Globalfoundries 55nm LPe制程适合低电压应用

Globalfoundries宣布将公司的55奈米(nm)低功率强化(LPe)制程技术平台持续向上提升，推出具备 ARM 新一代记忆体和逻辑 IP 解决方案的 55nm LPe 1V 。55nm LPe 1V 是唯一支援 ARM 1.0/1.2V 实体 IP 资料库的先进制程节点，可让晶片设计人员使用单一制程，在单一系统单晶片(SoC)下支援两种作业电压。
Globalfoundries产品行销部副总裁 Bruce Kleinman 表示：「这款 55nm LPe 1V 产品最主要的优点是，无论是要设计 1.0V 或 1.2V 的电源选项，都能使用相同的设计资料库。也就是说，只需要采用同一套的设计规则和模式，无需额外的光罩层或特殊制程。如此不只可降低成本，提高设计弹性，更能维持一致的电源和最佳化功能。」

Globalfoundries 的 55nm LPe 1V 采用 ARM 1.0V/1.2V与记忆体编译器，方便设计人员将速度、电源及/或面积等设计最佳化，尤其对在系统单晶片解决方案的设计上受到电力限制的设计人员来说更为有利。

Globalfoundries 的先进 55nm LPe 制程，为结合 ARM 所提供完整经过矽晶片验证的 8-track、9-track 和 12-track 资料库平台，加上高速和高密度的记忆体编译器。

ARM 实体 IP 部门行销副总 John Heinlein 表示：「1V 和 1.2V 作业的整合，加上支援级的位移逻辑，将是低功率、高效能和小晶片面积的最佳组合。双电压域特性支援，搭配 Artisan 新一代记忆体编译器架构，相较于前一代解决方案，能减少 35% 以上的动态及漏电功率。」

55nm LPe 1V 尤其适用于大量、采电池供电的行动消费性装置，还有各种环保或节能产品。产品开发套件和电子设计自动化工具现已供应，同时也提供晶圆共乘(MPW Shuttle)。

Artisan 记忆体提供弹性的制程选项，全球出货量高达数十亿组。延续 Artisan 65nm 至 20nm 实体 IP 平台的多样化系列，这些新一代记忆体内含低电压和待机模式，能够延长电池寿命，提供可将处理器速度提升至最高的超高速快取记忆体，同时也采用专利设计技术，缩小低成本系统单晶片的设计面积。