MOSFET
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凌力尔特理想二极体桥式控制器适于军事与汽车应用
凌力尔特(Linear Technology Corporation)日前发表用于9V至72V系统的汽车(H等级)及高可靠性军事(MP-grade)等级的理想二极体桥式控制器 LT4320 ，该元件可透过低损耗 N 通道 MOSFET 电桥取代全波桥式整流器，以降低10
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工程师该如何选择电源？
[导读] 在移动系统的另一端，大型高可用性服务器机架内至少有两个电源，以在任何一个电源出故障时，保持服务器正常运行。 关键词：供电处理器LTC4417LTC4370LTC4352电源
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凌力尔特MOSFET驱动器不需讯号变压器
凌力尔特(Linear Technology)发表高效率二次侧金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)驱动器LT8311。新元件省去隔离式同步顺向转换器所须的一次侧控制，透过感测二次侧讯号来控制同步整流；Preactive模式不须讯号变压器
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Linear发表反驰式二次侧同步整流器驱动器
凌力尔特(Linear Technology)发表反驰式二次侧同步整流器驱动器 LT8309 ，可透过 MOSFET取代输出二极体，以达到10A输出电流并无需散热片。当不使用散热片时，反驰电源的最大输出电流是由功耗和输出二极体产生的热而限
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Vishay MOSFET荣获《今日电子》2013年度产品奖
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第六届年度产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装
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Vishay MOSFET荣获《今日电子》2013年度产品奖
采用超薄PowerPAK® 1212-8S封装的-20V P沟道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第
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Linear 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311，该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311 采用独特的
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德州仪器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大电流电机控制及电源设计
最新中压功率 MOSFET 采用 TO-220 封装包括最低导通电阻 80V 及 100V 器件德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 输入电
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Vishay发布用于电机控制等高压应用的宽体IGBT和MOSFET驱动器
新器件的最短外爬电距离为10mm21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和
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士兰微为什么要自己做芯片制造?
【导读】多年来，集成电路行业一直呈现高速增长态势，集成电路的规模、速度不断提高。然而随着世界范围内集成电路生产线的大量建立，集成电路的发展也呈现周期性趋势。一旦大量集成电路生产线建立起来以后，集成电路
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TRINAMIC推出适用于步进电机的全新MOSFET产品线
TRINAMIC宣布，推出一系列分立MOSFET集成电路芯片，这个系列是特别为TRINAMIC的热门电机驱动和预驱动芯片而设计的互补型产品。该全桥/半桥MOSFET封装是驱动线圈电流峰值在2.5A至5.5A，电压30V至60V之间的步进电机的理
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Vishay：开发中国重点市场
??? 近日，Vishay中国高级销售总监卢志强在接受《中国电子报》记者采访时表示，因为中国市场相较其他国家增长速度更快，所以竞争非常激烈，并将继续带来许多挑战。由于4G的兴起、电动车细分市场对新能源解决方案的需
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Linear 推出汽车 (H 级) 和高可靠性军用 (MP 级) 版本 LT4320
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出汽车 (H 级) 和高可靠性军用 (MP 级) 版本 LT4320，该器件是一款理想二极管桥控制器，适用于 9V 至 72V 系统。
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Vishay发布采用ThunderFET技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET
采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封装的100V N沟道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面积为5mm x 6mm21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布首颗通过AEC-Q1
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常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动 功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极
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用于车载USB供电的NCV8852
一 前言在目前的车载娱乐系统中，USB接口已经成为系统的标配。随着大电池容量的便携设备的流行，做为车载充电接口的USB电源，需要提高更大的电流以满足设备的需要。目前主流
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飞兆的中压MOSFET采用空间节省型封装可优化电能应用
2014年2月13日 –许多终端应用 – 比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在
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Vishay发布采用PowerPAIR® 封装的高性能非对称双片TrenchFET® MOSFET
下一代器件的最大RDS(ON)降低57%，提高了转换效率21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术
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Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET MOSFET SiZ340DT
采用PowerPAIR封装，最大RDS(ON)降低57%，提高了转换效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术
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基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
绝缘体上硅（Silicon On Insulator,简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构，并且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压（Vt
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