通用适配器来了，氮化镓技术做后盾

在过去的半个世纪，硅一直是现代电子工业的基础，原因很显然：到现在为止，硅是大规模应用于最新消费、商业和工业技术最完美的半导体材料。但是现在，面对一种可提供比旧行业标准更高的速度、更强的功率处理能力和更小的尺寸的新型半导体材料，硅的局限性受到了挑战。

这种颠覆性材料就是氮化镓(GaN)，自上世纪90年代以来主要用于LED和RF器件的化合物。尽管GaN并不是刚刚发现或新奇的材料，但是GaN刚刚进入下一代电子设备的功率半导体应用，创造了速度和转换效率的新高度。

Dialog与台积电(TSMC)合作，推出市场上首个高电压GaN功率IC +控制器组合。该功率产品组合(以SmartGaNTM产品系列为先锋)将实现转换效率可达94%的快速充电技术。

我们的新PMIC DA8801与Dialog具有专利的数字式 Rapid Charge™电源转换控制器结合使用，可以实现比目前的硅场效应晶体管(FET)设计更高效、更小、功率密度更高的适配器。事实上，DA8801可以使硅PMIC的功率损耗和尺寸几乎减半，进而使该技术的成本减半。

我们计划首先将这种技术应用于PC和手持设备的快速充电适配器。目前在快速充电适配器市场上，凭借Rapid Charge™快速充电技术，Dialog的市场占有率已超过70%。GaN具有十分惊人的促使这类产品的功能、外观和成本发生革命性变化的潜力：因为GaN技术可使功率电子器件的尺寸减小50%，一个典型的45W GaN驱动的适配器的尺寸可与传统25W设计的尺寸一样甚至更小。通过更紧凑的设计，适配器能变得更轻巧，有助于在不久的将来实现能为所有移动设备供电的通用适配器。

GaN技术提供全球速度最快的晶体管，这些晶体管是高频和超高效功率转换的核心。Dialog的DA8801半桥将栅极驱动和电平转换电路与650V功率开关相集成，可使功率损耗降低达50%。同样重要的是，这些特性有助于无缝应用GaN技术，而无需设计复杂的外围电路。

这使GaN技术能够顺利地集成入其他产品。因此，DA8801集成式GaN半桥为提升各种技术的效率带来了几乎无穷的可能性，从助力更快速的物联网(IoT)应用，到提升服务器和数据存储操作的效率。到目前为止，硅材料对我们提供高效、敏捷的技术发挥了重要作用，而GaN将会在未来带我们走的更远。