英飞凌携手思格新能源，碳化硅器件助力户用光储

【2026年5月13日, 中国上海讯】近日，英飞凌科技与思格新能源(上海)股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，共同为思格新能源户用光伏储能逆变器解决方案提供核心性能支撑，以技术创新驱动户用光储领域能效升级。

在全球户用光储市场，高能效与高可靠性始终是衡量系统性能的核心标准。思格新能源凭借前瞻性技术布局，通过深度集成英飞凌新一代 1200V CoolSiC™ MOSFET G2 碳化硅解决方案，将户用光伏储能逆变器效率提升0.6%，体积缩小15%，达到业界领先水平，为家庭用户创造更高发电收益与更灵活的安装空间。采用英飞凌.XT扩散焊技术，显著提升散热效率，为户用光储系统长期稳定运行提供了强有力的支撑。从全球首创的“五合一光储充一体机”到不断迭代的高效能储能系统，思格新能源始终以创新驱动行业升级。此次与英飞凌深化合作——将业内领先的碳化硅技术融入思格户用光储逆变器解决方案，将助力思格户用光储逆变器实现性能与体验的双重飞跃，进一步巩固其在光储行业的领先地位。

英飞凌推出的新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2一经面世，便凭借其卓越的性能引起业界广泛关注。相较于前代技术，G2系列通过创新设计实现了三大核心优势： 能效跃升——开关损耗降低25%，配合总功率损耗降低10%的优化幅度，推动系统效率进一步提升。热管理升级——采用的增强型.XT扩散焊技术，散热效率显著提升，确保器件在高温工况下仍能保持稳定性能。可靠性增强——通过沟槽栅的设计和严苛的生产管控，栅极开启阈值电压VGS(th)参数分布更集中，结合传输特性负温度系数设计，多器件并联的易用性与可靠性获得双重提升。此外，英飞凌同步推出采用高爬电距离TO-247-4封装的1400V CoolSiC™ MOSFET系列产品，进一步拓展了光伏逆变器、充电桩、工业电机驱动等高压场景的应用可能性。

新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2

思格户用混合逆变器与储能系统

英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人程佳钰女士，英飞凌科技分销商和电子制造服务管理大中华区负责人廖明颂先生表示：“作为全球功率半导体行业的领导者，英飞凌在碳化硅(SiC)技术领域已深耕二十余年，构建了从材料特性、芯片设计、制造到封装测试工艺的全链路能力，为客户提供覆盖全场景的高性能SiC功率解决方案。通过持续创新，英飞凌SiC功率器件在性能、可靠性及能效等核心指标上始终保持行业领先地位。思格作为全球储能行业中发展最快的企业之一，在多个海外市场中位居分布式储能系统市场份额第一。其对技术创新以及产品可靠性不懈追求，与英飞凌所秉承的创新驱动、可靠性至上的理念高度契合。双方强强联合，不仅为SiC器件开辟了更多光储创新应用的新天地，更为全球能源结构的转型升级注入了动力。”

思格新能源总裁张先淼先生表示：“自成立以来，思格始终专注于‘AI+新能源’领域的技术创新，坚持以产品质量为核心，以用户体验为导向，在设计、选材到测试的每一个环节都秉持最严标准。我们深知，卓越的系统性能离不开可靠的核心器件。英飞凌在碳化硅功率器件领域深厚的研发积累与持续创新能力，与思格对高能效、高可靠产品的追求高度契合。未来，思格将继续携手英飞凌，不断深化创新协同，共同打造更高效、更安全、更可持续的能源解决方案，推动光储产业向零碳未来加速迈进。”