英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅

【2026年6月15日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅(SiC)双向开关(BDS)。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC™ BDS可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量，能够在应用的这个生命周期内实现极低的总体拥有成本。

英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的碳化硅双向开关

750V CoolSiC™ BDS具备业界领先的RDS(on) × Qfr、优异的RDS(on) × QOSS，以及低Qg值，可有效降低开关损耗与导通损耗，实现超高速、高效的开关动作。在25℃条件下，典型栅阈值电压VGS(th)为4.5V，搭配超低Q GD/Q GS比值，可增强寄生导通抗扰性;扩展后的栅极偏压容限可支持-11V至25V瞬态电压，能够提升设计裕量并增强兼容性。该产品额定dv/dt可达200V/ns，可在不影响耐用性的前提下支持高频设计。该产品系列阻值覆盖范围为14mΩ至66mΩ。

该产品专为高要求的电源系统而设计，提供 840 V (BR)DSS，为超过 500 V 的母线电压时提供充足的裕量。此外，它还具有经验证的雪崩耐受性、100 小时内高达 200°C 的过载耐受能力和 2 µs 的短路耐受时间。这些器件能够有效保护系统，免受实际环境中电压浪涌、能量脉冲、瞬态应力以及浪涌电流的影响，确保系统能够长期稳定运行，并具备容错能力。

750V CoolSiC™ BDS扩展了英飞凌‌顶部散热‌产品家族，可适配当下要求最严苛、发展迅速的应用场景，支持原生液冷设计，通过拓扑层面的设计迭代，实现了全新的能效水平。

在汽车应用中，该产品非常适用于车载充电器(OBC)、电动汽车充电以及eFuse(电子保险丝)和预充电电路。与CoolSiC™ H-DPAK半桥器件配合使用，可帮助设计平顺过渡到基于SiC技术的单级车载充电器，让设计不仅兼具高功率密度和高成本效益，而且节省空间。

在工业应用领域，它为快速迭代的各类应用场景带来了革新：

· 配备原生液冷的HVDC AI电源

· 户用太阳能与储能系统

· 医院及现场数据中心的HVAC系统

· 适用于电动垂直起降飞行器(eVTOL)的电流源逆变器(CSI)驱动

· 电力及IT机架中的HVDC保护

· 人形机器人集群快速充电