英特尔抢用 High-NA EUV 光刻机，专家：成本高亏损恐扩大

英特尔抢先导入ASML的高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）设备，为外界视为是英特尔重返技术领导地位的关键作为。产业专家表示，High-NA EUV成本居高不下，英特尔抢用High-NA EUV恐面临亏损扩大窘境。

台积电年度技术论坛陆续于美国及欧洲举行，台积电预计2026年量产A16技术，将结合纳米片晶体管及超级电轨架构，为业界关注焦点。

当英特尔抢订High-NA EUV设备，消息人士称，ASML今年预计制造5台High-NA EUV设备，已全数由英特尔包下。台积电决定A16制程将持续采用既有EUV设备，不打算使用High-NA EUV设备，受到各界瞩目，并引发热烈讨论。

英特尔首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）认为先前反对使用ASML的EUV设备是错误决策，拖累晶圆代工事业欠缺获利能力。他指出，在采用EUV设备后，英特尔在价格、性能方面都很有竞争力。外界关注英特尔抢先导入High-NA EUV设备，能否有助其重返技术领先地位。

专家表示，台积电会决定A16制程不采用High-NA EUV设备，应是经过综合评估的决策。

专家表示，台积电应明确知道High-NA EUV设备带来的好处，不过，在成本居高不下的情况下，通过其他方式，以满足客户的综合需求。

据ASML指出，High-NA EUV设备将数值孔径从0.33增至0.55，更具高分辨率图像化能力，能够提高精准度，成像更清晰，有助简化制造流程，减少生产时间，提升生产效率。

台积电业务开发资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强日前于欧洲技术论坛说，他喜欢High-NA EUV设备的性能，但不喜欢它的价格，成本非常高。

ASML每套EUV设备价格约1.8亿美元，High-NA EUV设备报价高达3.8亿美元，较EUV高出1倍以上，约122亿元新台币。

专家表示，半导体先进封装重要性日益提高，将扮演关键配套角色，英特尔争抢High-NA EUV设备，是“选错战场、武器”，因为High-NA EUV设备不是未来左右输赢的唯一关键。

专家说，台积电为全球晶圆代工龙头，客户多、生态系完整，且资金充裕，客户若有需求且愿意支付更高价格，台积电势必会采用High-NA EUV设备。

专家表示，台积电采用High-NA EUV设备持审慎态度，应已综合考量必要性，英特尔若大举采购High-NA EUV设备，未来产能利用率值得观察，预期不排除可能面临亏损扩大的窘境。

（科技新报）