双通道单片式功率级，如果这是你想要的，就进来吧

ADI LTC7050-1双通道单片式功率级将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。

LTC7050-1双通道单片式功率级在电气和热优化封装中完全集成了高速驱动器和低电阻半桥电源开关，以及全面的监控和保护电路。借助合适的高频控制器，该功率级可形成具有先进的效率和瞬态响应的紧凑型大电流稳压器系统。

SilentMOS技术采用第二代Silent Switcher 2架构，可降低EMI和开关节点电压过冲，同时尽可能提升高开关频率下的效率。

高速电流检测可提供低延迟开关电流信息，从而实现严格的电流平衡和即时过流保护。

热增强型封装提供双路35A额定输出电流能力。

当高端 FET 开启时，>93A 的瞬时 SW 电流(流出 SW 的净电流)将使过流 (OC) 比较器跳闸并设置内部 OC 状态。 发生这种情况时，无论 PWM 引脚状态如何，高端 FET 都将关闭，而低端 FET 将打开，直到 SW 电流降至 5A，此时 OC 状态将被复位。恢复正常的 PWMHI 到高端 FET 和 PWMLO 到低端 FET 操作。 当低侧 FET 开启时，<–45A 的瞬时 SW 电流(流入 SW 的净电流)将使 OCN 比较器跳闸。发生这种情况时，无论 PWM 引脚状态如何，低端 FET 将关闭，高端 FET 将打开，直到 SW 电流增加到 –8A，此时 OCN 状态将被复位。 正常 PWMHI 到高端 FET 和 PWMLO 到低端 FET 操作恢复。 在 OC 或 OCN 条件下，FLTB 被拉低。

如果 PWM 从高电平变为 Hi-Z 状态，而大 (>5A) 电流仍从 VIN 流经顶部 FET 到 SW，则顶部 FET 将关闭，底部 FET 将打开以续流电流，直到它已经 斜降。 如果 PWM 从高电平变为 Hi-Z 状态，而大 (≥8A) 电流仍从 SW 流经顶部 FET 到 VIN，则顶部 FET 将在电流下降之前不会关闭。同样，如果 PWM 从低电平变为 Hi-Z 状态，而大 (≥8A) 电流仍从 SW 流经底部 FET 到 PGND，则底部 FET 将关闭，而顶部 FET 将打开以续流电流，直到 它已经降低了。 如果 PWM 从高电平变为 Hi-Z 状态，而大 (>5A) 电流仍从 PGND 流经底部 FET 到 SW，则底部 FET 将在电流下降之前不会关闭。

LTC7050-1 双通道单片式功率级的 VCC 和 PVCC 应在 VIN 出现之前偏置，并在 VIN 移除后断电。 不要强制 RUN 引脚电压高于 VCC 电压。 在启用 PWM 控制器之前，确保 LTC7050-1 双通道单片式功率级已被适当地偏置，并且 LTC7050-1 的 RUN 引脚被上拉。

ISNS 提供和吸收 SW 电流的 1/100,000 的电流。根据控制器的最大电流感应信号范围，选择合适的电阻将 ISNS 电流转换为反映实时 SW 电流的差分电压信号。电阻器应偏置在具有灌电流和拉电流能力的低阻抗共模电压。确保在最大正电流和负电流下，ISNS 引脚电压在规定范围内，使增益 ISNS/ISW 保持恒定。该数据表的第一页显示了一个通用的 LTC7050-1 应用电路。 LTC7050-1 双通道单片式功率级针对高频大电流稳压器的应用进行了优化。外部元件的选择很大程度上取决于负载要求，首先是选择开关频率 fSW 和电感器 L。一旦选择了电感器，就可以选择输入电容 CIN 和输出电容 COUT。选择 ISNS 电阻器来设置电流限制。

开关频率的选择是效率和元件尺寸之间的权衡。 低频操作通过减少 FET 开关损耗来提高效率，但需要更大的电感和/或电容来保持低输出纹波电压。在选择开关频率时，确保最大输入电压下的高端导通时间长于 LTC7050-1 双通道单片式功率级的最小导通时间 tON(MIN)，这是 LTC7050-1 能够实现的最小持续时间 打开顶部 FET。 它由内部时序延迟、功率级时序延迟和开启顶部 FET 所需的栅极电荷决定。

LTC7050-1 应通过低阻抗电源层连接至 VIN 电源。 陶瓷输入电容器应放置在物理上尽可能靠近封装的位置，其尺寸和数量适合温升和纹波电流，计算如下。

最后，小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读，对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。最后的最后，祝大家有个精彩的一天。