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  • 2010年全球半导体封装产业盘点

    2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月，SEMI公布了关于铜引线键合的调查结果。调查结果显示，有41％的半导体厂商使用铜引线键合。封装技术相关展会“NEPCONJAPAN2010”，也指出了以铜引线键合为首的低成本封装技术的重要性。 走在此类低成本封装技术前列的，是日本国外的后工艺专业厂商。例如，在铜引线键合的购买比例中，台湾占到全球的39％，菲律宾占到全球的18％，日本仅占3％。先行者——台湾日月光集团（ASEGroup）表示，“采用铜引线键合的封装供货量截至2010年9月累计达到了10亿个，实现了不亚于金线的质量”。另外，台湾日月光集团预计2010年底的累计供货量将达到20亿个，年底之前将购买4000台铜引线键合装置。 日本也在推进铜引线键合的开发工作。例如，富士通半导体已经开始量产铜线产品，今后还准备扩大生产规模。不过，难以实现如同金线产品那样的稳定生产，因此富士通半导体表示“估计铜线产品的比例在2012年也只有几十个百分比的水平”。 TSV及三维技术也取得进展 另外，关于采用TSV的三维积层等前瞻技术，其技术开发工作也正在稳步推进中。例如，尔必达存储器为了量产采用TSV的新一代DRAM，正加速进行技术开发（参阅本站报道3）。尔必达存储器有两大目的。一个是通过积层多个DRAM内核来实现“超大容量DRAM”，另一个是实现以高带宽连接逻辑LSI和DRAM的“超宽I/O”。 关于后者，尔必达存储器已宣布将与台湾力成科技（Powertech Technology，PTI）和台湾联华电子（United Microelectronics，UMC）合作（参阅本站报道4）。此外，TSV开发方面的相关合作动向也引人注目，例如住友精密和法国CEA-Leti将就新一代TSV的技术开发合作等。 使用无线方式而非TSV连接积层间芯片的技术也广受关注。日本庆应义塾大学教授黑田忠广等人的研究小组，开发出了可以三维积层129个半导体芯片的磁场耦合技术。将该项技术用于内存卡的研究也正在进行之中。  

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  • 飞思卡尔CEO称公司有望于2011年IPO

    飞思卡尔CEO里奇·拜尔(Rich Beyer)周二表示，2006年以176亿美元私有化的飞思卡尔有望于2011年IPO(首次公开招股)。 拜尔表示，飞思卡尔已经重组了债务并提升了业绩，赢得了市场信任。他还透露，如果经济持续复苏，而半导体市场明年也继续增长，该公司有可能具备上市条件。 他说：“相信我们将具备IPO的能力。我们拥有可行的资本结构。” 飞思卡尔是美国汽车厂商的最大芯片供应商。拜尔表示，该公司计划融资10亿多美元，偿还2014年到期的12亿美元债务。这些债务是在被黑石集团、Carlyle、Permira Advisers和TPG Capital私有化时积累的。拜尔表示，这些投资机构不会出售他们自己的股票，但是允许飞思卡尔通过新股发行融资。 飞思卡尔上季度净亏损额收窄至1.56亿美元，销售额则增长29%，达到11.5亿美元。截至上季度末，飞思卡尔共计拥有10.7亿美元现金，付息额为1.44亿美元。 该公司明年将有6亿美元债务到期，2014年为12亿美元，2016年则达到30亿美元。 拜尔表示：“(2016年前)将有许多机会偿还债务。我相信资本结构不会吓跑投资者。”  

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  • IDM加强与中国大陆厂技术合作 台封测厂压力渐增

    中国大陆IC封测技术已往高阶制程移动，并且藉著半导体群聚效应进行区域整并，竞争力逐渐提升，例如江苏长电已在2009年正式挤进全球前10大封测厂，加上整合元件厂(IDM)逐步与大陆合作，大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃发展期，台湾封测业者的经营压力将日益增加，绝不能轻忽大陆厂势力。 据了解，江苏新潮科技集团已开始整并江苏所在的长电科技等封测业者，逐渐形成规模经济基础。天水、乐山等地亦受到地方政府扶植，走向自主、整并之路，已形成具规模的产业聚落。 大陆沿海的封测业者因成本逐年提高与不获当地重视等负面因素，未来产能有向西转移的可能性，大陆封测业者可望藉半导体群聚进行区域整并。 全球产业链往大陆转移趋势仍在，提振封测产能逐水草而居，大陆自有IC产品出货逐年成长，有利于当地IDM和代工封测产能。全球半导体产业的轻资产和扩大委外比重策略将有助产值提升，全球IDM和封测业者随产能转到大陆带入先进技术，并培训人才，大陆封测业正加强外资替代和自有产品作为未来发展之道。 目前大陆IC封测技术已往高阶制程移动，竞争力不容小觑，尤其江苏长电在2009年正式挤进全球前10大封测厂，IDM厂逐步与大陆合作，大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃发展期。 此外，观察IDM与大陆封测厂合作的案例，包括东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)与大陆太极实业合资成立存储器封测厂海太半导体，总投资金额达3.5亿美元，以探针、封装为主要业务，规划以1GbDRAM为主，单月产量7,500万颗的封装测试能力，年营业额可达3亿美元，是大陆技术最领先的封测厂。 IDM厂持续西进也带动大陆封测业升级与转型，尤其日、韩与大陆合资封测厂趋势下，台湾IC封测业不能轻忽大陆封测业的实力。 整体而言，大封测产业正在崛起，2009年的营业额达到人民币498亿元，较2008年619亿元下滑近20%，预期2010年将可以恢复成长格局。  

