长江存储192层3D NAND样品开始交付，正式量产得到年底

据台湾《电子时报》援引消息人士的话报道称，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出相应产品。

上述消息人士表示，顺利推出192层3D NAND闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在NAND技术上追赶领先的韩国及美国竞争对手。

消息人士称，目前长江存储的128层3D NAND工艺良率已改善至令人满意的水平，长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。该公司将很快完成其总部位于武汉的工厂二期设施的建设，设备入驻预计将在今年晚些时候启动。到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7～8%。

值得注意的是，近日，存储芯片大厂美光(Micron)发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产，并将在2023年推出的新款SSD中使用。此外，三星电子预计也将在2022年下半年推出200层以上3D NAND闪存。

中国存储芯片产业以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华集成三大企业为主。以三家厂商的进度来看，试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能都在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国存储芯片生产元年。长江存储科技有限责任公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立。法定代表人赵伟国，公司经营范围包括半导体集成电路科技领域内的技术开发;集成电路及相关产品的设计等。

相信懂行的朋友都知道，三星在存储芯片的层数上最高量产也就是192层，也就是现在的世界顶尖水平了，200层往上三星也没有达到量产的水平。此前，长江存储也表示已经推出了UFS3.1规格通用闪存芯片--UC023.在这一方面目前NAND闪存的最高规格也就是US3.1，至于更高的，三星也只是有个概念，还没有能够达到量产，预计明年年初或者更晚一些时间会有所突破。这两则消息意味着什么?意味着我国存储芯片技术已经有了重大的技术性突破，能够和三星等厂商稍微比肩了。科学技术是第一生产力，长江存储的技术性突破离不开自身的科研追求，同时也离不开国家对于科研企业的扶持。现在长江存储的NAND 闪存芯片应用非常广泛，手机方面华为等手机厂商采用的就是长江存储的NAND 闪存芯片。

这几年，长江存储的NAND闪存大获成功，产品越来越多，自有致态(致钛)品牌的SSD也越发丰富，SATA/M.2、PCIe 3.0/4.0全覆盖。在此前的SSD产品中，长江存储先后使用了慧荣、英韧、联芸等厂商的主控方案，而三星、美光、SK海力士、铠侠(原东芝存储)、Solidgm(原Intel闪存)这些头部闪存大厂都有自己的主控，长江存储也要跟上了。

缺芯少魂，一直都是我国高端科技领域中永远的痛。当下，我国很多芯片，不要说高端芯片，就连中低端芯片，目前依旧没有完全实现国产化，对于外国依旧有一定程度上的依赖。不过，随着时间的车轮滚滚向前，我国也为此做出了很多的努力。有努力，有付出，自然也就会好消息的出现，现如今，长江存储，长鑫存储，在存储芯片方面，正在步入加速扩产的阶段，正在一步步打破对外依赖，那么，国产存储芯片巨头加速扩产究竟有何底气?在加速扩产的情况下，国产存储芯片巨头真就能实现以量取胜吗?

在存储芯片领域，我国国产巨头长江存储和长鑫存储加快了扩产的步伐，对于我国打破进口依赖，实现独立自主，还是很有帮助的。不过也不要太过乐观，如今加速扩产也未必就能促进我国存储芯片的发展。在存储芯片国产化方面，我国企业应该还有很长一段路要走。