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[导读]在下述的内容中,小编将会对适用于智能LED的单芯片解决方案MP4057A的相关消息予以报道,如果这是您想要了解的焦点之一,不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

在下述的内容中,小编将会对适用于智能LED的单芯片解决方案MP4057A的相关消息予以报道,如果这是您想要了解的焦点之一,不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

MP4057A 是一款适用于智能 LED 应用的单级/单芯片解决方案,可以通过原边调节(PSR)控制功能调整 LED 电流,并为微控制器单元(MCU)和无线模块供电。因为 MP4057A 的设计简单,采用最少的外部元组件,成本最低,是智能 LED 照明的理想方案。

MP4057A 可以实现高功率因数和精确的 LED 电流。其专有的实时电流控制方法可通过原边信息精确控制LED电流。。MP4057A 集成了功率因数校正功能,采用谷值导通模式来降低 MOSFET 开关损耗。

MP4057A 通过在待机模式下降低工作频率来实现超低待机损耗(空载功耗一般为 30mW)。

MP4057 在电源引脚上集成了充电电路,可在无明显延迟的情况下快速启动。

基于来自 DIM 的信息,MP4057A 可以采用两种工作模式运行:恒定电流(CC)和恒定电压(CV)。MP4057A 在恒定电压模式下运行时,LED 可以关闭。在 CC 和 CV 过渡期间,LED 不闪烁,MCU/无线模块的电压不下降。

MP4057A 具有多种保护功能,大大提高了系统的稳定性和安全性。这些保护功能包括过压保护(OVP)、短路保护(SCP)、原边过流保护(OCP)、输入欠压保护(BOP)、逐周期限流保护、欠压锁定保护(UVLO)和有自动重启功能的过温保护(OTP)。

MP4057A 采用 MSOP-10 和 SOIC14 封装。

在启动方面,最初,VDD 由内部充电电路从 AC 线路充电。当 VDD 达到 VDDH 阈值时,欠压锁定 (UVLO) 逻辑变为低电平,内部主 MOSFET 开始开关。 MP4057A 默认在 CV 模式下启动,直到 VCC 为 4.2V,VO 为 3.1V,这表示启动序列结束。 UVLO 变低后,内部充电电路关闭,芯片供电由 VDD 或 VCC 中较高的电压接管。启动后,MP4057A 根据来自 DIM 的信息选择其操作模式。 如果 DIM 为逻辑低电平,则 MP4057A 以 CV 模式运行。 否则,MP4057A 在 CC 模式下运行。

在恒压 (CV) 操作方面,在 CV 操作期间,VCC 由误差补偿放大器检测。 VCC 被调节并负责VO 电源。 由于 VCC 绕组和 LED 绕组的匝数比关系,输出 LED 不亮。 建议在 LED 输出端增加一个虚拟负载,以确保 LED 电流为零。 为实现 CV 待机模式下的超低输入功率,内部有智能调频电路来优化开关

频率。 如果系统在空载条件下工作,由于最小导通时间限制,VCC 可能高于规定值。 COMP 电压钳位在 1.21V,最低工作频率可降至 400Hz 左右。 在某些应用中,在 VO 的负载阶跃期间,特别是从空载到最大负载,VCC 可能会因电压环路响应缓慢而下降。 为了改善这一点,采用高频操作 (HFM) 来保证 VO 上没有压降。

在CC 模式 – PWM 调光方面, CC 操作期间,DIM 信息被发送到 CC 的误差放大器。 反馈参考电压根据 DIM 信息按比例缩小。 因此,可以得到 LED 电流和 DIM 信号之间的线性关系。 为保证MCU/无线模块的供电,最小反馈参考电压钳位在10mV,最大调光深度为5%。

在CC 模式 – 谷值开关模式操作方面,外部 MOSFET 导通时间 (tON) 期间,整流输入电压 (VBUS) 被施加到初级侧电感器 (Lp),初级电流 (Ipri) 从零线性增加到峰值 (Ipk)。当外部 MOSFET 关断时,电感中存储的能量被转移到次级侧,并打开次级侧二极管为负载供电。次级电流 (Isec) 开始从峰值线性下降到零。当次级电流降至零时,初级侧漏电感、磁化电感和所有寄生电容会降低 MOSFET 漏源电压。这种减少也反映在辅助绕组上。在 CC 操作期间,MP4057A 会监视 ZCD 是否在下一个开关周期之前两次降至零。当 ZCD 电压第二次低于 0.295V 时,来自 ZCD 的零电流检测器产生栅极导通信号。这实际上消除了开关导通损耗和二极管反向恢复损耗,确保高效率和低 EMI 噪声。

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