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  • 今年IEDM论文数量大减 芯片厂商面临艰巨挑战

    12月6~8日于美国旧金山举行的2010年IEEE国际电子元件会议(International Electron Device Meeting，IEDM)，呈现了三个显著的主题趋势：首先，与技术相关的论文数量减少；其次，业界对于未来制程节点的下一代电晶体架构仍缺乏共识；第三，尽管有一大堆新奇的技术冒出头，芯片制造商还是坚持认为经济学与成本才是他们决定未来电晶体与制程技术的推手。 在过去，众家晶片制造商竞逐摩尔定律(Moore’sLaw)与先进制程技术的开发，也因此在IEDM上会有大量相关论文发表；而今日，先进晶片制造商越来越少，也导致今年该会议论文数大幅减少。IEDM大会主席、来自台积电(TSMC)的MeikeiIeong在会议期间表示："我并没有看到论文数量有回升的趋势。" IEDM论文数量减少也可能有其他原因；过去先进晶片制造商的态度较为开放，也常愿意针对即将问世的新技术提供暗示；例如IBM、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)、台积电与联电(UMC)等厂商，都会投稿大量论文发表其最新、最厉害的制程开发成果。 在今年的会议上，仅有少量论文提供了晶片供应商下一步发展的线索；许多先进晶片制造商的态度都转趋谨慎，也不想把技术发展方向透露给对手知道。今年IEDM上发表的论文以学术性质居多，或是在细节上透露不多，让部分参加者不太满意。 不过在今年的IEDM上，还是有不少传言讨论先进数位晶片制造商可能会在22/20奈米节点的电晶体架构上可能会采取的策略方向；大多数业界人士相信，先进晶圆代工厂可能会延长使用bulkCMOS制程技术。 其中有不少猜测是针对英特尔而来，有人认为该公司将延长使用bulkCMOS技术，其他人则认为该公司会采用全空乏(fully-depleted)──或称超薄绝缘上覆矽(extrathinSOI)；还有一个消息来源甚至指出，英特尔打算在22奈米或15奈米制程节点采用三闸(tri-gate)架构。 其他候选技术还包括采用矽穿孔(through-siliconvias，TSV)技术的3D晶片制程，这是不需依赖半导体制程的技术，而如果晶片制造商能够达成以合理成本量产矽穿孔3D晶片，该技术可能会成为半导体制程发展蓝图中半途杀出的程咬金。 目前，先进晶片制造商在32/28奈米节点所采用的，是传统bulkCMOS制程与平面架构的电晶体；但显然："对于20奈米节点到底将会是哪种电晶体出线，业界仍存在著忧虑。"市场研究机构VLSIResearch执行长G.DanHutcheson表示："在电晶体架构方面，较安全的赌注是将传统CMOS技术延伸使用到下一个世代。" SemicoResearch的分析师JoanneItow也同意以上节点，其理由是基于成本；Itow表示，试图在22/20奈米节点转用新奇的电晶体架构，不但代价太昂贵、风险也太高。只是，究竟晶片制造商还能把目前的bulkCMOS技术延伸使用多久，还是个未知数。 在22/20奈米节点之后，对于预期在2013年问世的16奈米逻辑制程节点之实际电晶体架构，晶片制造商之间的共识非常小；目前台面上也有不少候选技术，包括三五族半导体(III-V)、bulkCMOS、FinFET、全空乏SOI、多闸极(multi-gate)等等。 至于还有更远一段距离的16奈米以下制程节点，可能采用的技术范围更是完全开放，除了现有的技术，还有其他各种新奇的架构，例如三五族半导体、碳奈米管、石墨烯(graphene)、量子阱(quantumwell)FET等等。  

