MOSFET
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闭环速度控制
闭环速度控制
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数字控制提高了直流-直流转换器的效率
随着能源价格的上涨和各项“环保”计划的成功开展，私营公司和政府监管部门对电源制造商的要求逐渐提高。欧盟委员会(欧盟(EU)的执行机构)和美国环境保护署(EPA)对服务器电源的要求进一步升级，现已涵盖各种
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安森美推出两款新的LGA封装MOSFET 助力提高移动设备能效及电池使用时间
单节及双节锂离子电池充电/放电保护电路因高性能倒装芯片MOSFET而受益21ic讯 安森美半导体 (ON Semiconductor) 推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为
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增强型N沟道场效应管(MOSFET)的电池反接保护电路
功率场效应管(MOSFET)典型应用电路1.电池反接保护电路电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工 作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电
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场效应管常见问题与解答
1 场效应管的性能与双极型三极管比较具有哪些特点?答：场效应管是另一种半导体放大器件。在场效应管中只是多子参与导电，故称为单极型三极管;而普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型
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基于MC33262的高功率因数AC/DC变换器研制
以功率因数控制芯片MC33262 为核心,设计了一种宽电压输入范围、固定升压输出的150 W 的AC/ DC 变 换器. 对该变换器用有源功率因数校正(APFC) 技术、MC33262 芯片的原理和结构做了详尽的分析和讨论. 实验结果表明所设计的以MC33262 为核心的有源功率因数校正器能在95～250 V 的宽电压输入范围内得到非常稳定的400 V 直流电压输出,并使得功率因数达到0. 99 以上,总谐波畸变降低至6 %.
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数字控制提高了直流-直流转换器的效率
随着能源价格的上涨和各项“环保”计划的成功开展，私营公司和政府监管部门对电源制造商的要求逐渐提高。欧盟委员会(欧盟(EU)的执行机构)和美国环境保护署(EPA)对
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英飞凌推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外，得
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飞兆半导体的四路MOSFET解决方案提高了效率，解决了有源整流桥应用中的散热问题
单个封装中的四个60V MOSFET可提高系统效率，替代二极管整流桥，实现紧凑的设计并节省电路板空间21ic讯 高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质
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搭配电感拓扑，利用小讯号MOSFET降低电源转换功耗
现代的电子装置设计须提供多个不同的直流(DC)电压，导致内部电路须透过升压与降压方式转换电压，为装置中负责不同功能单元供电;其中，在高效率DC-DC电源转换设计方面，以电
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针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器
引言对电能转换而言，可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中，开关型功率转换器通常为非隔离式，功率水平相当低(<200 W)，并且常常会把电
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常用功率器件MOSFET的基础知识介绍
我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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新日本无线推出一款内置MOSFET降压型开关稳压器 NJW1933
新日本无线株式会社开发出了一款600mA, 500kHz的小型封装降压型开关稳压器 NJW1933，该稳压器最适于逆变器、程控器等产业设备电源及汽车电子配件。此产品已经开始进入生产阶
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东芝：恪守电源设备承诺
东芝公司(Toshiba)(TOKYO:6502)：电源设备为战略性产品，是分立器件部门的主推业务。在电源电子领域，东芝的重点放在MOSFET和IGBT的开发上，它们是保证高效稳定供电所不可或缺的设备，也是促进智能社区繁荣的先决条件
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东芝推出600V系统超级结MOSFET DTMOSIV高速二极管系列
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产
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在半桥谐振转换器中提升次级端同步整流器功率效率的控制方法分析
温室效应和日渐枯竭的地球资源使得功率电路设计中的节能要求变得越来越重要。设计人员正在寻求效率更高、功耗更低的解决方案，以期减少不必要的能量损失。利用谐振电感和谐
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估算热插拔MOSFET的瞬态温升（2部分）
本文中，我们把图 1 所示模型的瞬态响应与图 3 所示公开刊发的安全工作区域(SOA 曲线)部分进行了对比。 图 1 将散热容加到 DC 电气模拟电路上根据 CSD17312Q5 MOSFET、引线
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MOSFET功率整流桥电路
本电路一定要使用的分隔，或1%的电阻，甚至0.1%的电阻。周围的TL084控制电路是由整流电压供电，所以一个辅助电源是不必要的。
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简易V-MOSFET调光灯电路
简易V-MOSFET调光灯电路
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科锐宣布量产第二代碳化硅 MOSFET器件
显著降低电源转换系统成本 新型器件可提供双倍A/$ 碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅MOSFET器
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