Wolfspeed 发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET
•Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破，相较目前市面同类 1200 V 竞品方案，效率最高可提升27%
•该项技术彰显 Wolfspeed 深耕碳化硅 (SiC) 功率器件、赋能实现真正耐久系统的坚定承诺
•依托 Wolfspeed 已完成认证、可爬坡量产且高度自动化的 200 mm 制造平台，为汽车及工业领域客户提供快速、低风险的市场化解决方案
美国东部时间 2026 年 6 月 9 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市 — 碳化硅 (SiC) 领域行业引领者 Wolfspeed 公司宣布推出第五代 (Gen 5) 技术，将为下一代 1200 V 和 750 V 汽车及工业应用带来效率方面的性能跨越式提升。
175℃ 下 1200 V 芯片比导通电阻 RSP
(总面积基准)变化趋势
Wolfspeed 首席商务官 Cengiz Balkas 博士表示：“凭借先前第四代 (Gen 4) 技术，Wolfspeed 实现了客户所需的开关性能突破，而在不到两年后的今天，我们推出了第五代 (Gen 5) 技术，使得工程师们能够在 5x5 mm 的碳化硅 (SiC) 封装内获得尽可能高的电流。最让我兴奋的不仅仅是我们的创新节奏，更是这项技术为客户带来的可能性：助力加速打造针对实际工况条件的更智能、更高效且小型化的系统方案。”
汽车 OEM 厂商持续面临实现电气化目标的压力，而车辆成本、安全性、续航里程和充电基础设施的配套完备度依然是阻碍消费者更大范围采用电动汽车的障碍。Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 技术旨在全面解决这些障碍，并为比导通电阻 (RSP) — 衡量 MOSFET 有源芯片面积效率的核心品质因数 — 树立了新的标杆。
第五代 (Gen 5) 产品使得系统架构师能够设计更紧凑的牵引逆变器，提高单次充电的续航里程，从而优化昂贵的电动汽车电池配置。同时此技术可用于开发固态断路器，以替代传统机械继电器，为碳化硅 (SiC) 开辟了新的应用机会，并为电动汽车 (EV) 充电基础设施设立了新的效率标准。该项技术的优势远不止覆盖汽车领域，工业电源等应用同样能从第五代 (Gen 5) 技术优异的开关性能中获益。
实现行业领先的单位碳化硅芯片面积载流能力
与竞品 5x5 mm 封装碳化硅 (SiC) MOSFET 相比，基于 Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 技术的系统可在高温条件下依旧实现尽可能高的电流。Wolfspeed 对导通电阻 RDS(ON) 的持续优化解决了两项备受关注的设计挑战：
与目前市售的竞品 1200-V 解决方案相对比，其最高可降低 27% 的比导通电阻 RSP，显著改善了系统级导通损耗。1200-V QEM50120-25D10 实现了 175℃ 芯片级比导通电阻 RSP 为 3.4 mΩ-cm2，750-V QEM50075-025D10 实现了 175℃ 芯片级比导通电阻 RSP 为 2.0 mΩ-cm2。
通过针对两个电压平台均实现超窄 +/- 18% 导通电阻 RDS(ON) 分布，减少了对系统级设计裕量的需求。
赋能实现经久耐用的设计
Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 技术包含了与第四代 (Gen 4) 技术平台相同的体二极管，但同时将结温能力提升至 200℃ 连续工作(215℃ 有限寿命)— 进一步展现了 Wolfspeed 致力于帮助客户构建真正持久耐用系统的承诺。这些 MOSFET 在实现基准导通电阻 RDS(ON) 的同时，凭借软恢复体二极管保持了出色的开关能量;通过进一步改善反向恢复电荷，整体开关损耗也有所降低。
基于商业化成熟的平台进行设计
第五代 (Gen 5) 为客户提供了从方案导入 (design-in) 到量产的直接、低风险路径。即使面对持续攀升的人工智能 (AI) 需求，对于车规级产能爬坡的准备工作也不会产生影响。第五代 (Gen 5) 技术是依托 Wolfspeed 位于美国纽约州莫霍克谷的可爬坡量产的 200mm 器件制造工厂进行设计、制造、认证的第二个 Wolfspeed MOSFET 技术代际。其新产品导入 (NPI)、样品测试和客户验证采用 200 mm 量产材料完成。此外，量产无需新的制造设备。
Wolfspeed 功率器件与封装开发副总裁 Adam Barkley 博士表示：“我们的平面型 (Planar) MOSFET 技术仍有创新的空间。第五代 (Gen 5) 技术建立在我们客户熟悉的工具和工艺基础上，为下一代项目创造了一条低风险的升级路径。对于面临紧迫开发时间表的客户而言，这意味着更快的验证、更快的认证和更快的推向市场速度 — 同时无需牺牲用户认可且信赖的性能。”
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