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  • 2010全球半导体收入超3千亿 十大厂商排名

    根据全球技术研究和咨询公司Gartner的初步调查，在经历了全球经济衰退之后，2010年全球半导体市场出现反弹，总收入达到了3,003亿美元，比2009年增长了31.5%。 Gartner 半导体研究总监Stephan Ohr先生表示：“2010年半导体市场受系统制造商因库存耗尽而争先恐后购买零件这种被抑制了的需求所推动。集成设备制造商(IDM)与晶圆代工厂商也都在积极扩大产能。第三季度，随着需求放缓及消费者信心减弱，交货时间放缓下来，库存慢慢开始累积。不过，半导体供应商正在努力解决积压订单，2010年将成为半导体行业标志性的一年。” 2010年，半导体市场与2009年下滑10%相比有一个反弹。2010年半导体行业整体收入增长了719亿美元，这是半导体行业在任何单一年份中最大的增长。历史上仅有1988年，1995年和2000年这3次在单一年份中收入增长超过 30%。今年半导体行业收入高达3,000亿美元，成为该行业里程碑式的业绩。 2010年，英特尔成为连续19年排名第一的厂商，但其市场份额从2009年的14.2%下降到今年的13.8%(见表1)。随着个人电脑市场在2010年下半年强劲的库存预期，英特尔在今年上半年出现强劲增长，但是随着消费者信心减弱，第三季度增长势头减弱。上网本的销售，英特尔这一一支独秀的领域，尤其令人失望。 表1：全球前十大半导体厂商收入预估排名(百万美元)。 2010 年，三星电子、东芝和德州仪器表现抢眼，在十大榜单中分别占据第二、第三和第四的位置。由于三星在蓬勃发展的DRAM和NAND闪存市场上表现活跃，该公司年度增长强劲。内存销售占据该公司80%的销售份额。东芝在用于移动设备和离散、ASIC和ASSP业务的NAND闪存业务上获得增长。2010年是德州仪器收获颇丰的一年，该公司半导体业务整体收入增长35.2%，模拟业务收入增长超过41%。 新进入前十大榜单的瑞萨电子在今年排名第五，该公司是NEC电子与瑞萨科技于2010年4月1日合并而成。此外，在前十大榜单中，美光科技上升了5个排名，以第八位的身份跻身榜单，这主要归功于其收购了Numonyx，这使得该公司在2010年能获得Numonyx后三个季度的销售。

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  • 18寸晶圆技术热度升高，英特尔证实开发计划

    针对市场的谣传纷纷，英特尔(Intel)已经证实，该公司将在美国兴建的新晶圆厂，将会支持18寸晶圆技术。据业界消息，英特尔将在美国奥勒冈州Hillsboro新建一座研发晶圆厂，并将该公司其它位于美国的晶圆厂升级至22纳米制程，总投资额约60~80亿美元。 英特尔位于奥勒冈州的研发晶圆厂代号为D1X，规划在2013年开始运作。早在数周前业界就已谣传，该公司将在位于Hillsboro的自家Ronler Acres园区兴建新晶圆厂；有人猜测该座新厂将是12寸甚至 18寸(450mm)晶圆厂，但英特尔表示，新厂是一座研发晶圆厂(development fab)。 近日有分析师指出，英特尔的新厂会是“准 18寸”晶圆厂，意味着一旦相关设备开发就绪，该厂就能支持18寸晶圆生产。而英特尔在美国时间12月7日也证实，D1X会准备好支持18寸晶圆技术；“英特尔对18寸晶圆技术兴趣浓厚。”该公司资深院士暨制程架构与整合部门总经理Mark Bohr表示：“D1X将兼容于18寸晶圆制程。” 半导体设备业界现在对 18寸晶圆技术的热度也升高了；过去曾经有一度，那些业者并不想投入 18寸晶圆设备的开发，因为成本实在是太高。而现在，市场的气氛开始不同；根据Bohr的说法：“我感觉到有部分设备供货商对18寸晶圆技术有兴趣。” 18寸晶圆技术有开始活络的趋势；“我很惊讶地发现，不只是SIT (Samsung、Intel与Toshiba)阵营开始支持这项技术；我是第一次听到以上三家厂商之外的芯片业高层，转向谈论该技术问世的时间点，而非是否会问世。”VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson表示，目前有超过九成的半导体设备供货商都已涉足18寸晶圆技术开发，但大多数都没有公开。 Hutcheson指出，18寸晶圆设备领域还有许多有待完成的工作，可能最快要等到2018年才会看到18寸晶圆厂出现。  

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  • 基于TSV技术的3D芯片成本该是多少?

    要实现基于TSV(through-siliconvia)技术的3D芯片大规模生产所需要克服的最大困难是什么？困难其实还有很多，但是成本或许是这其中最大的问题。 Synopsys公司执行小组高级副总裁兼总经理AntunDomic表示，一个基于TSV技术的3D设备成本为150美元/晶圆，这相当于300mm晶圆总成本的5%。 其他方面的消息指出，这只不过是九牛一毛。研究机构TechSearchInternational公司的总裁E.JanVardaman认为，150美元仅仅只能说是TSV技术的演练费用。这并不包括加工、封装和其他费用。 还有人表示，3D芯片的TSV技术甚至是传统IC成本的20倍以上。VLSI研究公司的首席执行官G.DanHutcheson说：“它的成本是2美分/根焊线，相比之下，基于TSV技术的3D芯片成本则高达20美分/根焊线。” 专家们定义一个真正的3D封装，应该是将各种芯片垂直堆叠在一起，然后通过部署TSV进行连接。其目的是缩短芯片之间的互连，减小芯片尺寸，提高器件的带宽。 到目前为止，芯片制造商们正在准备发布基于TSV的3D设备，主要是CMOS图像传感器、微机电系统(MEMS)，以及某些功率放大器。关于TSV技术的几个问题：缺乏EDA设计工具、设计的复杂性、集成组装和测试、成本，以及缺乏标准。 一些专家得出了相同的结论，关于基于TSV技术的3D芯片：现在还没有为其黄金时间做好准备。  

