MOSFET
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高效高可靠LED灯具设计的五个忠告
2011年，澳大利亚已经率先禁止使用白炽灯，这为LED灯具的大规模普及揭开了序幕，另外，随着欧盟各国、日本、加拿大等国家将在2012年禁止使用白炽灯，LED灯具的照明普及率会进一步提升，这让掘金绿色照明革命的中国数
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LED驱动器基本拓扑的设计挑战
在考虑使用LED驱动器将AC输入电压转换为用于LED负载的恒定电流源的拓扑时，将LED应用分为三种功率水平是有帮助的：(1)低功率应用。要求输入低于20W，例如灯条、R灯和白炽灯的替换品;(2)中等功率应用。输入最高为50W，
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LED驱动器基本拓扑的设计挑战
在考虑使用LED驱动器将AC输入电压转换为用于LED负载的恒定电流源的拓扑时，将LED应用分为三种功率水平是有帮助的：(1)低功率应用。要求输入低于20W，例如灯条、R灯和白炽灯的替换品;(2)中等功率应用。输入最高为50W，
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LED驱动器基本拓扑的设计挑战
在考虑使用LED驱动器将AC输入电压转换为用于LED负载的恒定电流源的拓扑时，将LED应用分为三种功率水平是有帮助的：(1)低功率应用。要求输入低于20W，例如灯条、R灯和白炽灯的替换品;(2)中等功率应用。输入最高为50W，
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车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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高效高可靠LED灯具设计的五个忠告
2011年，澳大利亚已经率先禁止使用白炽灯，这为LED灯具的大规模普及揭开了序幕，另外，随着欧盟各国、日本、加拿大等国家将在2012年禁止使用白炽灯，LED灯具的照明普及率会进一步提升，这让掘金绿色照明革命的中国数
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车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
0 引言近几年，随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度、较大的电流
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华润上华成功开发600V和1700V IGBT工艺平台
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管
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JFET-MOSFET耳机电路图
一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机电路图 JFET-MOSFET耳机电路图
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尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
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MOSFET的驱动保护电路的设计与应用
摘要：率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配
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五种降低离线反向电源功耗的方法
就电源而言，要想满足当今苛刻的效率要求是颇具挑战性的。光是理解终端设备、电源点评以及管理机构间众多不同的计划和指令就已经很困难了。这些指令包括能源指令、加利福尼亚能源委员会以及欧盟待机效率倡议等。然而
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五种降低离线反向电源功耗的方法
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IGBT系统的介绍
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功
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IGBT系统的介绍
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