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意法半导体提供先进的碳化硅功率电子器件，助力雷诺-日产-三菱联盟下一代电动汽车快充技术研发
·碳化硅(SiC)是一种性能极高的功率半导体技术，使可持续发展的智慧出行模式前景可期 ·意法半导体SiC器件的高能效、耐高温表现、高可靠性和小尺寸让电动汽车更具吸引力
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贺利氏铂电阻温度传感器亮相2019中国(上海)传感器技术与应用展
近年来，由于市场对传感器技术的需求不断增长，贺利氏凭借适用于各类应用的温度传感器产品取得了强劲的增长。贺利氏温度传感器能够精确测量高达1050°C的温度，强大的技术优势让贺利氏在铂电阻传感器市场不断扩大市场份额。
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SiC等新一代材料的功率器件开发
在科学技术飞速发展的今天，离不开我们科研人员的辛勤付出，制造出如此多的电子产品，然而大家只关注这些产品的使用，只有研究人员会关注内部结构，这其中就要数功率器件了。从诞生之日起，市场对功率器件的需求都是一致的，即追求更快的开关速度、更高的耐压、更大的电流、更强的耐冲击性能、更好的高频性能、更低的驱动损耗等。
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减少功率转换损耗的SiC功率器件
在现代能源基础设施中，电力电子技术仍以过去几十年的陈旧技术为基础。随着社会的不断进步，技术的不断发展，科技产品也日新月异，产品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的设计者来设计，功率器件对电子产品是功不可没的。硅材料在很多方面已经接近其理论性能极限，因此业界在不断寻找新的半导体元器件材料，以期从根本上提升转化和利用电力的效率。
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安森美的SiC及GaN产品
在日常生活中，电子产品处处可见，大家都知道如何使用，但是都不会去了解电子产品里面有什么，其实里面很重要的是功率器件。更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量(+ 400TWh)的3%，也占总温室气体排放量的2%，与航空业的碳排放量相同。
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美高森美的SiC解决方案的开发工作
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模块的极低电感封装。
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为啥说SiC在功率器件领域更具有竞争力？
如今在需求庞大的功率半导体市场上，来自工艺材料方面的竞争十分激烈，传统硅材料和新兴的SiC、GaN工艺各有拥趸。不过，在当前的时间节点，SiC的综合优势似乎更具有竞争力。SiC是一种基于硅和碳的复合半
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SiC产业化，多项第三代半导体标准通过评审
6月27日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第三批团体标准初审稿评审会举行，对6项团体标准初审稿进行评审。据宽禁带半导体技术创新联盟消息，与会专家一致同意以下6项团体标准初
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电动汽车上的“全SiC”功率器件，系关键要素
作为半导体界公认的“一种未来的材料”，在沉寂了一段时间之后，SiC功率元器件终于在汽车市场迎来了爆发，尤其是在有着巨大增长机会的电动汽车领域。据了解，基于SiC的功率半导体先前主要用于电动汽车的车载充
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CISSOID发布最新工业和汽车级碳化硅功率模块高温栅极驱动器创新成果
2019年7月16日,CISSOID今日宣布，公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上，发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文，并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。
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深入剖析碳化硅：罗姆为你揭示背后的成本秘密
作为第三代半导体中的明星，碳化硅因为其独有的特性和优势受到各方青睐。尤其是时下电动汽车市场的火爆，助推了碳化硅器件的发展与应用。不过，作为新兴事物，碳化硅器件的产品良率及价格问题使得其应用变得扑朔迷离。碳化硅器件到底好在哪?目前主要应用领域?成本与硅相比差多少?发展前景如何?最近，碳化硅主要供应商罗姆半导体公司举办座谈会，罗姆半导体(北京)有限公司技术中心所长水原德建先生就这些问题进行了详细介绍。
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新能源汽车被重视，SiC 元器件为何迎来爆发？
作为半导体界公认的“一种未来的材料”，在沉寂了一段时间之后，SiC功率元器件终于在汽车市场迎来了爆发，尤其是在有着巨大增长机会的电动汽车领域。
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安森美半导体推出基于SiC的两种IGBT门极驱动器
安森美半导体，在德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器隔离型大电流IGBT门极驱动器。
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Microchip宣布推出碳化硅（SiC）产品，助力打造可靠的高压电子设备
汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功率密度的SiC功率产品。今日，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一系列SiC功率器件。该系列器件具有良好的耐用性，以及宽带隙技术优势。它们将与Microchip各类单片机和模拟解决方案形成优势互补，加入Microchip不断壮大的SiC产品组合，满足电动汽车和其他大功率应用领域迅速发展的市场需求。
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Microchip宣布推出碳化硅（SiC）产品，助力打造可靠的高压电子设备
Microchip Technology Inc.是致力于智能、互联和安全的嵌入式控制解决方案的领先半导体供应商。 其易于使用的开发工具和丰富的产品组合让客户能够创建最佳设计，从而在降低风险的同时减少系统总成本，缩短上市时间。Microchip的解决方案为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算市场中12.5万多家客户提供服务。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市，提供出色的技术支持、可靠的产品交付和卓越的质量。
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全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器可最大程度提高效率及安全性
碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能，能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。不过，SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护，这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。
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安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET，补足成长的生态系统，并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。
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安森美推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET，为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势
安森美半导体新的SiC MOSFET另一独特的优势是具有专利的终端结构，增加了可靠性和强固性，并增强了工作稳定性。NVHL080N120SC1设计用于承受高浪涌电流，并提供高的雪崩能力和强固的短路保护。
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显著节约能耗，德州仪器推出首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器
新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率德州仪器(TI) (纳斯达克代码: TXN)近日推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不仅能够提供出色的监控能力，还可为高压系统构筑
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TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器，可显著节约能耗，并为高压系统构筑坚强屏障
新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率
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