三星领先台积电的GAA技术即将量产，新工艺芯片实际表现如何？

虽然在2021年时，大家就都知道2022年会是3nm芯片的量产之时，因三星、台积电都有过表示，但具体是什么时候，大家都没有细说。而近日，终于传出了确切消息，那就是三星代工市场战略团队负责人Moonsoo Kang正式对外表示，2022上半年三星第一代的3nm GAA (3GAAE)制程技术将量产，最迟不会超过二季度，而下半年将开始商业化生产。此外，Moonsoo Kang还表示，三星的3nm芯片，会按照之前的计划，采用GAAFET晶体管技术，而不是继续使用从14nm就开始的FinFET晶体管技术。而基于GAA技术，三星还将开发出第二代GAA技术，称之为3GAAP(3nm Gate-All-Around Plus)，预计于明年，也就是2023年量产。

估计听到这个消息后，台积电还是有点慌的，并不是因为三星要量产3nm芯片了，而主要是因为三星使用了GAA晶体管技术，确实比台积电在3nm时使用的FinFET晶体管更先进。GAA晶体管能够提供比FinFET 技术更好的静电特性，能够让芯片进一步微缩，也就是晶体管密度更大，另外还能降低栅极电压，让功耗降低。所以如果三星的GAA技术的3nm芯片进展迅速，良率比较高的话，对于台积电而言，确实是一个非常大的压力，说不定能够从台积电这抢到更多的客户。

而按照三星的说法，3nmGAA芯片，较上一代的5nm的FinFET技术，面积能够缩小35%，性能提高30%，或功耗提高50%。接下来就让我静态三星新一代的3nm芯片何时量产了，我想台积电也是在拭目以待，看看三星能不能借3nm工艺，威胁到自己的地位，毕竟三星一直想要打败台积电，成全球代工厂商中的冠军的。当然，台积电和三星在3nm竞争，于我们而言，只是神仙打架，毕竟中芯才14nm，离3nm还好几代，再加上10nm以下的设备受限，可以说离3nm还遥不可及。

现在各国之间对于半导体的角逐也是非常的激烈，而在此其中我们国家的发展也相当的不错，在之前就已经有着7nm，5nm这些芯片的建造技术，不过随着大家的一起进步到现在全世界探讨的话题已经提升到了3nm芯片。

从更加专业的角度上来说，纳米的数字越小，也就是说所使用的芯片晶体管的密度就越大，因此它的性能也会越高，而在很多时候最好的也才是大家讨论的最多的，而3nm相对于5nm的芯片，在性能上不仅提高了10%到50%，在工人的耗损量上也降低了25%到30%。

三星电子高管在三星代工论坛上透露，已确保3nm芯片制程工艺良品率稳定，并计划于明年6月份量产。

三星方面还表示，采用3nm工艺代工的芯片，性能将比5nm将提升50%，能耗降低50%。

三星率先量产3nm芯片，精准卡位台积电，这背后意义重大。

在芯片制造领域，台积电一直独大，领先的5nm工艺横扫天下，三星也只是勉强追平，前浪英特尔则完全落后。

作为芯片制造巨星之一，三星对此一直无法接受，与台积电明争暗斗。

如今3nm之战一触即发，三星能否超越台积电重登王座，全球芯片格局又将如何演变?

壹

从中美半导体大战，到这次全球性缺芯危机，世人相继意识到：芯片的重要性已超越石油，成为驱动世界经济增长的关键资源，以及强国围猎的重大战略领域。

而在芯片行业，全球目前高度依赖两个地方—韩国和中国台湾地区!

数据显示，目前亚洲已掌握全球80%的半导体出口，其中仅台积电一家市占率就达到55%，包括苹果、高通、博通在内的美国芯片设计企业都严重依赖亚洲的晶圆代工厂。

作为亚洲乃至全球最强大的两家芯片制造厂，台积电和三星一直在暗自较量。

2010年iPhone 4 发布时，苹果的A系列芯片还是三星负责代工，后来三星手机越做越大，成了苹果头号对手，台积电趁机拿下A系列芯片订单，从此和苹果深度绑定。

苹果之后，台积电相继拿下高通、华为等一系列大客户，营收连年新高，工艺也越来越先进，直到10nm制程开始全面领先三星，成为全球最强芯片代工厂。

高端芯片制造工艺的落后，是三星和韩国的痛。

为此，今年5月13日韩国政府正式宣布未来10年内将投资510万亿韩元(约3万亿元)，打造全球最大的半导体制造产业中心。

三星称，与现有的5nm工艺相比，采用三星3nm工艺的芯片节点面积将减少35%，性能提高30%，功耗降低50%。三星计划于2022年上半年开始生产首批基于3nm工艺的芯片，而第二代3nm芯片预计将于2023年生产。除此之外，2nm工艺也被三星提上日程，根据三星公布的技术路线图，2nm 工艺将于2025年实现量产。

据三星介绍，其3nm芯片采用的是GAA工艺，即全环绕栅极晶体管技术。除了功耗、性能和面积 (PPA)的改进，随着其工艺成熟度的提高，3nm芯片的良品率正在接近与目前量产的4nm工艺。

三星新工艺芯片的实际表现如何?大家拭目以待。