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  • 英飞凌CEO预计2011财年公司营收将同比涨10%

    根据国外媒体报道，欧洲第二大芯片制造商英飞凌(Infineon Technologies AG)CEO彼得鲍尔表示，在截至2011年9月的财年内，该公司的营业收入有望实现接近10%的增长。而本财年的销售目标可能会“偏保守”，因为公司的订单十分充足。 鲍尔称：“如果整体经济保持强劲，我们的预期可能就会有些保守。但是在当前的情况下保持谨慎不是坏事，毕竟没有人知道下半年的经济会如何发展。”鲍尔还于上个月表示，该公司计划为上一财年每股派发10美分的股息红利，这将是近十年来该公司首次派发红利。 英飞凌的芯片广泛用于汽车、手机和其它电子设备。而自2008年6月就任CEO以来，鲍尔始终坚持英飞凌为客户量身定做芯片的发展战略，并使该公司克服了业内价格和需求不断变化所带来的一系列不利影响。 上周鲍尔在位于德国慕尼黑南部城市纽必堡的公司总部接受记者采访时表示，在逐渐退出利润率相对较小的个人电脑和手机芯片市场后，“英飞凌的企业风险预测目前处于相对较低的水平。” 德国资产管理公司Aramea基金经理鲍里斯伯姆(Boris Boehm)称：“英飞凌实现了惊人的扭转，从一家表现最差的德国大型企业，变成了盈利增长迅速且业绩稳定的企业。他们现在处于正确的市场，并且采取了正确的管理方式。”伯姆管理着10亿欧元(约合13.4亿美元)资产，并持有英飞凌股票。  

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  • 全球晶圆产能2011年增长预期保守

    根据SEMI发布的最新全球晶圆厂预测(World Fab Forecast)，预估全球晶圆产能在2010和2011年将分别有8%的成长，而2012年将成长9%；相较于2003~2007年的每年两位数成长，SEMI对明后年的预估相对审慎保守。 若从产业区隔来观察2004年以来的产能年成长率，LED产业表现最突出，过去六年来都以两位数的速度疾速成长。而过去由内存产业带领产业成长的局面已经改变，内存产业的成长率由过去是晶圆代工厂的两倍，到2012年将维持和晶圆代工厂相当。 在制程技术升级和持续扩产的需求驱动下，晶圆厂支出在2011年将成长18.3%，2012年再成长9.5%。其中又以内存、晶圆代工和MPU支出最为明显。2011年的晶圆厂投资中，在建厂方面的支出减少11%，由于各家厂商目前没有宣布明确的新厂建置计划，2012年的建厂支出尚未明朗。 相对于建厂支出的减少，2011年晶圆厂在制程相关设备的投资金额预估将提高23%，达到400亿美元，超越2007年的水准，创下19年来的最高纪录。2010年半导体设备支出前三名的领域别则为内存、晶圆厂和MPU。 但是报告也指出，未来两年半导体新厂的建置计划明显锐减，SEMI资深产业研究经理曾瑞榆表示：“由于新厂需要18~24个月的规划、建置、设备装机、认证和试营运，如果上线时间太慢，担心两年后半导体产业的成长动能可能会不足。” 值得注意的是，消费者对于许多新应用和电子装置的需求让NAND成为成长最快速的市场之一，NAND的价格下降则更加速市场需求和成长。  

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  • 东芝日本厂跳电受影响产能恐达20%

    华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次的跳电事件可能影响未来2个月的产能，减少20%的产出。东芝与新帝(SanDisk)合资生产，总产出约占市场产能的3分之1，出货量仅次于排名全球第1的三星电子(SamsungElectronics)。接下来几个月，全球的快闪存储器市场的供给将受到明显冲击。不过，快闪存储器消耗特别多的苹果(Apple)跟多家供应商都签有长期供应合约。分析师表示，这次产能受到干扰正不是时候，因为刚好有许多厂商准备要推出新的平板计算机来挑战iPad。部分业者将面临供应吃紧的问题，正当要加紧增产时可能得面临快闪存储器价格上涨。ThinkEquity分析师KrishnaShankar表示，这个时机真的是再糟也不过了。根据中部电力(ChubuElectricPower)表示，供电不稳是从2010年12月8号早上开始，当时供电的电压突然间下降，造成东芝在四日市的厂房出现0.07秒的断电。虽然断电时间十分短暂，但因为生产线复杂的机械设定，其实还是会造成很大的影响，就像突然拔掉计算机主电源插头一样。基于这个原因，许多芯片厂都会特别注意预防措施，包括安装不断电系统。东芝发言人表示，这次四日市厂房的不断电系统没有发挥应有的功效，是因为中断的电力已经超过系统的负荷值了。分析师指出，芯片制程中发生跳电事件，通常会伤及矽晶圆片，一般而言，矽晶圆的制程需时约8~12周。制程中间若出现断电，矽晶圆片通常都会毁坏，只有储存中及在不同机械间转移的晶圆片可以逃过跳电一劫。偶尔出现空气清净机或空调系统跳电问题则有可能污染需维持无尘环境的晶圆。晶圆厂跳电就象是手术中途人工心脏断电一样，结果就是病人命都丢了。根据东芝的估计，这次跳电事件对产能造成的影响可能延续到2011年2月，出货量最多可能少掉2成。研究机构iSuppli分析师MichaelYang指出，按东芝的市占率来看，这次跳电可能让受影响期间的NAND全球供给量骤减7.5%，不过，相对于2011年全年则比重会小许多，所以大概只会让NAND存储器短期价格大涨，这种事情过去就有前例。2007年8月时，三星靠近首尔的芯片厂也曾经被迫中断部分生产线，当时芯片价格也因此上涨了好几个月。巴克莱资本(BarclaysCapital)分析师TimothyLuke估计，这次东芝跳电事件应该会让2011年的NAND供给量少3~5%，随后的涨价效应可能让对手三星跟美光科技受益。唯一值得庆幸的是，1、2月的产能减少对于全年而言影响算是相对小的，应该会减少缺货的机会。不过，NAND的需求量最近增加速度相当异常，因为智能型手机及平板计算机对其需求大增，iSuppli日前曾估计过，2011年全球的NAND出货量可能会成长70%。

