也同样紧密集成了同款 P tile，因而也能兼容 PCIe 4.0 设备。英特尔 Stratix 10 DX 和英特尔 Agilex FPGA 中使用的 P tile是这一应用的又一绝佳范例，它展示了诸如EMIB的先进制造和生产技术，以及如何让英特尔将一系列新产品快速推向市场，并投入全面生产。 或许更重要的是，用来制造英特尔Stratix 10 GX 10M FPGA的半导体和封装技术，并不仅仅是为了制造世界上最大型的 FPGA，这只是一个附加值，尽管相当重要，但并不是最重点。 而重点在于： 这些技术让英特尔能够通过整合不同的半导体晶片，包括FPGA、ASIC、eASIC结构化ASIC、I/O单元、3D堆叠内存单元和光子器件等，用于将几乎任何类型的设备整合到封装系统（SiP）中，以满足特定的客户需求。这些先进技术彼此结合，构成了英特尔独特、创新且极具战略性的优势。 （作者系英特尔网络和自定义逻辑事业部副总裁兼FPGA和电源产品营销总经理）

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