MOSFET
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冲电气（OKI）向安森美半导体欧洲工厂提供排气处理设备
东京, 2013年3月12日 - (亚太商讯) - 冲电气（OKI）报导，冲电气集团（OKI）旗下的提供可靠性评估和环保技术服务的冲工程技术株式会社（社长：浅井裕，总公司：日本东京都练马区，以下简称“OEG”）向半导体生产厂商
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东芝将为移动设备的直流-直流转换器推出高速双N沟道MOSFET
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)宣布，该公司为智能手机和平板电脑等移动设备的大电流充电电路高速开关推出一款低电容双N沟道MOSFET。随着智能手机、蜂窝手机、平板电脑和笔记本电脑等移动设备不断增添新功能
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TL5001做的10V转5V电路，大电流
TL5001另外一个降压电路，10V降压至5V，电流3A，功率不小，使用贴片的N沟道MOSFET.体积很小。驱动具有自举哦。要不能只能使用P沟道的MOSFET了，其实P沟道的MOSFET不常用，如
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Yole ：SJ MOSFET优势明显 市场前景大好
市场研究机构 Yole Developpement 推出超接面金氧半场效电晶体(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET)的市场更新报告，深度剖析高压(400伏特以上) SJ MOSFET 市场指标与预测
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MOSFET结构及工作原理
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管
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IR推出AUIR3200S MOSFET驱动IC为汽车继电器更换和电池开关提供更佳保护和诊断功能
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用AUIR3200S MOSFET 驱动IC。新产品具有全面保护和诊断功能，为继电器更换和电池开关应用提供更高的可靠性
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数字和模拟电源分合有道
只要是电子设备，就离不开电源。相对于高速发展的MCU和射频等技术，电源IC尽管发展很慢，但也从早期的线性电源占主导地位，发展到模拟开关电源占统治地位，再到数字电源的出现改写了电源市场的格局。 数字和模
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MOSFET在单通道降压转换器驱动投影仪RGB LED的应用
本应用笔记提供了一个低功耗投影仪RGB LED驱动器的参考设计。基于单芯片MAX16821构建大电流LED驱动器，能够为一组降压驱动的RGB LED提供高达10A的电流，通/断时间小于1us。
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飞兆半导体公布2012年度报告 总收入14亿美元
飞兆半导体日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年财报。财报显示，飞兆半导体四季度销售额为3.334亿美元，环比下降7%同比下降2%。季度亏损1360万美元，经过调整后的净利润为1230万美元，毛利率为29.8%。2012年
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罗姆半导体正式量产碳化硅MOSFET模组
日本半导体制造商 ROHM 已正式将适用于工业装置、太阳能发电功率调节器（Power conditioner）等变流器/转换器（inverter/converter）的碳化硅（SiC） MOSFET 模组（额定规格1200V/ 180A）投入量产。该模组采用了将功
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飞兆半导体公布2012年度财报 总收入14亿美元
飞兆半导体日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年财报。财报显示，飞兆半导体四季度销售额为3.334亿美元，环比下降7%同比下降2%。季度亏损1360万美元，经过调整后的净利润为1230万美元，毛利率为29.8%。2012年
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飞兆半导体2012年总收入14亿美元
飞兆半导体日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年财报。 财报显示，飞兆半导体四季度销售额为3.334亿美元，环比下降7%同比下降2%。季度亏损1360万美元，经过调整后的净利润为1230万美元，毛利率为29.8%。2012年
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常用功率器件MOSFET基础介绍
我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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东芝推出新款IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器
工作温度范围为-40°C至125°C，有助于减少逆变电路的死区时间，提高效率东芝公司(Toshiba Corporation今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的
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选择最佳MOSFET的方法
MOS管现在在很多注重电源性能的便携产品中越来越多用来替代二极管用于同步整流，但是如何选型非常讲究，相信大部分童鞋都不太有底，特别是面对众多供应商、各种产品型号、多种参数，等等。以英飞凌的低压MOS管为例，
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中科院宣布成功开发22nm MOSFET
中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得进展，成功制造出高K金属闸MOSFET 。中科院指出，中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根据中科院微电子研究所积体电路先导工艺研发？？
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数字电源控制技术新保障 不依赖数字控制信号的MOSFET驱动器
UCD9110或UCD9501等新上市的数字电源控制器需要具备新型的智能型集成MOSFET驱动器的支持。电源设计人员仍然对数字电源控制技术心存疑虑。他们经常将PC的蓝屏现象归咎于软件
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第三代半导体材料双雄并立，难分高下
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）——并称为第三代半导体材料的双雄。Si
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飞兆半导体推出600V N沟道SuperFET® II MOSFET系列产品
21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET® II MOSFET系列产品，帮助设计人员解决这些挑战。SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以两种产品系列推出，这些MOSFET的输出电容具有
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如何提升数字控制电源性能？MOSFET驱动器有办法
如何提升数字控制电源性能？MOSFET驱动器有办法
