MOS管的实际应用和正确用法你知道吗？

MOS管将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对MOS管的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。

一、MOS管应用

MOS管在车载逆变器中的应用主要是用于控制电路的开关，实现直流电到交流电的转换。MOS管具有开关速度快、损耗小、可靠性高等优点，因此在车载逆变器中得到了广泛应用。

1、车载逆变器

车载逆变器是将汽车电池的直流电转换为交流电，以供车载电器使用的设备。在车载逆变器中，常用的三种电路控制方式包括推挽控制、防反接保护电路和全桥电路。

-推挽控制是一种常用的逆变器控制方式。它通过NPN和PNP两个晶体管来控制输出电压的正负极性。

通过交替控制两个晶体管的导通和截止，可以实现输出电压的正负切换：

当NPN晶体管导通时输出电压为正;当PNP晶体管导通时输出电压为负。通过交替控制两个晶体管的导通和截止，可以实现输出电压的正负切换。

-防反接保护电路是一种保护逆变器的电路，它能够防止逆变器输出端口接反而导致的损坏。它通常由一个二极管和一个开关管组成：当输出端口接反时，二极管导通，将反向电流引到开关管上，使开关管断开，保护逆变器从而不受损坏。

-全桥电路是一种高效的逆变器控制方式，它通过四个开关管来控制输出电压的正负极性：

当两个对角线上的开关管导通时，输出电压为正;当另外两个对角线上的开关管导通时，输出电压为负。通过交替控制四个开关管的导通和截止，可以实现输出电压的正负切换。

2、MOS管在车载逆变器中的应用

MOS管的电压和电流承受能力也是非常强的，可以满足车载逆变器的高功率需求。

在车载逆变器中，MOS管通常被用作开关元件。通过控制MOS管的导通和截止，可以实现直流电到交流电的转换。

MOS管在车载逆变器中的三种控制方式的应用情况如下：

1. 防反接保护电路：主要用于防止电池的正负极接反而导致MOS管损坏。通过在MOS管的控制端加入二极管，当电池正负极接反时，二极管导通，起到保护MOS管的作用。

2. 推挽控制：主要用于控制车载逆变器的输出电压。通过两个MOS管交替导通，实现输出电压的正负半周控制。简单来讲，当一个MOS管导通时，另一个MOS管截止，输出正半周电压;反之则输出负半周电压。

3. 全桥电路：主要用于控制车载逆变器的输出频率。通过四个MOS管交替导通，实现对输出频率的控制。具体而言，当两个对角线上的MOS管导通时，输出正半周电压;反之，当另外两个对角线上的MOS管导通时，则输出负半周电压。

MOS管在工作状态时，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电压等优势，但也存在着漏电流大、静态功耗高等劣势。

二、MOS管的正确用法

(1)NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V，即发射结正偏(VBE为正)，NPN型三极管即可开始导通。

基极用高电平驱动NPN型三极管导通(低电平时不导通);基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND;优点是，①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止;②系统刚上电时，基极是确定的低电平。

(2)PNP型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压(此处为VCC)0.7V，即发射结反偏(VBE为负)，PNP型三极管即可开始导通。

基极用低电平驱动PNP型三极管导通(高电平时不导通);基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC;优点是，①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止;②系统刚上电时，基极是确定的高电平。

所以，如上所述，对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。

对PNP三极管来说，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。不够周到的设计是，负载R14接在集电极和VCC之间。

这样，就可以避免负载的变化被耦合到控制端。从电流的方向可以明显看出。

(3)PMOS，适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压(此处为VCC)超过Vth(即Vgs超过-Vth)，PMOS即可开始导通。

栅极用低电平驱动PMOS导通(高电平时不导通);栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可靠地截止。

(4)NMOS，适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压(此处为GND)超过Vth(即Vgs超过Vth)，NMOS即可开始导通。

栅极用高电平驱动NMOS导通(低电平时不导通);栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，NMOS能够更快更可靠地截止。

所以，如上所述，对PMOS来说，最优的设计是，负载R16接在漏极和GND之间。不够周到的设计是，负载R16接在源极和VCC之间。

对NMOS来说，最优的设计是，负载R18接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R18接在源极和GND之间。

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