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  • 英特尔确认22nm新工厂可生产450mm晶圆

    让整个产业猜测了一次又一次之后，Intel今天终于官方确认，他们的新工厂已经在为下一代450mm晶圆做着准备。 450mm(18英寸)指的都是硅晶圆的直径，就像现在最普遍使用的300mm(12英寸)，以及早被淘汰的200mm(8英寸)、150mm(6英寸)。晶圆尺寸越大，生产芯片的效率也就更高，直接结果就是单位成本更低、利润空间更大，但是晶圆尺寸所需要的研发和制造成本也是天文数字级别的，往往需要整个半导体产业的携手合作，而晶圆尺寸每一次扩大也都需要长达11年左右的周期。 根据此前报道，Intel将投资60-80亿美元，一方面在俄勒冈州希尔斯伯勒市兴建一座新的研发晶圆厂“D1X”，2013年投入研发工作，另一方面对美国境内的多座晶圆厂进行升级，共同迎接22nm工艺。 Intel高级院士、工艺架构与集成总监Mark Bohr今天确认说：“Intel对450mm(晶圆)非常感兴趣。D1X从建筑伊始就兼容450mm。……我感觉一些设备供应商也对450毫米很感兴趣。” VLSI Research Inc. CEO G. Dan Hutcheson也在最近的一份报告中称：“现在，90％以上的设备供应基础都在某种程度上涉及了450mm(晶圆)的开发，指示其中大多数都在悄悄进行而没有公开。” 尽管整个产业都对450mm晶圆翘首以盼，但真正投产还有很漫长的路要走，450mm晶圆厂最早也要到2018年才能开张，Intel D1X兼容新晶圆也只是在做着前期准备而已。  

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  • 2010年全球半导体销售额突破3千亿美元大关

    市场调研机构Gartner 8日发表研究报告指出，2010年全球半导体销售额可望年增31.5%至重要里程碑3,003亿美元，库存过低的系统制造商对零组件需求大增是带动今年半导体销售额成长的主因。虽然第3季需求减缓、消费者信心疲弱使得前置时间缩短、库存逐渐增加，但半导体业者基本上仍在努力处理积压订单当中。 Gartner指出，2010年全球半导体销售额成长率远优于09年的年减10%，而单年成长金额(719亿美元)更创下史上新高纪录。全球半导体销售额年增率过去只有3次(1988年、1995年、2000年)超过30%。 根据调查，英特尔仍是2010年全球最大的半导体供货商，已连续19年夺得龙头地位，惟市占率却由09年的14.2%下滑至13.8%。英特尔Q3因消费者信心趋疲而使其销售额成长减缓，小笔电(mini-notebooks)的表现特别令人失望。三星电子、东芝与德州仪器表现则颇佳，其中三星的成长非常强劲，主因DRAM、NAND型闪存市况热络。 根据Gartner统计，以销售额来看，2010年全球前10大半导体厂商依序为英特尔、三星电子(市占率9.4%)、东芝(4.1%)、德州仪器(4.1%)、Renesas Electronics(3.5%)、Hynix(3.4%)、意法半导体(3.4%)、美光(3%)、高通(2.4%)、英飞凌(2.2%)。  

