车用芯片大厂安森美(Onsemi)IGBT停止接单！国产厂商的机会来了？
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据业内人士爆料称，车用芯片大厂安森美(Onsemi)深圳厂内部人士透露，其车用绝缘栅双极晶体管(IGBT)订单已满且不再接单，2022年-2023年产能已全部售罄，但不排除有部分客户重复下单的可能。
据安森美深圳公司的内部人士透露，“我们对大客户都是采取直供模式，且2年一签，我们现在的产能刚好能满足已签订单的需求。目前我们今年、明年的订单都已经全部订出去了，我们现在已经不接单了。没有足够的产能，接单也无法交付，还要面临违约的风险。不仅是我们，其他主要供应商也面临这样的情况。”
自2020年底以来，受益于新能源汽车市场对于IGBT等关键功率半导体的旺盛需求，以及全球半导体制造产能紧缺的影响，英飞凌、安森美等功率半导体大厂都陷入了IGBT订单交货紧张的情况。此前供应链消息也显示，目前IGBT缺货已高达50周以上，供需缺口已经扩大到50%以上，IGBT订单与交货能力比最大已拉至2:1。自去年以来，部分车企也因为英飞凌、安森美等IGBT大厂供应的持续紧张，也开始扩大寻求斯达半导、时代电气、比亚迪半导体、华润微、士兰微等本土供应商供货。
受安森美IGBT停止接单消息影响，5月11日，国内相关功率半导体概念个股大涨，截至午间收盘，华微电子、立昂微、闻泰科技纷纷涨停，斯达半导上涨超5%，士兰微、华润微等均上涨超4%。虽然午后大盘指数冲高后大幅回落，但闻泰科技仍封死涨停，华微电子、立昂微仍保持了7%以上的涨幅，士兰微、华润微等涨幅则回落至2%左右。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见;IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。TOLL 封装的尺寸仅为 9.90 mm x 11.68 mm，比 D2PAK 封装的PCB 面积节省30%。而且，它的外形只有 2.30 mm，比 D2PAK 封装的体积小 60%。除了更小尺寸之外，TOLL 封装还提供比 D2PAK 7 引脚更好的热性能和更低的封装电感 (2 nH)。 其开尔文源极(Kelvin source)配置可确保更低的门极噪声和开关损耗 – 包括与没有Kelvin配置的器件相比，导通损耗 (EON) 减少60%，确保在具有挑战性的电源设计中能显著提高能效和功率密度，以及改善电磁干扰(EMI) 和更容易进行PCB 设计。
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