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联电2010年财报

郑茜文联电2010年全年总出货为约当8吋晶圆452.2万片，营收为1204.3亿元，获利 239 亿元，每股盈余1.91 元，营收获利双创新高。从制程比重来看，0.5微米以上制程占营收比重5%，0.25/0.35微米制程占12%，0.15/0.

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2011-01-27

联电微米元件晶圆厂
扩充先进制程　联电今年资本支出18亿美元

郑茜文／台北为扩充40奈米与28奈米先进制程产能，联电宣布2011年资本支出将达约18亿美元，与2010年相当，联电预估，2011年12吋产能将增加25%，65奈米制程全年营收比重将提升至40%左右，40奈米制程下半年将提升到10%

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2011-01-27

先进制程 LED DM 联电
矽品上季毛利率微增　年底铜打线比重提升至50%

胡皓婷／台北封测大厂矽品精密26日公布2010年财报，2010年每股税后盈余(EPS)达新台币1.8元，值得注意的是，矽品2010年第4季毛利率较第3季14.2%小幅成长0.1个百分点，优于预期。矽品董事长林文伯表示，虽然2010年第4

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2011-01-27

封装测试机 EPS IC设计业
美、印、大陆景气带动　矽品林文伯：封测业成长7~13%

胡皓婷／台北针对产业未来走势，封测大厂矽品精密董事长林文伯认为，虽然2011年景气指标好坏皆现，不过观察美国所公布的数据，景气有转为复甦的迹象，再加上智慧型手机(Smartphone)以及平板电脑(Tablet)等产品需求成

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2011-01-27

半导体产业平板电脑 PHONE
联电去年EPS 1.91元　本季营收估下滑12~14%

郑茜文／台北联电公布2010年第4季财报，整季的营收下滑4.1%，然税后净利达新台币64.2亿元，累计联电2010全年获利达238.99亿元，年成长5.16倍，每股税后盈余1.91元。展望2011年，由于支援客户产品和技术转换需求，联

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2011-01-27

晶片 EPS 联电晶圆厂
铜打线营收激增，矽品Q4毛利率优于法人预期

IC封测大厂矽品(2325)26日举行2010年第四季法说会，一开场董事长林文伯直说，这一季过的好一点，虽然营收未达到持平的预期，不过毛利率为14.3%，较上一季提升0.1%，明显优于法人圈普遍预期低于10%的水准，且这0.1%可

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2011-01-27

通讯电子 Flash EPS
矽品今年资本支出减逾3成；铜打线占比目标50%

封测龙头厂矽品(2325)董事长林文伯表示，今年资本支出暂定为100亿元，与去年相比减少逾30%。另外，市场关心的铜打线的业务状况，林文伯说，统计到2010年12月时，铜打线占整体打线封装营收比重已经达17.9%，预计今年底

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2011-01-27

晶片封装基板测试机
林文伯：Q1最不利因素是汇率，而ASP有压力

对于今年第一季的看法，矽品(2325)董事长林文伯表示，现在市场对于封测业第一季表现来说，多预估约5%的季减幅度，最大的不利因素就是汇率，同时ASP(每单位平均售价)也有下跌的压力。林文伯指出，以公司本身第一季的接

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2011-01-27

工程师基板 PC IC设计
GLOBALFOUNDRIES公司CEO：“可能在阿布扎比建设半导体工厂”

在阿布扎比建设高端技术集群区的构想（点击放大）美国GLOBALFOUNDRIES公司首席执行官（CEO）Douglas Grose于2011年1月25日在东京举办的记者招待会上，介绍了在阿布扎比建设尖端技术集群区（Technology Cluster）

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2011-01-27

半导体 CE SE GLOBALFOUNDRIES
东芝开发出用于16nm工艺以后半导体布线的探针技术

此次开发的探针。即使整个接触面磨损，绿色金属部分的形状也不会改变。（点击放大）原来的Si悬臂梁在耐用性上存在问题。（点击放大）据介绍此次开发的探针的耐用性提高到了原来的25倍。（点击放大）东

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2011-01-27

半导体东芝金属布线
GLOBALFOUNDRIES公司CEO：“2012年下半年开始20nm工艺量产”

美国知名半导体代工企业GLOBALFOUNDRIES公司2011年1月25日在东京召开了记者招待会，该公司首席执行官（CEO）Douglas Grose公布了28～20nm工艺的量产和产能扩大计划。28nm工艺方面，预定2011年4～6月进行首批顾客的送

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2011-01-27

金属栅极 CE GLOBALFOUNDRIES
产能吃紧迫使2010年半导体生产更有效率

2010年全球半导体产业成长率达到了30%，半导体销售额也加了31%，然而，基于半导体产品出货的晶圆需求却仅增加了22%，是什么原因导致这个落差？或许半导体制造商陷入了由于过去几年投资不足而导致的产品窘迫局面。不过

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2011-01-27

半导体晶片晶圆 SEMI
采用噪声消除技术的3～5 GHz CMOS超宽带LNA设计

本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工艺,设计了可以工作于3～5 GHz频段的超宽带低噪声放大器。对电路的输入匹配和增益进行了分析,对噪声消除技术进行了推导。仿真结果表明,该放大器在工作频带内的各项指标满足超宽带系统应用。

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2011-01-26

超宽带噪声消除 CMOS HZ
联电下半年 40/45奈米比重达1成

联电执行长孙世伟看好今年40/45奈米制程技术业绩可望逐季攀高，预期下半年营收比重可望达1成水准。联电今年资本支出将约18亿美元，40奈米将是扩充重点。晶圆代工厂联电今天召开法人说明会，孙世伟表示，去年联电65奈

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2011-01-26

晶片先进制程制程技术联电
联电估Q1出货季减1%至3%

受新台币升值及部份客户产品与技术转换影响，晶圆代工厂联电预期，第1季出货量恐将季减1%至3%，产品平均销售价格也将较去年第4季下滑4%至6%。联电今天召开法人说明会，由执行长孙世伟主持；孙世伟表示，全球金融海啸

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2011-01-26

晶圆代工联电

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联电2010年财报

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采用噪声消除技术的3～5 GHz CMOS超宽带LNA设计

联电下半年 40/45奈米比重达1成

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