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  • 奇美遭欧盟重罚3亿欧元：郭台铭痛斥三星打报告

    郭台铭生气了。鸿海旗下面板企业奇美上周被欧盟罚款约121亿元新台币。上周五郭台铭带人到欧洲驻台湾地区经贸办事处讨说法，并痛斥“污点证人”三星电子，大有踢馆子的架势。 　　因“操纵面板价”，台湾地区奇美、友达等4家企业及韩国LG遭欧盟重罚。其中，奇美挨罚3亿欧元，友达1.17亿欧元，华映900万欧元，瀚宇彩晶810万欧元。 　　痛斥三星是“专打小报告的小人” 　　“来沟通争的不仅是法理，也求公平性。三星过去被处罚，但这个累犯这次做‘抓耙仔’自首无罪，不知者卖给韩国厂商却被重罚。”郭台铭出言不逊。闽方言中，“抓耙仔”意为“专打小报告的小人”。 　　郭台铭强调欧盟对奇美的出货统计不合理。奇美以前最大客户是三星与LG，它们将面板发往欧洲，这部分似乎也被统计为奇美出货。 　　他说，韩国三星半导体产品曾因操纵价格被欧盟罚款，这回面板又犯事，算“累犯”，欧盟却因它现在当了“污点证人”而放过它，有失公允。事实上，无论规模还是影响力，台企都不如三星、LG。 　　截至目前，全球前四大面板企业分别为三星、LG、奇美、友达。此次三星没被罚一分钱。 　　三星电子发言人Jason Kim没有回应郭台铭，仅表示“尊重欧盟决定”。 　　欧盟公平竞争委员会执委会发言人Amelia Torres说，经调查，2001年至2006年，奇美与友达等台企与三星、LG开会60次，商量如何操纵价格。奇美部分涉事人员姓名被记录在欧盟决议文件中。 　　她承认当年三星、LG两家韩企出货最多。而三星没有遭罚的理由是，在欧盟“宽容告示”期，坦白并揭发了同行。假如奇美当时也选择与欧盟“合作”，可能也不受罚。 　　奇美官方没有透露是否会上诉。郭台铭强调不会轻易“付不该付的钱”。截至目前，上述受罚企业中，仅友达属于“钉子户”，不甘屈服，而这导致了其三位高管自8月起一直被美国限制出境。 　　抱怨台湾地区封锁面板业 　　质疑欧盟、痛斥三星后，郭台铭也没放过台湾地区相关部门。 　　他说，大陆这次没有批准台企在大陆的高世代面板项目，这背后主要是台湾地区政策的限制，行政审核程序太慢。 　　几天前，《第一财经日报》报道过，高世代项目“5选2”结局已定，全球两大巨头韩国三星与LG出线，将分别在苏州、广州建设7.5代、8.5代项目。昨天，记者在国家发改委主页看到了正式批准文件。三个暂时出局的项目是富士康成都、夏普南京、京东方合肥三条8代线。之前，试图通过注资昆山7.5代厂的友达，至今仍被台湾地区封锁着。 　　郭台铭说，不明白为何要把面板厂商都“绑在台湾”，应该是市场在哪就到哪。 　　欧盟处罚、西进大陆投资无法成行，韩国两大巨头有望进一步拉大与台企的差距。此前2008年，三星、LG曾捉弄过奇美、友达，当时前两者本来一直采购台企面板，危机来临后立刻撤单，导致台企出货一泻千里。奇美电视面板事业总处长陈立宜对本报透露，当年10月，公司出货缩减40%。 　　马英九曾经的科技幕僚黄钦勇、DIGITIMES总经理在上海强调，两岸面板业正面临生死存亡，因为三星、LG正日益借助市场地位、非市场手段联手打压两岸企业。 　　郭台铭强调，奇美遭罚是有点困难，但不会被“打死”，一定会将钱从韩国人手中赚回来。  

