晶圆双雄台积电(2330)、联电昨(10)日公布11月营收同步走弱,反映淡季冲击,台积电为443.3亿元,月减14.4%,终结连四月成长,是今年4月来新低;联电为103.45亿元,月减1.17%,连续第四个月下滑。 台积电11月
近日,中国半导体行业协会执行副理事长徐小田在中国国际半导体博览会暨高峰论坛新闻发布会上发言表示,国家在支持集成电路(IC)产业发展或有大手笔,新政策力度要远超“18号文件”。 业内人士透露,目前
据seekingalpha.com报道,英特尔在分析师会议上表示,如果有意义,该公司将为对手代工芯片。尽管部分投资者对此欢欣鼓舞,但从财务角度看,英特尔为对手代工芯片意义不大。按每块晶圆带来的营收(一个非常重要的指标)
LED照明公司台湾半导体照明(tslc)以高功率LED灯珠,独步台湾采用晶圆级LED氮化铝基板封装制程,提供高性价比的解决方案。台湾半导体照明将于12月20日举行新厂落成及新产品发表会,发表独特先进贴片式及喷墨式萤光粉涂
LED照明公司台湾半导体照明(tslc)以高功率LED灯珠,独步台湾采用晶圆级LED氮化铝基板封装制程,提供高性价比的解决方案。 台湾半导体照明将于12月20日举行新厂落成及新产品发表会,发表独特先进贴片式及喷墨式萤光
12月2日,据seekingalpha.com报道,英特尔在分析师会议上表示,如果有意义,该公司将为对手代工芯片。尽管部分投资者对此欢欣鼓舞,但从财务角度看,英特尔为对手代工芯片意义不大。按每块晶圆带来的营收(一个非常重
12月2日,据seekingalpha.com报道,英特尔在分析师会议上表示,如果有意义,该公司将为对手代工芯片。尽管部分投资者对此欢欣鼓舞,但从财务角度看,英特尔为对手代工芯片意义不大。按每块晶圆带来的营收(一个非常重
随着12月份订单陆续敲定,第四季全球太阳能市场走势可望淡季不淡。根据全球市场研究机构TrendForce旗下绿能事业处EnergyTrend的观察显示,2014年第一季整体太阳能市场需求可望维持高档,加上需求持续往高效产品移动,
据报道,德国半导体制造商Azzurro展示了‘1-bin’波长的LED晶圆,该技术可以做到少于3nm波长一致性生产数值,并在开发中得到1nm的结果。该公司表示,该破纪录的1nm成功表明AZZURRO的技术有能力做出‘
英特尔宣示将抢进晶圆代工市场,市场预期恐威胁台积电,但外资券商美林及麦格里仍力挺台积电,认为尽管英特尔愿意帮对手代工,恐怕也很难获得对手认同,且争取高通及苹果手机芯片的难度也高,短期内仍无法威胁台积电
英特尔宣示将抢进晶圆代工市场,市场预期恐威胁台积电(2330),但外资券商美林及麦格里仍力挺台积电,认为尽管英特尔愿意帮对手代工,恐怕也很难获得对手认同,且争取高通及苹果手机芯片的难度也高,短期内仍无法威
当前,国家已经确定将出台政策扶持集成电路芯片行业,该计划由工信部主导,目前已经进入攻坚阶段,在四季度方案有望定稿,并送交高层审批,正式发布时间可能稍晚。此次新政计划将重点在芯片制造、芯片设计、芯片封装
台股今收高68点,台股连跌10个交易日及暌违7天后再重回季线,其中高价电子股联发科、大立光和最大权值股台积电稳盘居功厥伟,专家指出,台积电增加本土晶圆耗材比例,半导体设备及耗材股今强势上涨,台积电概念股中砂
法人预估,封测大厂南茂第4季大尺寸面板驱动IC封测出货稳健。观察南茂第4季各封测产品出货,法人表示,第4季平价和高阶智能型手机市场需求偏缓,小尺寸面板驱动IC出货偏弱,部分牵动南茂第4季小尺寸面板驱动IC封测拉
近日,中国半导体行业协会执行副理事长徐小田在中国国际半导体博览会暨高峰论坛新闻发布会上发言表示,国家在支持集成电路(IC)产业发展或有大手笔,新政策力度要远超“18号文件”。业内人士透露,目前国家
台股今收高68点,台股连跌10个交易日及暌违7天后再重回季线,其中高价电子股联发科、大立光和最大权值股台积电稳盘居功厥伟,专家指出,台积电增加本土晶圆耗材比例,半导体设备及耗材股今强势上涨,台积电概念股中砂
当前,国家已经确定将出台政策扶持集成电路芯片行业,该计划由工信部主导,目前已经进入攻坚阶段,在四季度方案有望定稿,并送交高层审批,正式发布时间可能稍晚。 此次新政计划将重点在芯片制造、芯片设计、芯片
近日,中国半导体行业协会执行副理事长徐小田在中国国际半导体博览会暨高峰论坛新闻发布会上发言表示,国家在支持集成电路(IC)产业发展或有大手笔,新政策力度要远超“18号文件”。业内人士透露,目前国家
LED半导体照明网讯 Yole Développement预计,毫无疑问,LED技术的市场份额将会超过传统灯泡和光管业务。LED厂商最近发布的新闻(比如LED光效超过150lm/W)证明了LED性能已与传统灯泡和光管差不多。块体氮化镓
21ic讯 宽禁带半导体是尖端军事和节能产业的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体凭借击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点,能够大幅提升电