当前位置:首页 > 电源 > 电源AC/DC
[导读]三相串联电感式逆变器电路如图所示。图中C0为直流滤波电容,VT1~VT6为主晶闸管,L1~L6为换流电感,C1~C6为换流电容,VD1~VD6为反馈二极管。这种逆变器属180°导通型

三相串联电感式逆变器电路如图所示。图中C0为直流滤波电容,VT1~VT6为主晶闸管,L1~L6为换流电感,C1~C6为换流电容,VD1~VD6为反馈二极管。

这种逆变器属180°导通型,每个晶闸管在阻性负载时每周期中导通180°,相邻序号的晶闸管两个触发脉冲的间隔为60°,换流在同一桥臂之间进行,如a相的VT1与VT4、b相的VT3与VT6、c相的VT5与VT2。在每一周期的任何瞬间每相都有一个管子导通。为了保证大电感负载时能可靠换流,触发脉冲宽度应大于90°,一般为120°。

 

 

特点

(1)主晶闸管承受的du/dt值较低。

(2)主晶闸管除承担负载电流外,还承担环流电流。当逆变器输出频率较高时,环流较大,故不适用于频率较高的场所。此外,环流较大,换流效率较低,故适用于中等功率负载。

(3)当换流参数一定且负载电流一定时,晶闸管承受的反压时间随直流电压 降低而减小,所以适用于调压范围不太大的场合。

 

换流过程

晶闸管之间的换流采用强迫换流方式,由换向电容和换向电感来完成。现以a相VT1换流到VT4为例作大致分析。

当晶闸管VT1导通时, =0、 =U,即换流电容C4已充上电荷,使VT4承受正向电压,具备导通的一个条件。当触发VT4导通后,电容C4放电,放电回路为C4→L4→VT4= 。由于L4和L1耦合较紧,在L1中产生同样的电压U,从而使VT1承受反压而关断。VT1关断以后,C1充电、C4放电,此时,在L4中将流过与原先VT1导通时相应的电流 = ,以保持VT1关断瞬时在L1中的磁能不变。L4中的电流在 =L4 =L4 =0时达最大值,以后电流 =

下降,在L4中感应相反极性的电势,使VD4承受正偏而导通,VT4则截止。从VD4导通起,C1及C4充放电过程就基本上结束了。VD4导通后, 改变极性,而电流仍保持原来方向,显然这是由感性负载的性质所决定的,VD4导通时间的长短取决于负载的功率因数角。但由于此时VT4的触发脉冲并未消失,VD4中的电流 减小至零以后,VT4重新导通,因此,VT4经历了触发导通、截止到再导通的过程。应该指出,起初的从导通到截止的过程是十分短暂的,所以可以认为在感性负载时,当触发VT4、关断VT1时,首先是反馈二极管VD4导通,待经过相应于j角的时间后VT4才开始寻通。

 

三相串联电感式逆变器输出电压波形及数量的关系

阻性负载时,各管导通顺序如表6-1所示。

 

 

在0°~60°期间,VT1、VT6、VT5导通。因三相负载对称,可得相电压、线电压分别为

 

 

在60°~120°期间,VT1、VT6、VT2导通。此时

 

 

依此分析,可得负载上相电压、线电压波形如图6-38所示。感性负载时,各管导通顺序如表6-2所示。

 

 

 

 

如表6-2中所表示的,若a相的晶闸管VT1、VT4换流时(关断VT1、触发VT4),因感性负载中电流方向的变化落后于电压极性的变化,因此当VT1关断后,应是与VT4反并联的续流二极管VD4导通,以保证当电压极性改变后仍维持a相中原先的电流流通方向,之后才是VT4导通。可见在感性负载时晶闸管在一个周期中的导通角度q =180°-j。晶闸管及续流二极管合计的导通角度为180°。在不考虑管子导通压降的情况下,VD4或VT4导通均不影响a相电压,因此,输出电压波形就与阻性负载时相同,其数量关系也就一样了。也就是说,180°导通型的电压型逆变器交流输出电压的波形和数值与负载性质无关,此时,输出电压与直流侧的输入电压有确定的对应关系,这是这类逆变器的优点。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除( 邮箱:macysun@21ic.com )。
换一批
延伸阅读

同步整流本来是为了降低损耗,但时序没调好时,最先发热的往往是体二极管和相邻开关。MOS管体二极管不是免费通路,它的导通和恢复都会把效率与应力拉回去。

关键字: MOS管 二极管 时序

在现代电子设备高速集成、小型化发展的背景下,芯片制程不断升级,核心元器件的耐压、抗干扰阈值持续降低,静电放电(ESD)已成为诱发电子设备故障、损坏的核心诱因之一。ESD瞬态脉冲具备上升时间极短、峰值电压高、冲击能量集中的...

关键字: 芯片 静电放电 二极管

在现代电子设备的庞大体系中,二极管是最基础却最不可或缺的半导体器件。而由两只及以上二极管组合封装而成的二极管组件,更是凭借缩小体积、简化安装、提升性能一致性的优势,成为电源、通信、工业控制等领域的核心元件。从日常使用的手...

关键字: 二极管 电源

二极管是电子电路中最基础也最核心的半导体器件之一,从最简单的整流电路到复杂的射频通信系统,从电源管理到信号检测,几乎所有电子设备都离不开二极管组件。经过百余年的发展,二极管已经衍生出数十种针对不同场景的细分品类,不同类型...

关键字: 二极管 整流二极管

在现代电子电路设计中,二极管作为基础半导体器件,衍生出了诸多功能细分的特殊品类,其中肖特基二极管和瞬态抑制二极管(TVS)是应用最广泛、功能定位最清晰的两类元件。二者虽然同属二极管家族,但从结构原理到功能作用有着本质区别...

关键字: 二极管 肖特基二极管

不久前,在我的一个项目中,我向大家展示过如何将一台黑白的老式迷你电视改造成复古时钟。这次,我将介绍另一个项目,你可以用旧电视制作出精美的视频效果——即全屏立体声VU电平表。

关键字: Arduino Nano 微控制器 1N4001 二极管

这些单向和双向器件采用0.88 mm的薄形设计,并具有易于吸附焊锡的侧边焊盘,不仅节省空间,而且能够提供高达137 V的卓越钳位能力

关键字: 二极管 激光雷达 摄像头

VETH100A1DD1符合 OPEN Alliance关于静电保护器件的全部三项EMC测试规范

关键字: 静电保护器 二极管 以太网

美国 伊利诺伊州罗斯蒙特、中国 上海 — 2026年5月12日 — 为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS),今天宣布推出 TPSMC, TPSMD 及 TP5....

关键字: 二极管 加热器 功率半导体

激光雷达作为自动驾驶、智能安防、环境监测等领域的核心感知设备,其大规模普及的关键的在于突破“高灵敏度、低成本、小型化、高可靠性”四大核心瓶颈。硅光电倍增管(SiPM)作为一种新型固态光电探测器,凭借高增益、单光子探测能力...

关键字: 传感器 激光雷达 二极管
关闭