俄罗斯发力芯片领域：投资1万亿卢布研发芯片，争取在2022年搞出90nm。

在全球半导体领域，美方始终掌握着主导权，包括EDA软件、芯片架构、光刻机核心器件的供应等，所以任何国家或企业想发展半导体产业，都绕不过美企这关，华为如此，俄罗斯也是如此。

在俄乌冲突发生后，美方一声令下，全球半导体企业巨头纷纷断供，包括Intel、AMD、高通、台积电、三星等几乎所有主流厂商，都停止了在俄罗斯的业务运营。

不过正如华为选择不妥协一样，俄罗斯也丝毫没有担忧的意思，甚至在以举国之力发展本土半导体产业。

一方面是俄罗斯莫斯科电子技术学院此前宣布，已经接到了贸工部首批6.7亿卢布资金，将用于研发无掩模X射线光刻机，与ASLM的路线完全不同，但号称要达到EUV级别。

在俄乌冲突发生后，美方一声令下，全球半导体企业巨头纷纷断供，包括Intel、AMD、高通、台积电、三星等几乎所有主流厂商，都停止了在俄罗斯的业务运营。

不过正如华为选择不妥协一样，俄罗斯也丝毫没有担忧的意思，甚至在以举国之力发展本土半导体产业。

一方面是俄罗斯莫斯科电子技术学院此前宣布，已经接到了贸工部首批6.7亿卢布资金，将用于研发无掩模X射线光刻机，与ASLM的路线完全不同，但号称要达到EUV级别。

前段时间，美国对俄罗斯进行了全方位的芯片制裁，让俄罗斯意识到，自己此前偏重于对企业的扶持，对设备、材料和制造能力方面投入和研发不足，这样会很容易出现卡脖子问题。所以决定牵头集中国内产学研力量，制定计划并严格执行，去逐个填补空白。

但不管是设备研发，还是材料开发，还是离不开企业，俄罗斯国内哪家企业能担当重任呢?

目前俄罗斯最大的芯片设计公司——贝加尔电子是最有希望带头的。

在设备与资金输入被大部切断、自身的经济技术实况也越发露底的当下，俄罗斯官方在计划上马新的国产替代来源项目。最近，俄罗斯贸易和工业部的22个工作组共同参与起草了一份，目标雄心勃勃，但资金十分有限的半导体发展计划。该文件将于2022年4月22日送交俄罗斯总理审查和批准。根据拟定的初步方案，政府预计会投入共计3.19万亿卢布(约2443亿人民币)来发展国产半导体的生产技术、芯片开发、数据中心基础设施、培养人才，以及解决方案的营销。其中最为瞩目的就是，2022年底实现90nm(英特尔2003年水准)的国产化，并在8年后的2030年建立起28nm(台积电2011年水准)的生产线。在半导体制造方面，计划可分为产品、基础设施、需求和人才这四个部分，预计花费4200亿卢布(约321亿人民币)。

‘产品’,目前来说最为紧迫的可能就是之前提到的90nm和28nm的量产了。不过，首先还是需要通过逆向工程破解所有相关‘境外产品解决方案’。之后的计划是2024年前尽可能让所有数码软硬件产品都转为俄罗斯国产，并在2030年让整个电子产品生态都用上本国的技术。根据该计划，国家将为项目的这一部分拨款1.14万亿卢布(约872亿人民币)。

对此，政府将投入4600亿卢布(约352亿人民币)，让本地的数据中心从现在的70个增加到2030年的300个。‘需求’,政府将刺激国内最大的公司和企业购买国产电子产品，并从官方预算中补贴高达50%的合同金额。此项目的金额为1.28万亿卢布(约980亿人民币)。

预计到2030年，俄罗斯30%的家庭将改用国产电子产品;而政府采购的产品则为100%。

据称到2030年，此子项目资金投入的数额将达到3090亿卢布(约236亿人民币)。在这个子项目中，据说要开发不少于400个新型电子产品的原型，并开展不少于2000个研究和开发项目。与此同时，该文件的作者希望将国内高等教育机构毕业生的所谓 ‘人才转换’，也就是从目前的5%提高到35%。此外，该计划还包括在现有和新的高校内设计中心基础上创建至少1000个设计团队。想搞国产光刻机，但只有5千万人民币,2022年3月底，俄国本地信源宣布：贸易与工业部拨款6.7亿卢布(约5100万人民币)，让莫斯科国立电子技术学院(MIET)进行X射线光刻机的相关研究，以期尽早开发出基于X射线同步辐射和/或等离子电浆技术的无掩膜光刻机。

据科技媒体tomshardware源引据俄罗斯媒体cnews报道，由于俄乌冲突，俄罗斯正受到美西方的制裁，无法获得台积电、三星等为其代工芯片。因此，俄罗斯正在制定计划以重振其陷入困境的半导体制造产业。

该国的新芯片计划涉及未来八年的巨额投资，不过目标听起来并不雄心勃勃。因为台积电都已经宣布到2026年生产2nm的芯片了，但俄罗斯的计划显示到 2030 年才能实现 28nm的本地芯片制造。

俄罗斯政府已经制定了新的微电子发展计划的初步版本，到 2030 年需要投资约 3.19 万亿卢布(约384.3 亿美元)。这笔资金将用于开发当地半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心基础设施、本地人才培养以及自制芯片和解决方案的营销 。

在半导体制造方面，该国计划花费 4200 亿卢布(50 亿美元)用于新的制造技术及其提升。短期目标之一是在年底前使用 90nm 制造技术提高本地芯片产量。一个更长期的目标是到 2030 年建立使用 28nm 节点的制造，相比之下台积电在 2011 年做到了这一点，俄罗斯落后了将近20年。

俄罗斯在软件和高科技服务方面历来相当成功，但在芯片设计和制造方面却相对薄弱。虽然计划在国内培养本地人才和开发芯片，但该国计划在今年年底前做的一件事是建立一个“外国解决方案”的逆向工程计划，将其制造转移到俄罗斯。到 2024 年，所有数字产品都应在国内生产。该国无法在国内生产的东西预计将来自中国。

虽然俄罗斯的计划似乎包含很多项目并设定了一些目标，但应该注意的是，到目前为止，即使是中国也没有将相当一部分至关重要的芯片制造本地化。无法使用美国、英国或欧洲开发的技术的俄罗斯能否在 2024 年或 2030 年之前实现其目标仍是未知数，但这并不意味着没有可能。