PCB工程师在设计PCB时,对于高速电路板或电路板上的关键信号会经常涉及到到“做阻抗”、“阻抗匹配“的这些问题。首先解释下什么是阻抗匹配:阻抗要求是为确保电路板上高速性号的完整性而提出,它对高速数字系统正常稳定运行起到了关键性因素,在高速系统中,关键信号线不能当成是普通的传输线来...
1.MCU有串口外设的话,在加上电平转换芯片,如MAX232,SP3485就是RS232和RS485接口了。2.RS485采用差分信号负逻辑,2~6V表示0,-6~-2表示1。有两线制和四线制两种接线,四线制是全双工通讯方式,两线制是半双工通讯方式。在RS485一般采用主从通讯方...
▼ 点击下方名片,关注硬门芯思 ▼MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关...
本文根据AUTOSAR4.4(ClassicPlatform)(https://www.autosar.org/standards/classic-platform/classic-platform-440/)标准中的:AUTOSAR_SRS_MemoryServices.pdf...
M_CAN是一个CANIP模块,可以作为独立设备、ASIC的一部分或在FPGA上实现。它根据ISO11898-1:2015进行通信。它支持经典CAN和CANFD(具有灵活数据速率的CAN)。连接到CAN物理层需要额外的收发器硬件。消息存储器旨在成为模块外部的单端口或双端口消息RA...
一.序言 本资料是TrevorMartin编写的《TheDesignersGuidetotheCortex-MProcessorFamily》的摘要,并得到Elsevier的再版许可。查询更多细节,请到本资料尾部进阶章节。本资料着力于介绍RTX,RTX可运行在基于Cortex-M...
一、背景知识 BOOT跳转到APP,就跟我们程序里面函数调用跳转是一样的,并不会复位外设,需要用户手动去操作。导致我们BOOT跳转APP经常会遇到这样那样的问题,根本原因还是BOOT跳转前没有提供一个干净的环境给APP运行,这个环境如果可以达到和程序刚上电时的状态是最好的。 ...
礼拜三接到一个学弟的问题,学弟在实习,说有个很奇葩的bug解决不了,我说你描述一下吧大概就是利用spi命令向flash里的某个地址写入数据,boot之后bootloader从flash的该地址里读数据,但是现在的问题是,偶尔读出来的数据不对,貌似是数据没有写进去,该问题目前只出现...
近日在公司领到一个小需求,需要对之前已有的试用用户申请规则进行拓展。我们的场景大概如下所示:按照上述的条件我们可以得出的结论是:咱们的主要流程主要是基于and或者or的关系。如果有一个不匹配的话,其实咱们后续的流程是不用执行的,就是需要具备一个短路的功能。对于目前的现状来说,我如...
前言: SOA在IT行业已经存在很多年,随着近几年智能汽车的出现,用于对于自动驾驶、V2X、智能座舱等新功能的需求也逐渐强烈,汽车逐渐由一个机电耦合的系统转变为一个智能终端,类似智能手机,可升级可进化。面对这样的变革,汽车行业借鉴IT行业的经验引入了SOA及以太网,同时新...
19服务允许客户端从服务器请求诊断信息(包括DTC,捕获的数据等)。该服务允许客户端从车辆内的任何服务器或服务器组读取服务器驻留诊断故障代码(DTC)信息的状态。除非另有说明,否则服务器应返回与排放有关的DTC信息和与排放无关的DTC信息。该服务允许客户端执行以下操作:——检索与...
题注:本文介绍的di/dt、dV/dt分开单独控制方法,不仅适用于负载开关,还广泛用于电机控制功率MOSFET或IGBT驱动电路:(1)调整驱动电路电阻RG,调整dV/dt(2)调整并联电容CGS,调整di/dt1、功率MOSFET的开关过程功率MOSFE...
1、有源箝位反激变换器和非对称反激变换器的比较图1:有源箝位反激变换器的电路结构图2:非对称反激变换器的电路结构(1)有源箝位反激变换器的变压器需要储存输出所需的所有能量,由于输入电压通常在一定的范围内变化,因此变压器无法工作在最优的状态,变压器也无法进行最优化的设计。 在非对称...
关注星标公众号,不错过精彩内容来源| 码农的荒岛求生准确的来说,CPU不认识也不理解任何东西。CPU就像一个单细胞一样,本身不具备任何思考能力,没什么自己的想法,你给它一个刺激,它只是简单的会有一个反应。那这个刺激是什么呢?是电压,硬件感知到的仅仅就是电压。电压有两种,高电压和低...
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构的中间,N区夹在两个P区域之间,当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时,将产生JF...