英飞凌推出面向 AI 数据中心电源设计的 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3驱动芯片，适用于硅基与氮化镓器件设计，封装兼容

时间：2026-06-10 16:17:13

关键字：硅基氮化镓 AI 数据中心

[导读]【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅(Si)和氮化镓(GaN)器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特的内置5 V 栅极钳位功能进一步简化了 GaN 栅极驱动电源的设计，从而实现与 Si 器件共 PCB。

【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅(Si)和氮化镓(GaN)器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特的内置5 V 栅极钳位功能进一步简化了 GaN 栅极驱动电源的设计，从而实现与 Si 器件共 PCB。

英飞凌 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3是一款兼容硅和氮化镓器件的驱动芯片

2EDL90xG3提供了五种可配置的工作模式，能够支持多种电源拓扑。其双浮地输出架构与5 V 栅极钳位相结合，可实现同时适用于基于硅和氮化镓设计的混合开关电容(HSC)拓扑。该器件拥有4 A 拉电流(source)和6 A灌电流(sink)的高驱动强度，为驱动 HV-IB的次级侧提供了极高的灵活性。此外，内部集成的电流采样放大器具有典型的5 MHz 高带宽以及高达 35 V的高共模电压抗干扰能力，有效减少了系统物料清单(BoM)并提升了功率密度。该电流采样放大器在满量程下可提供典型值1%的高精度，支持精确的控制环路调节以及快速的过流和短路保护。内部集成的自举二极管则进一步缩减了半桥和全桥应用中的电路板空间及系统 BoM。2EDL90xG3采用紧凑的 QFN 3*3 16引脚封装。

该驱动芯片针对英飞凌广泛的 AI 服务器供电产品组合进行了优化。英飞凌的产品涵盖了从电网到核心(From Grid to Core)的完整供电链，包括固态变压器(SST)和固态断路器(SSCB)、电源(PSU)及电池备份单元(BBU)、中间总线变换器(IBC)以及第二级直流转换电源模块(VRM)。通过将硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的互补优势相结合，英飞凌为客户提供了一条清晰且经市场验证的端到端电源架构设计路径。该产品组合还拥有持续的设计资源支持，以及专门为下一代 AI 服务器平台量身定制的可扩展、高质量的元器件。