当前位置:首页 > 模拟 > 模拟
[导读]摩尔定律表明:每隔 18~24 个月,封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍,芯片的性能也会随之翻一番。当FinFET结构走到了无法突破物理极限的时候,对新的晶体管技术提出了需求。

摩尔定律表明:每隔 18~24 个月,封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍,芯片的性能也会随之翻一番。当FinFET结构走到了无法突破物理极限的时候,对新的晶体管技术提出了需求。也就是说,GAA (gate-all-around,简称 GAA) 架构的出现再次拯救了摩尔定律。据称,台积电N2将使用GAAFET(全环绕栅极晶体管)技术,于2025年开始量产。N2在性能、功效上有明显提升,不过晶体管密度在2025年的时代背景中可能显得提升效果不大。

作为全新的芯片制作工艺平台,N2制程的核心创新在于两点:纳米片电晶体管(Nanosheet)与背面配电线路(backside power rail)。此两点都是为了提高单位能耗中芯片性能而设计的。台积电的‘全环绕栅极式纳米片电晶体管’(GAA nanosheet transistors),晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围,从而减少了电能泄漏。这在当下晶体管体积越发接近原子体积时,将会越来越突出。而且台积电‘环绕栅极式纳米片电晶体管’的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能,也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。

虽然目前智能手机、PC、服务器等领域都需要先进制程的处理器,但同时也仍然会用到大量的成熟制程芯片。同时,很多家电、物联网设备更是大量依赖成熟制程的芯片。

根据台积电以智能手机为例公布的数据显示,对于目前的5G智能手机来说,存在着非常多的成熟制程芯片,比如各种传感器(包括MEMS传感器和图像传感器)大概会有10~25颗,制程工艺涵盖0.35μm~28nm;音频/显示/触控芯片,大约会有2~4颗,制程工艺涵盖90nm~22nm;射频芯片大约会有15~40颗,制程工艺涵盖65nm~6nm;电源管理相关芯片大约会有10~30颗,制程工艺涵盖025μm~40nm。

此外,汽车市场对于成熟制程的芯片需求也在持续爆发,特别是随着汽车电动化、智能化、联网化、自动化,每辆汽车最少也需要数百颗芯片。而这其中,大部分都是成熟制程芯片。

比如在感知方面,可能会用到1-20颗的图像传感器芯片,制程工艺可能会在0.11μm~65nm;在雷达和连接性方面,可能会用到10~25颗芯片,制程工艺涵盖0.16μm-6nm;在车辆控制方面,可能会用到20~100颗的MCU及eNVM芯片,制程工艺涵盖0.18um ~ 28nm;在电源管理方面,将会用到大约50-100颗BCD芯片,制程工艺涵盖0.35~55nm。

6月18日消息,日前,台积电全面公开了旗下的3nm及2nm工艺技术指标,相比3nm工艺,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。性能及功耗看着还不错,但台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏,只提升了10%,按照摩尔定律来看的话,新一代工艺的密度提升是100%才行,实际中也能达到70-80%以上才能算新一代工艺。

台积电没有解释为何2nm的密度提升如此低,很有可能跟使用的纳米片电晶体管(Nanosheet)技术有关,毕竟这是新一代晶体管结构,考验很多。

密度提升只有10%的话,对苹果及、AMD、高通、NVIDIA等客户来说,这是不利于芯片提升的,要么就只能将芯片面积做大,这无疑会增加成本。更重要的是,台积电表示2nm工艺要到2025年才能量产,意味着芯片出货都要2026年了,4年后才能看到,工艺升级的时间也要比之前的5nm、3nm更长。

台积电在2nm工艺上的挤牙膏,倒是给了Intel一个机会,因为后者预计在2024年就要量产20A工艺及改进版的18A工艺了,同样也是“2nm”级别的。目前两家的2nm工艺都是PPT上的,但是台积电这次的2nm工艺表现不尽如人意,这让Intel励志重回半导体工艺第一的目标有了可能。

在今天的技术论坛上,台积电首次全面公开了旗下的3nm及2nm工艺技术指标,相比3nm工艺,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。

然而性能及功耗看着还不错,但台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏,只提升了10%,按照摩尔定律来看的话,新一代工艺的密度提升是100%才行,实际中也能达到70-80%以上才能算新一代工艺。