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  • 为什么摩尔定律不适合环保科技行业？

    认为环保科技行业需要遵循摩尔定律的论调获得了正反两方面的声音。 　　没有人能回答这样问题，以下是我的浅见：几乎所有的科技都随时间的推进进步，但要让环保科技也同样遵循IT行业的金科玉律，摩尔定律拥护者们必定要失望。 　　如何迅速将我们巨大的能源系统变得更清洁是一个重要问题，尤其是有越来越多的政要鼓吹用能源研究来提高国家竞争力的时代背景下。 　　乐观者们说，如果我们有环保科技行业的摩尔定律，我们可以迅速从石油时代过度到清洁能源时代。 　　何谓摩尔定律?摩尔定律是英特尔创始人戈登摩尔创造的，即每18个月，晶体管的数量会翻番，40年来，这一定律屡试不爽。 　　上周，我在采访美国国防部高级研究计划署E奖金获得者时，问能源部长Steven Chu，是否环保科技行业也存在摩尔定律。Chu上周表示，美国需要采取措施加快清洁技术领域的创新，他说，中国正在迅速拥抱能源技术。 　　他认为，摩尔定律有类似的可比性，但要适用于环保科技行业，需要一些条件。 　　他说：“事实上，每种科技都遵循一种摩尔定律，这包括能源科技。我的意思是，如果你投入巨资，成本将以指数级方式下降。不过，话虽如此，各个领域的摩尔定律是不同的。” 　　例如，在太阳能光电领域，每瓦特光电装置安装的成本大约是4美元。未来几年，这一成本将下降至2美元，但如果这一数字下降至1美元，那么太阳能电力将普及，补贴也将取消。 　　不过，从2美元下降到1美元，你无法依靠现有的生产厂来完成。这就是环保拥护者们呼吁联邦政府需要长期对清洁能源研究进行投资的原因。 　　他说：“研究绝对是必要的，因为我们目前的技术无法将成本降到1美元。从4美元降到3美元，仅仅需要生产率提高，大规模生产，如此等等，但要达到1美元的成本，你真的需要新的点子，更好的性能。” 　　技术乐观派 　　越来越多的人认为美国应该取得这样的技术突破。 　　上周，总统科技顾问团建议，美国应出台一个4年清洁能源创新促进计划。美国创新委员会也建议说，能源研究投入要以三倍以上的速度进行才行，该机构成员包括洛克西勒马丁公司CEO Norman Augustine，比尔盖茨，风险资本家John Doerr，通用电气CEO Jeff Immelt。 　　媒体专栏作者Thomas Friedman在其专栏中已经使用摩尔定律来衡量环保科技行业有些时日了。年初，他撰文说，电动汽车每英里成本每18个月下降一半，该论调获得了电动车公司Better Place CEO Shai Agassi的支持。 　　英特尔环保科技集团总经理Lori Wigle今年初表示，英特尔准备将摩尔定律引入电网行业。通用电气环保部门前CEO Steve Fludder表示，像“直驱风力涡轮机”与薄膜太阳能电池等新技术证明，能源科技能够遵循半导体行业的规律。 　　就在几年前，LED照明还过于昂贵，不适合家庭使用。现在，LED制造商们表示，LED照明生产与质量已经进入一个新时代，厂商们能够大批量的制造与销售LED灯。根据“Haitz定律”，LED产出每18个月会翻番，两年间，原来40美元或50美元的60瓦LED灯价格已经下降至10美元。 　　不需要小型化 　　不过，假如着眼整个绿色环保科技行业，摩尔定律的局限性就凸显出来了。摩尔定律创建了一套很好的理想模式，一种快速改进技术的激励方式。但能源行业与半导体行业存在某些本质上的差别。 　　首先，想想信息技术已经在你的生活中发生了多么巨大的改变吧。还有人记得用现在已经绝迹的IBM PC，128bit 调制解调器上网的情形吗?即使不是数字行业熟手的人也吃惊于计算能力在我们时代发生的巨大改变，再看看今天的手机，平板电脑等强大数码产品吧。 　　相反，清洁能源的进步，从木材到煤炭，再到石油，这一过程花了好几十年的时间。科学与工程历史小说作者Vaclav Smil就对清洁能源迅速普及泼了冷水，他认为，行业架构越大，变革就来得越缓慢。 　　另外，小型化对能源技术没有裨益，这一点与电脑行业不同。为了降低电力成本，一块太阳能电池需要更有效率的将光能转化为电能，并且让制造与安装这种电池的成本变得更便宜。电池体积的减小会降低捕捉光能的面积，因此体积的变小不是太阳能电池设计的主要考虑重点。 　　部分环保科技行业的专家并不看好摩尔定律在这一行业发挥魔力。IBM一位重要能源存储科学家9月在接受采访时说，当谈论电池时，忘了摩尔定律吧，两者没有相似性。 　　就连技术乐观派的比尔盖茨年初也说，IT行业已经让人们想当然的认为其它行业的技术将发生迅速变革。 　　盖茨说：“我们都被IT模式给宠坏了，并且搞糊涂了，指数级的改进，这种事情很难发生，尤其是电池，它具有严重的物理局限性。我正在资助5个电池初创企业，这一行业可能会有50家公司脱颖而出，但这是一个相当困难的问题。可能无法以任何一种经济方式来解决这一问题。” 　　再举非食物制成的生物燃料为例。一些前IT行业专家转入生物燃料的开发，他们希望能快速制成产品，投放市场，但在可以预见的时间内，还没有人能将这一技术商业化。 　　展望未来 　　那么，比尔·盖茨都说电池等事物并不会遵循摩尔定律，这是否意味着我们的能源系统将仍然停留在19世纪的水平?不是的。 　　比如，很多科学家在致力能源存储研究，能源存储的效率在提高。效能的改进为未来清洁能源技术的研究，实施奠定了基础，不过，能源行业的绝大多数研究需要很长的时间。 　　资金与政治也是讨论的要素。与能源相关的技术开发需要投入大量的资本，这些钱的规模远超开发一项成功的网络服务。风险资本家John Doerr指出，燃料电池厂商Bloom Energy已经提出至少2.5亿美元资金申请，而Google在上市前获得的资本仅有2500万美元。 　　另外，政策的变革也比较缓慢。 Google前清洁能源专家Dan Reicher说：“即使技术上取得了进步，政策与资本的跟进也不见得快。” 　　要说明的是，承认清洁能源时代的到来要花很长时间，并不意味着我们应当烦恼。我们应当明白清洁能源体系建设的困难性，要以打持久战的态度从事相关研究。  

