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三星在华存储芯片项目开建 抢占中国市场份额
三星电子将发力抢占中国存储芯片市场。9月12日，三星电子宣布，位于中国大陆西安的10nm级NAND型闪存(NANDFlash)制造厂将会开始动工，预期可在2013年底兴建完成，并于2014年起开始投产。三星电子指出，新成立的三星(中
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ST微控制器整合九轴MEMS感测器
意法半导体(ST)为简化高性能STM32 F3微控制器开发专案，推出并开始量产一个简易使用的创新开发平台。 意法半导体微控制器产品部总经理Michel Buffa表示，意法半导体的STM32 F3微控制器系列和微机电系统(MEMS)感测器
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延续摩尔魂 G450C揭橥18寸晶圆量产计划
18寸晶圆研发能量日益壮大。全球18寸晶圆推动联盟(G450C)已在美国纽约州奈米科学与工程学院(CNSE)的12寸晶圆厂，安装十一台18寸晶圆生产设备，并将于今年12月进一步打造首座18寸晶圆无尘室(Cleanroom)。此外，该联盟
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台晶圆双雄Q4营收恐衰5~10%
瑞信证券出具最新半导体报告指出，晶圆代工厂8月营收表现亮眼，特别是台积(2330)8月营收大幅优于预期，而联电(2303)则在低价智慧型手机拉货带动下，营收走高，世界先进(5347)也在驱动IC出货拉升下，缴出亮眼成绩单，
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回击台积，梁孟松抗告遭驳回
台积电(2330)前研发部处长梁孟松，转任三星后，台积电为防止梁孟松泄漏营业秘密，向智能法院提出假处分的声请，获法官何君豪裁准，梁孟松不服，提起抗告。智能财产法院合议庭日前裁定，驳回梁孟松的抗告。 梁若对抗
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传三星向日月光求偿责任未定
(记者钟荣峰台北13日电)市场传出三星(Samsung)向创意和日月光求偿LTE晶片出货受阻损失。业界人士表示，目前责任归属未定，三方仍在协商中。市场传出三星LTE晶片出货受阻，三星有意向IC设计伙伴创意电子和晶片后段封测
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PC出货迟滞DRAM需求疲弱力晶8月营收月减3.17%
DRAM厂力晶(5346-TW)今天公布8月份营收为26.32亿元，月减3.17%；力晶副总暨发言人谭仲民表示，由于近期个人电脑出货成长迟滞，导致DRAM需求不振、报价走跌，也使得该公司8月份营收较上月微幅衰退。谭仲民指出，尽管个
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20nm和3D IC将是积极的产业
过去一年中，Mentor公司实现了10亿美元的营业额。并在20nm设计、3DIC、DFM(可制造设计)、DFT(可测试设计)、SoC验证方面都有很大进展。在北京的MentorForum期间，笔者就目前设计业的一些困惑，询问了Mentor的掌舵人。
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IT时代周刊：联发科杀出重围
在一片唱衰声中，今年第一季度，联发科得益于中国低端智能手机的强劲需求，以快速的芯片增长在全球智能手机芯片厂商中位居第五。低端智能机前景广阔，众芯片厂商纷纷发力，联发科的重新崛起，让此芯片市场竞争更加激
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英特尔Haswell提升电池寿命和绘图效能
在2012IDF上，英特尔(Intel)介绍了首款采用其22nm三闸极(tri-gate)电晶体制程的崭新架构──新一代处理器Haswell，强调可强化电池使用寿命和绘图效能。英特尔架构部门总经理DadiPerlmutter表示，双核心和四核心的客户
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2012年1-7月份中国集成电路出口额增长
1-7月，我国电子信息产品出口总额达到6347亿美元，同比增长1.5%;其中，出口3763亿美元，同比增长3.7%，增速低于全国外贸出口4.1个百分点，占全国外贸出口的33.3%;进口2584亿美元，同比下降1.5%，增速低于全国外贸进口
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GLOBALFOUNDRIES任命陈若中为大中华区销售部门主管
GLOBALFOUNDRIES 9月11日宣布正式任命陈若中先生（Joe Chen）为大中华区销售副总裁。陈若中先生此前就职于领先的存储、通信和消费半导体产品供应商美满电子科技（Marvell Technology）。陈若中先生将负责GLOBALFOUND
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手机/平板疯MEMS 光学应用成下一波焦点
光学元件应用将驱动行动装置MEMS市场下一波成长。Yole Developpement指出，继动作感测器、射频元件和矽麦克风后，包括自动对焦、微显示(Microdisplay)与微投影镜片(Micro- mirror)等光学元件，将成为未来行动装置ME
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颀邦、京元电 也沾苹果光
藉由客户 打入苹果供应链 〔记者洪友芳／新竹报导〕封测厂颀邦（6147）、京元电（2449）藉由客户间接打入苹果供应链，随着iPhone 5新产品即将上市，带动2家出货动能成长，第3季营收逐月走高可期，法人估单季营收将
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世界最小的晶体管封装VML0806开始量产
OFweek电子工程网，2012年9月11日讯 -- 近日，日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）面向智能手机和数码相机等各种要求小巧、轻薄的电子设备，开始量产世界最小尺寸的晶体管封装"VML0806"(0.8mm×0.6mm，高度
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