台积电没有解释为何2nm的密度提升如此低,很有可能跟使用的纳米片电晶体管(Nanosheet)技术有关,毕竟这是新一代晶体管结构,考验很多。

密度提升只有10%的话,对苹果及、AMD、高通、NVIDIA等客户来说,这是不利于芯片提升的,要么就只能将芯片面积做大,这无疑会增加成本。

更重要的是,台积电表示2nm工艺要到2025年才能量产,意味着芯片出货都要2026年了,4年后才能看到,工艺升级的时间也要比之前的5nm、3nm更长。

台积电在2nm工艺上的挤牙膏,倒是给了Intel一个机会,因为后者预计在2024年就要量产20A工艺及改进版的18A工艺了,同样也是“2nm”级别的。

目前两家的2nm工艺都是PPT上的,但是台积电这次的2nm工艺表现不尽如人意,这让Intel励志重回半导体工艺第一的目标有了可能。

坦率说,目前 3nm 尚未正式商用,普通消费者能体验到最先进制程还是 4nm。2nm 距离我们还是相当遥远的,台积电表示,2nm 工艺将于 2025 年量产。按照之前的经验推断,用上 2nm 的手机可能都到 iPhone 17 了。

说实话,现在工艺制程的推进速度不是特别理想。据最新曝光消息,苹果秋季要上线的 A16 芯片用的是 4nm 增强版工艺,而不是之前大家期盼的 3nm。

安卓阵营来说的话,工艺制程的进步,并没有真正解决顶级旗舰芯片的发热问题,甚至导致实际峰值性能持续时间非常短,综合体验不如几年前的老款旗舰芯片。

但即便如此,大环境下,相比于工艺进步不明显这种 " 小问题 ",可能缺芯才是最大问题。除了手机,汽车等行业对芯片的需求量同样非常高,只是这些芯片对工艺制程要求不高,厂商更注重的还是可靠性、产量、价格等。

台积电作为芯片代工行业里头部的头部,技术先进性自然是毋庸置疑的。只是,作为探路者,在先进制程突破上暂时遇到挫折也是很正常的。同时,台积电每年的净利润数字都很惊人,但在先进制程上的投资规模也相当庞大。对台积电来说,已经实现了高投资高回报的良性循环。

声明:该篇文章为本站原创,未经授权不予转载,侵权必究。
换一批
延伸阅读

LED驱动电源的输入包括高压工频交流(即市电)、低压直流、高压直流、低压高频交流(如电子变压器的输出)等。

关键字: 驱动电源

在工业自动化蓬勃发展的当下,工业电机作为核心动力设备,其驱动电源的性能直接关系到整个系统的稳定性和可靠性。其中,反电动势抑制与过流保护是驱动电源设计中至关重要的两个环节,集成化方案的设计成为提升电机驱动性能的关键。

关键字: 工业电机 驱动电源

LED 驱动电源作为 LED 照明系统的 “心脏”,其稳定性直接决定了整个照明设备的使用寿命。然而,在实际应用中,LED 驱动电源易损坏的问题却十分常见,不仅增加了维护成本,还影响了用户体验。要解决这一问题,需从设计、生...

关键字: 驱动电源 照明系统 散热

根据LED驱动电源的公式,电感内电流波动大小和电感值成反比,输出纹波和输出电容值成反比。所以加大电感值和输出电容值可以减小纹波。

关键字: LED 设计 驱动电源

电动汽车(EV)作为新能源汽车的重要代表,正逐渐成为全球汽车产业的重要发展方向。电动汽车的核心技术之一是电机驱动控制系统,而绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电机驱动系统中的关键元件,其性能直接影响到电动汽车的动力性能和...

关键字: 电动汽车 新能源 驱动电源

在现代城市建设中,街道及停车场照明作为基础设施的重要组成部分,其质量和效率直接关系到城市的公共安全、居民生活质量和能源利用效率。随着科技的进步,高亮度白光发光二极管(LED)因其独特的优势逐渐取代传统光源,成为大功率区域...

关键字: 发光二极管 驱动电源 LED

LED通用照明设计工程师会遇到许多挑战,如功率密度、功率因数校正(PFC)、空间受限和可靠性等。

关键字: LED 驱动电源 功率因数校正

在LED照明技术日益普及的今天,LED驱动电源的电磁干扰(EMI)问题成为了一个不可忽视的挑战。电磁干扰不仅会影响LED灯具的正常工作,还可能对周围电子设备造成不利影响,甚至引发系统故障。因此,采取有效的硬件措施来解决L...

关键字: LED照明技术 电磁干扰 驱动电源

开关电源具有效率高的特性,而且开关电源的变压器体积比串联稳压型电源的要小得多,电源电路比较整洁,整机重量也有所下降,所以,现在的LED驱动电源

关键字: LED 驱动电源 开关电源

LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电压转换器,通常情况下:LED驱动电源的输入包括高压工频交流(即市电)、低压直流、高压直流、低压高频交流(如电子变压器的输出)等。

关键字: LED 隧道灯 驱动电源
关闭