MOSFET
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MOSFET驱动器及功耗计算方法
我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容
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简析高压背光逆变器改善液晶电视性能
数字电视在全球范围的应用，让消费者体验到以往CRT电视所没有的高分辨率。液晶电视则是发挥数字电视优势的下一代家电设备。因而消费者正不断需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、价格更低的电视机。采用高压背
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简析高压背光逆变器改善液晶电视性能
数字电视在全球范围的应用，让消费者体验到以往CRT电视所没有的高分辨率。液晶电视则是发挥数字电视优势的下一代家电设备。因而消费者正不断需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、价格更低的电视机。采用高压背
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准谐振反激的原理介绍及应用参数计算
如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会
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用于反激变换器中BIMOSFET的相关性能
1 引言反激变换器一个典型的应用场合是在逆变器中给IGBT的驱动提供辅助电源。此时反激变换器的开关管需要有比较高的击穿电压和快的开关速度。为了降低开关损耗，开通和关段的能量也要小。BIMOSFET的一个主要的优点就
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双低电压理想二极管控制器
LTC 4353控制外部N沟道MOSFET来实现一个理想的二极管功能。它取代了两个高功率肖特基二极管和其相关的散热器，节省功耗和电路板面积。理想二极管的功能，允许低损失电源ORing和供应滞留应用的。LTC4353调节横跨正向
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恩智浦推出全球首款2mmx2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET
恩智浦半导体(NXP)近日推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN (分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。 即将
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为升压转换器提供关断功能的外接元件
图1是升压开关转换器电路，它有一个众所周知的问题：如果将升压转换器IC1的输入拉低来关断升压转换器，外接电感L1和正向偏置肖特基二极管D1就可以让负载继续引出电流。对于电池供电的设备来说，这是一个沉重的负载（
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双低电压理想二极管控制器
LTC 4353控制外部N沟道MOSFET来实现一个理想的二极管功能。它取代了两个高功率肖特基二极管和其相关的散热器，节省功耗和电路板面积。理想二极管的功能，允许低损失电源ORing和供应滞留应用的。LTC4353调节横跨正向
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恩智浦推出采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET
21ic讯 恩智浦半导体日前推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN （分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。即将面世的
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恩智浦推出采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET
21ic讯 恩智浦半导体日前推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN （分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。即将面世的
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D系列MOSFET采用高压条带技术
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。今天发布的D系列MOSFET基
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罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装
21ic讯 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅）技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的
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开关电源MOSFET驱动电路介绍及分析
开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能
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D系列MOSFET采用高压条带技术
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。今天发布的D系列MOSFET基
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罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装并开始量产
21IC讯 日本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗低，可靠性高，在各种应
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巧用示波器的计算功能分析热插拔电路
尽管数字示波器是电路实验室中最常见的仪器，但有些功能可能并不为人所熟知，数字示波器的计算功能就是其中之一。其实利用数字示波器的计算功能可以简化对热插拔和负载切换电路的分析。本篇应用笔记将介绍如何利用示
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LED驱动器基本拓扑的设计挑战
在考虑使用LED驱动器将AC输入电压转换为用于LED负载的恒定电流源的拓扑时，将LED应用分为三种功率水平是有帮助的：(1)低功率应用。要求输入低于20W，例如灯条、R灯和白炽灯的替换品;(2)中等功率应用。输入最高为50W，
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MOSFET双芯片功率封装简化电源设计
目前，电源工程师面临的一个主要难题是，随着功能的日益增多，商用电子产品的尺寸不断缩小，留给电源电路的空间越来越少。解决这个难题的办法之一是充分利用在MOSFET技术和封装上的进步。通过在更小尺寸的封装内采用
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MOSFET双芯片功率封装简化电源设计
目前，电源工程师面临的一个主要难题是，随着功能的日益增多，商用电子产品的尺寸不断缩小，留给电源电路的空间越来越少。解决这个难题的办法之一是充分利用在MOSFET技术和封装上的进步。通过在更小尺寸的封装内采用
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