东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性

中国上海，2026年9月24日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅(SiC)MOSFET芯片，漏源电压额定值为3300V，漏极电流(DC)额定值为800A。其规格参数中标明了二极管部分的I²t极限值，该值是衡量浪涌电流能力的指标。

铁路牵引逆变器和转换器、可再生能源发电系统以及工业电机控制设备等工业设备制造商，必须不断满足更高效率、更小尺寸和更高可靠性的需求。在这些系统中，异常情况下可能流经功率半导体模块的大浪涌电流，功率半导体模块可能会承受巨大的浪涌电流，因此必须具备足够的浪涌电流耐受能力以应对这一挑战。

IX800FXF2YMS4采用优化的SiC芯片设计，在异常条件下可实现300kA²s[1]的I²t特性，该特性是衡量二极管部分浪涌电流能力的指标。

该模块的漏源导通电压(检测)(VDS(on)sense)为1.4V(典型值)[2]，有助于降低导通损耗。其导通开关损耗(Eon)为185mJ(典型值)[3]，关断开关损耗(Eoff)为175mJ(典型值)[3]，有助于降低开关损耗。这些特性有助于提升设备可靠性和效率，并缩小冷却系统尺寸。

新产品采用iXPLV™封装[4]，具有出色安装兼容性。该产品使用银烧结接合技术，提高了SiC芯片接合部位的耐热性和可靠性，实现了工业设备所需的175°C沟道温度额定值。

此次新产品的加入，使东芝采用iXPLV™封装的SiC MOSFET模块数量增至四款，进一步拓宽了可选产品范围。

东芝将继续扩充面向工业设备的SiC MOSFET模块产品阵容，提供更广泛的产品选择，以满足多样化的设备规格和应用需求。同时，公司还将继续为提升工业设备的可靠性、效率和小型化作出贡献。

Ø 应用：

工业设备

- 铁路牵引逆变器和转换器

- 可再生能源发电系统

- 电力转换系统(固态变压器(SST)[5];不间断电源(UPS);储能系统(ESS)等)

- 工业电机控制设备等

Ø 特性：

- 规定I²t极限值(二极管)额定值：I²t=300kA²s

- 低漏源导通电压(检测)：VDS(on)sense=1.4V(典型值)

- 低开关损耗：Eon=185mJ(典型值)，Eoff=175mJ(典型值)

- 结温额定值：Tch=175°C

- 采用iXPLV™封装。

Ø 主要规格：

(除非另有说明，否则Tc=25°C)

Ø 应用电路示例

铁路牵引系统示例

注：本文档所示应用电路示例仅供参考。用于量产的设计必须经过充分评估。提供该应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

注：

[1]测试条件：Tch(initial)=175°C，VGS=-6V，半正弦波10ms 1脉冲，F.R.=1%

[2]测试条件：ID=800A，VGS=+20V，Tch=25°C

[3]测试条件：VDD=1800V，ID=800A，VGS=+20V/-6V，Cgs=100nF，RG(on)=1.2Ω，RG(off)=1.2Ω，Tch=175°C，LS≃70nH

[4] iXPLV™：intelligent fleXible Package Low Voltage的缩写

[5] SST：一种利用功率半导体实现小型化、高效率电压转换和先进功率控制的下一代变压器。