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[导读]当地时间6月16日,晶圆代工巨头台积电在北美召开了2022年台积电技术研讨会。不仅公布了台积电下一代的2nm制程技术的部分细节信息,同时还透露,通过在中国台湾、中国大陆和日本建设新晶圆厂或扩产,预计到2025年,台积电的成熟制程的产能将扩大约50%。

当地时间6月16日,晶圆代工巨头台积电在北美召开了2022年台积电技术研讨会。不仅公布了台积电下一代的2nm制程技术的部分细节信息,同时还透露,通过在中国台湾、中国大陆和日本建设新晶圆厂或扩产,预计到2025年,台积电的成熟制程的产能将扩大约50%。

当地时间6月16日,晶圆代工巨头台积电在北美召开了2022年台积电技术研讨会。不仅公布了台积电下一代的2nm制程技术的部分细节信息,同时还透露,通过在中国台湾、中国大陆和日本建设新晶圆厂或扩产,预计到2025年,台积电的成熟制程的产能将扩大约50%。

台积电2nm工艺细节曝光:功耗降低30%,2025年量产在此次2022年台积电技术论坛上,台积电首度公布了其下一代先进制程N2(即2nm制程)的部分技术指标:相较于其N3E(3nm的低成本版)工艺,在相同功耗下,台积电2nm工艺的性能将提升10~15%;而在相同性能下,台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%;晶体管密度仅提升了10%。

需要指出的是,台积电N3E制程的晶体密度似乎要比N3(3nm)减少约8%,但仍比台积电N5(5nm)提升了30%,其优势在于,相比N3减少了4层EUV 光罩,使N3e将成为台积电更具成本及生产效率优势的重要节点。这也是为什么,台积电N2相比N3E所带来的性能的提升幅度和功耗降低的幅度,均低于N3E相比N5的提升。在晶体管架构方面,台积电N2终于抛弃了FinFET(鳍式场效应晶体管),采用了全新的纳米片晶体管架构(Nanosheet),即台积电版的GAAFET(环绕栅极晶体管)。

6月17日,台积电研发资深副总经理米玉杰在台积电硅谷技术研讨会上表示,公司将在2024年引进ASML高数值孔径极紫外光(high-NA EUV)光刻机,以开发客户所需的相关基础设施和图案化解决方案。不过,米玉杰在发布会上没有透露,台积电在购入该设备之后,何时会在制程研发中使用。

高数值孔径EUV光刻机是第二代EUV光刻工具,更高数值的孔径意味着更小的光线入射角度,也意味着能够用来制造尺寸更小、速度更快的芯片。高数值孔径EUV是当前最先进的EUV光刻机,目前只有ASML能够生产。尽管台积电业务开发资深副总经理张晓强称,台积电2024年还不准备运用新的高数值孔径EUV工具生产,引进的光刻机将主要用于与合作伙伴的研究,但台积电此次成功引进最先进的光刻机,无疑将进一步巩固自身在先进制程研发方面的领先地位。

作为制造芯片最先进的设备,光刻机的先进程度直接决定了芯片的制程工艺。ASML发言人称,更高的光刻分辨率将允许芯片缩小170%,同时密度增加2.9倍。未来比3纳米更先进的工艺将极度依赖高NA EUV光刻机。正是因为只有ASML才能生产EUV光刻机,ASML的利润较为可观。此前,ASML发布2021财年最新财报称,公司2021年净销售额为186亿欧元,同比增长35%;净利润59亿欧元,同比增长63.9%。此次台积电从ASML公司引进这一最先进的光刻机,将对台积电在先进制程的研发产生较大帮助。

台积电能够成长为全球芯片制造技术最先进、芯片代工市场份额最高的晶圆企业,肯定也不一般,也是从激烈竞争中冲出来的,并且也一直面临着其他企业的追赶。之前台积电领先的各方面跨度较大,一直以来非常淡定。然而,如今尽管在芯片代工产能上优势很大,但在制造技术上开始面临激烈挑战,错失一步都难以再领先。不过,台积电也早有准备,已在多方面进行了布局,最大程度的保障领先的地位。在建厂上。

台积电刚在中国台湾建成四座新晶圆厂,又宣布再建四座晶圆厂,都是为了生产3 nm级高端芯片,8个新晶圆厂每个耗资都在100亿美元左右。尽管台积电在美、日建厂,但先进芯片厂依然在本土,外媒表示这相当于承认了。还有三星去争取EUV,台积电也不担心。因为目前ASML出货的143台EUV,台积电已获一半左右,基数非常大。并且如今EUV产能开始放缓,一季度共出货3台。

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