飞兆：2013年SiC市场将正式启动

“受制于制造成本和产品良率影响，目前阻碍SiC产品大规模进入市场的主要原因是价格昂贵，一般是同类Si产品的10倍左右。我个人认为2013年SiC市场将正式启动，在未来2-3年SiC BJT器件有可能首先成为最先被市场接受的产品。在2015年左右SiC器件产品良率将会大幅度提升，价格也将下降，那时SiC产品可能会实现规模应用。” 飞兆半导体                 亚太区市场营销副总裁蓝建铜告诉21ic记者。

碳化硅（SiC）市场发展预测

重点发力新能源汽车

SiC作为一种新兴的半导体材料，它的主要特性比传统的Si材料优越的多，具有宽带隙(3x Si)、高击穿电场(10x Si)、高导热率 (3x Si)、高温稳定性 (3x Si)等优良特点。在应用在晶体管中时，可以让晶体管具有更高的效率 (98%+)、更小的器件(>300 A/cm2)、速度更快的开关能力(<20 ns) 、稳固可靠 (UIL, SCSOA)的特性。

蓝建铜表示：“正是由于SiC具有如此优良的特性，所以SiC器件可以广泛应用于提升能效的应用环境，比如运动控制、HEV/EV（电动/混合动力汽车）、可再生能源、电力电网等环境。飞兆已经基于SiC材料开发出了SiC BJT，我们将重点关注HEV/EV市场，这也是飞兆第一个产品化的SiC产品。”

飞兆的SiC BJT解决方案具有以下的技术特性，首先是更高的功率密度。在相同或更低损耗下采用较高的开关频率，能够使用较小的电感、电容和散热片器件；在提高输出功率同时保持系统外形尺寸。其次是更低的系统成本，对于相同的硬件，通过减少损耗和提高功率密度，减小冷却装置或增加功率输出。最后是易于使用。飞兆SiC BJT具有 RON正温度系数、简单的基极直接驱动方案、缩短上市时间，实现简便的系统移植。

下一步关注SiC BJT驱动IC

&ldquo;飞兆针对SiC BJT产品已经有了一个完整的产品路线图。现在飞兆SiC BJT解决方案驱动部分还是分立式的，下一步我们首先开发SiC BJT驱动IC。SiC BJT驱动器和其他以往同类器件有很大的不同，由于通过电流很大需要特需驱动IC,所以飞兆有必要开发出专属IC，防止EMC干扰。” 蓝建铜介绍说。

飞兆SiC BJT 驱动器规划图

在谈到SiC产品整体发展趋势时，蓝建铜认为，现在SiC产品大多数是基于4英寸的SiC晶圆进行开发，不但良率低而且成本高昂，这会直接影响SiC市场表现。这种状况应该会在未来2-3年内有所改变。未来2—3年6英寸SiC晶圆有可能会正式进入生产序列，同时生产工艺也会得到改进，这样产品良率提升后，SiC产品成本可能会下降到现在的一半，降低和现有Si器件产品的价格差距，加速SiC市场发展。