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Vishay推出新的PLTT精密低TCR高温薄膜电阻
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其PLTT精密低TCR高温薄膜电阻现可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸，阻值范围扩大至250Ω～3MΩ，并可提供非标阻值。PLTT电阻的工作温度范围为-55℃～
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集成电路产业：设计向东制造向西
未来5到10年，中国集成电路产业的整体空间布局，将呈现“有聚有分，东进西移”的演变趋势。即产业的区域分布将更加集聚，企业区域投资则趋于分散；设计业将向东部汇聚，制造业将向西部转移。这是赛迪顾问日前发布的《
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联发科吸纳宏达电研发团队 平板计算机芯片3Q席卷市场
联发科日前透露2011年下半将有平板计算机相关芯片解决方案问世，董事长蔡明介亦对于全球平板计算机市场需求前景看好，并强调联发科内部产品线已调整重新上轨道，值得注意的是，近期业界盛传宏达电Flyer设计团队可能飞
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日本新光电气将量产无玻璃纤维核心层基板
赖逸安／综合外电 日本零组件大厂新光电气工业于2011年6月20日正式宣布，将量产采无玻璃纤维核心层构造的半导体封装用基板「DLL3」。 该公司自2000年开始提出DLL3的构想，2004年正式著手开发，2008年实行试产，至
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上海华力微电子55纳米工艺产品试流片
日前，“909”工程升级改造——华力微电子12英寸全自动芯片生产线55纳米工艺产品开始试流片，标志着这一国家电子信息产业调整和振兴规划确定的重大工程和上海高新技术产业化重大项目建设进入了新阶段。 华力微电
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《半导体》日月光Q3封测营收季增逾1成
受惠于IDM厂委外代工订单持续涌入，以及智能型手机及平板计算机等行动装置内建芯片封测订单维持高档，封测龙头大厂日月光（2311）第2季封测事业合并营收可望如预期般季增7％，第3季营收还可望季增逾1成，表现明显
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GlobalFoundries光刻专家谈EUV最新进展
GlobalFoundries公司的光刻技术专家Obert Wood在最近召开的高级半导体制造技术会议ASMC2011上表示，尽管业界在改善EUV光刻机用光源技术方面取得了一定成效，但光源问题仍是EUV光刻技术成熟过程中最“忐忑”的因素。O
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日商矽晶圆看涨 受惠与受害概念股一览
继半导体耗材在第二季率先调涨后，日本二大矽晶圆供应商日商信越半导体及胜高（SUMCO），传将调涨第三季8寸及12寸矽晶圆价格，涨幅至少一成，将使得IC设计商联发科、立錡等，以及台积电（2330）、联电等晶圆代工厂
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联发科给「晶」喜 矽品乐
IC设计大厂联发科（2454）新芯片传捷报，也为封测厂矽品（2325）、矽格和京元电订单注入一剂强心针。 法人表示，矽品因追赶铜制程策略奏效，5月营收重回成长行列，由于争取整合元件大厂订单有望，加上主力客户联发
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宜特获金萃奖迈向全方位半导体测试验证
宜特科技宣布获得由国内经营权威与专家学者所组成的中华民国优良厂商协会颁发“金萃奖--第一品牌”殊荣，此奖的嘉许，除肯定宜特在客户服务品质、创新技术突破与经营方向的努力，无疑也奠定宜特在台湾科技产业验证测
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中芯国际：灿芯半导体第一颗40nm芯片验证成功
灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：HK0981)共同宣布灿芯半导体第一颗 40nm 芯片在中芯国际一次性流片验证成功。灿芯半
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AMD 28nm：GPU芯片花落台积电 APU两家分享
据台湾媒体报道，AMD已经利用台积电28nmHKMG工艺完成了下代显卡“南方群岛”的流片工作(此前有消息称二月份就已搞定)，将在今年年底投入批量生产并正式发布。AMD高管昨日也重申，下代显卡会在年内推出。 这样一来
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新光电气工业正式宣布量产无芯基板
量产中的无芯基板“DLL3” （点击放大） 传统的积层基板层（左）与此次的无芯基板（右）（点击放大） 2011年6月20日，新光电气工业正式宣布将量产采用无芯结构的半导体封装用基板（转接板）“DLL3”。 新光
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联电Q3营收成长率虽下修 长期仍有德仪28奈米大单挹注
日本矽晶圆供应商传将调涨第3季8寸和12寸矽晶圆价格，而英特尔、三星也抢进晶圆代工订单，市场台积电(2330-TW)、联电(2303-TW)等第3季降面临旺季不旺的窘境。花旗环球证券表示，联电2011年将是衰退的一年，主要是通讯
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基于基础架构接收器的超低噪声放大器设计方案
引言 放大器要适用于无线基础架构接收器，必须满足低噪声、高线性度和无条件稳定性等关键要求。为此，Skyworks使用 0.5 微米增强型pHEMT（即E-pHEMT）技术开发了新的低噪声放大器（LNA）系列。覆盖 0.7–1.0
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