SK海力士加码中国市场上的布局：欲90 亿美元收购英特尔闪存业务

Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。

海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。2019年9月5日，据韩国《中央日报》报道，在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。

我们都知道，美方对于我们中企获得EUV光刻机的态度一直都不怎么友好，并且也有相关的限制。而就在前段时间，这个美方定制的规则具备了更严重的不确定因素。

起因还是基于韩企一大DRAM存储企业SK海力士，想要在无锡工厂扩大自己的生产线。而要扩大自己的产能就需要引进先进的EUV光刻机。不过在这个时候，SK海力士却受到了阻挠，据悉美方反对EUV光刻机以任何一种形式进入到中国。

于是就有了这样一种言论：“光刻机规则将被修改，在中国有分厂的外企也将难以获得EUV光刻机。”

不过此事到目前来说美方并没有明确的规则发布，而ASML对于此事也是不置于评论。所以我们一时之间也不知道，这个规则是否真的会被修改，但是从SK海力士的回应言论当中“他们的中国工厂还有足够的时间去洽谈获得EUV光刻机”可以得知，就目前来说，美方的确有修改光刻机规则的打算。而一旦这个规则重新被制定，那么SK海力士受到的影响是很明确的。尽管在明确认知美方有这个打算，SK海力士却有了一个新的举动。根据外媒的报道信息显示：SK海力士旗下的子公司SK Hynix System IC，将在明年的2月份彻底关闭在韩国清州的M8工厂，并且将在5月份将所有的设备全部搬迁到中国的无锡工厂。由此我们不难看出，SK海力士正在加码中国市场上的布局。

12 月 18 日消息，根据韩国媒体 Business Korea 消息，一位匿名分析师透露，SK 海力士斥资 90 亿美元收购英特尔闪存业务计划进展顺利，有望在近期获得中国有关部门的批准。这一收购由于金额巨大，需要众多国家进行反垄断调查，此前已经顺利获得了美国、韩国、英国当局的批准。

消息人士表示，这一收购交易预计最快将于 12 月获得中国批准。这 90 亿美元的资金将分批交付给英特尔，起初会付 70 亿美元，到 2025 年 3 月 SK 海力士会支付剩余的 20 亿美元。此外，相关知识产权将于 2025 年才能转移完成。

至于为何英特尔要出售其闪存业务，了解到，该公司表示将会筹集资金来推进未来有长期增长潜力的项目，包含人工智能、5G 网络通信、边缘计算等。外媒还表示，AMD 想要收购 Xilinx 赛灵思的计划也需要进行反垄断审查，并获得中国政府批准。但是这笔交易的进展情况未知，预计不会像英特尔、SK 海力士那样顺利。

SK 海力士于去年 10 月推出了全球首款 DDR5 产品，接着又在 1 年零 2 个月后亮相了最大容量的产品。24Gb DDR5 产品采用了 EUV 工艺的第四代 10 纳米级(1a)技术，相较第二代 10 纳米级(1y)DDR5 产品单一芯片容量从 16Gb 提升至 24Gb，从而改善了生产效率，其速度提升高达 33%。

同时，SK 海力士技术团队将其电能损耗量与前一代产品相比减少 25%(驱动相同容量的模组所需系统耗电量为准)，又通过改善生产效率有效减少了能源使用量。公司认为通过此产品可期待在碳排放减少层面获取成就，会在 ESG 经营层面也具有较大意义。

此次新产品将以 48GB(Gigabyte)和 96GB 两种模组推出，并提供给云(Cloud)数据中心。预计还将用于人工智能、机器学习等大数据处理和构建元宇宙等高性能服务器。

英特尔公司数据中心与 AI 部门内存和 IO 技术总管 Carolyn Duran 副总裁(Vice President)表示：“英特尔和 SK 海力士进行了长期又紧密的合作，此次双方合作提供的 24Gb 解决方案是为了满足共同客户需求的又一个事迹。24Gb DDR5 提供更高的单一芯片容量，有助于客户提高就如数据分析等因内存容量而受限的工作负载性能，同时带来巨大的总拥有成本优势。”