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  • 2010全球半导体收入超3千亿，十大厂商贡献多

        根据全球技术研究和咨询公司Gartner的初步调查，在经历了全球经济衰退之后，2010年全球半导体市场出现反弹，总收入达到了3,003亿美元，比2009年增长了31.5%。     Gartner 半导体研究总监Stephan Ohr先生表示：“2010年半导体市场受系统制造商因库存耗尽而争先恐后购买零件这种被抑制了的需求所推动。集成设备制造商(IDM)与晶圆代工厂商也 都在积极扩大产能。第三季度，随着需求放缓及消费者信心减弱，交货时间放缓下来，库存慢慢开始累积。不过，半导体供应商正在努力解决积压订单，2010年 将成为半导体行业标志性的一年。”     2010年，半导体市场与2009年下滑10%相比有一个反弹。2010年半导体行业整 体收入增长了719亿美元，这是半导体行业在任何单一年份中最大的增长。历史上仅有1988年，1995年和2000年这3次在单一年份中收入增长超过 30%。今年半导体行业收入高达3,000亿美元，成为该行业里程碑式的业绩。     2010年，英特尔成为连续19年排名第一的 厂商，但其市场份额从2009年的14.2%下降到今年的13.8%(见表1)。随着个人电脑市场在2010年下半年强劲的库存预期，英特尔在今年上半年 出现强劲增长，但是随着消费者信心减弱，第三季度增长势头减弱。上网本的销售，英特尔这一一支独秀的领域，尤其令人失望。 表1：全球前十大半导体厂商收入预估排名(百万美元)。     2010 年，三星电子、东芝和德州仪器表现抢眼，在十大榜单中分别占据第二、第三和第四的位置。由于三星在蓬勃发展的DRAM和NAND闪存市场上表现活跃，该公 司年度增长强劲。内存销售占据该公司80%的销售份额。东芝在用于移动设备和离散、ASIC和ASSP业务的NAND闪存业务上获得增长。2010年是德 州仪器收获颇丰的一年，该公司半导体业务整体收入增长35.2%，模拟业务收入增长超过41%。     新进入前十大榜单的瑞萨电子在今年排名第五，该公司是NEC电子与瑞萨科技于2010年4月1日合并而成。此外，在前十大榜单中，美光科技上升了5个排名，以第八位的身份跻身榜单，这主要归功于其收购了Numonyx，这使得该公司在2010年能获得Numonyx后三个季度的销售。FN: EECOL_2010DEC13_MFG_STOR_NT_03     PUD: 22186     FORMAT: HTML     ORG: Gartner,三星电子,东芝,德州仪器,瑞萨电子,美光科技     COUNTRY: China,world     KW: 十大半导体,Numonyx,美光科技     LINK_KW: DRAM,NAND闪存,ASIC,ASSP     DES: 根据全球技术研究和咨询公司Gartner的初步调查，在经历了全球经济衰退之后，2010年全球半导体市场出现反弹，总收入达到了3,003亿美元，比2009年增长了31.5%。     TITLE: 2010全球半导体收入超3千亿，十大厂商贡献多     根据全球技术研究和咨询公司Gartner的初步调查，在经历了全球经济衰退之后，2010年全球半导体市场出现反弹，总收入达到了3,003亿美元，比2009年增长了31.5%。     Gartner 半导体研究总监Stephan Ohr先生表示：“2010年半导体市场受系统制造商因库存耗尽而争先恐后购买零件这种被抑制了的需求所推动。集成设备制造商(IDM)与晶圆代工厂商也 都在积极扩大产能。第三季度，随着需求放缓及消费者信心减弱，交货时间放缓下来，库存慢慢开始累积。不过，半导体供应商正在努力解决积压订单，2010年 将成为半导体行业标志性的一年。”     2010年，半导体市场与2009年下滑10%相比有一个反弹。2010年半导体行业整 体收入增长了719亿美元，这是半导体行业在任何单一年份中最大的增长。历史上仅有1988年，1995年和2000年这3次在单一年份中收入增长超过 30%。今年半导体行业收入高达3,000亿美元，成为该行业里程碑式的业绩。     2010年，英特尔成为连续19年排名第一的 厂商，但其市场份额从2009年的14.2%下降到今年的13.8%(见表1)。随着个人电脑市场在2010年下半年强劲的库存预期，英特尔在今年上半年 出现强劲增长，但是随着消费者信心减弱，第三季度增长势头减弱。上网本的销售，英特尔这一一支独秀的领域，尤其令人失望。 表1：全球前十大半导体厂商收入预估排名(百万美元)。     2010 年，三星电子、东芝和德州仪器表现抢眼，在十大榜单中分别占据第二、第三和第四的位置。由于三星在蓬勃发展的DRAM和NAND闪存市场上表现活跃，该公 司年度增长强劲。内存销售占据该公司80%的销售份额。东芝在用于移动设备和离散、ASIC和ASSP业务的NAND闪存业务上获得增长。2010年是德 州仪器收获颇丰的一年，该公司半导体业务整体收入增长35.2%，模拟业务收入增长超过41%。     新进入前十大榜单的瑞萨电子 在今年排名第五，该公司是NEC电子与瑞萨科技于2010年4月1日合并而成。此外，在前十大榜单中，美光科技上升了5个排名，以第八位的身份跻身榜单， 这主要归功于其收购了Numonyx，这使得该公司在2010年能获得Numonyx后三个季度的销售。

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