MOSFET
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LED照明普及所需解决的问题
众所周知，LED以其无与伦比的节能、环保、长寿命、可控性高等技术优势，成为近年来全球最具发展前景的高新技术之一，正式拉开全面替代传统照明的序幕，半导体照明技术革新正在改变百年传统照明历史。随着LED技术在照
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飞兆半导体推出40V N沟道PowerTrench® MOSFET
21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench® MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。FDB9403利用飞兆半导体的屏蔽栅极技术，改进了电阻并降低了电容。 该器件的RDS(ON) 比其最直接竞争
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国产IGBT厂商开始小批量销售
“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件，受到了国家的重
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晶片商抢推高整合LED驱动器
半导体业者竞相开发高整合度发光二极体(LED)照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)产能吃紧之下，LED照明系统商正面临出货递延的窘境，因此晶片商正加紧发表整合高压MOSFET的LED照明驱动IC方案，
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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vi
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罗姆在新一代功率元器件领域的飞跃发展与前沿探索
前言在功率元器件的发展中，主要半导体材料当然还是Si。同样在以Si为主体的LSI世界里，在“将基本元件晶体管的尺寸缩小到1/k，同时将电压也降低到1/k，力争更低功耗”的指导原理下，随着微细加工技术的发展，实现了开
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第14届高交会：成启，把握产业转移发展契机
纵观功率半导体行业，与功率集成电路产业主要被国外厂商把持的情况不同，国内功率器件行业受技术、资金、产品认可度等因素的制约相对有限，因此能够保持高速增长的态势。作为一家新兴企业，广州成启半导体有限公司是
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汽车电源过压保护电路
典型的汽车电源架构图1给出了一个典型的汽车电源简化框图，主要包括以下几个单元：源保护电路：限制+12V电源总线的正向电压，并阻止产生负压。有源保护电路：该限压器功能与
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Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。新器件集成了关断电路，因此不需要外部的关断元
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Linear双组Hot Swap控制器LTC4226 实现弹性限流
凌力尔特(Linear Technology )发表双组 Hot Swap控制器LTC4226，可安全地使电路板插入操作中的4.5V至44V背板。LTC4226可控制外部N通道MOSFET以和缓地启动电路板、避免导致火花、连接器损坏和系统故障，每个电源配备断
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新颖的均流IC 可轻松平衡两个电源
“只许成功，不许失败”—— 对于当今那些始终保持正常运转的电气基础设施 (电信网络、互联网和电网等) 的设计师而言，这很可能是他们的座右铭。问题是
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普及LED灯具应该必备的设计方法
一种全新概念的固态光源，LED以其无与伦比的节能、环保、长寿命、可控性高等技术优势，成为近年来全球最具发展前景的高新技术之一，正式拉开全面替代传统照明的序幕，半导体照明技术革新正在改变百年传统照明历史。随
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锂电池保护电路工作原理
电路具有过充电保护、过放电保护、过电流保护与短路保护功能，其工作原理分析如下：1 正常状态在正常状态下电路中N1的“CO“与“DO”脚都输出高电压，
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飞兆半导体连续两年获颁伊顿最佳供应商奖
全球领先的高性能功率和移动解决方案供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 连续两年获颁伊顿亚太区的 2012 年亚太区最佳供应商奖。 伊顿 (Eaton) 公司总部位于美国，并在上海设有亚太区总部，该公司是为单
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飞兆半导体荣获中国Top-10电源产品奖
21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，该公司在全国领先电子行业媒体《今日电子》与21ic举办的Top-10电源产品奖中，荣获“最佳开发奖”。飞兆半导体凭着FDPC8011S 25V双功率芯片非对称N
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Vishay Intertechnology推出两款低导通电阻MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si54
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同步降压MOSFET电阻比的选择
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组
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恩智浦发布汽车认证双通道Power-SO8 MOSFET
21ic讯 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日发布了LFPAK56D产品组合——多款双通道Power-SO8 MOSFET，专为燃油喷射、ABS和稳定性控制等汽车应用而设计。恩智浦LFPAK56D系列产品完全符合AEC-Q101标
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USB充电解决方案：高效 AC 适配器
通用串行总线(USB)充电已经成为小型电子产品的一种常见供电方法。许多新型消费类电子设备(例如：智能手机、平板电脑、电子阅读器等)的AC电源适配器/电池充电器的功率范围均
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如何为具体应用选择恰当的MOSFET
虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上
