三极管中的重要元件，NPN和PNP的区别

PLC很多人都知道，那么你知道NPN和PNP的区别及应用吗?在工业控制领域一般受限于国外PLC类型的选择，选择了日系PLC和德系PLC选择了两种不同的控制接口，对于这两种接口，很多时候我们对其概念很模糊，在这里将详细阐述两者的区别。

日系PLC的接口一般为NPN型(漏型输出)，即集电极开路输出方式，由于日本人比较谨慎，免责申明做的比较好，所以它一般喜欢控制地GND，电源是你给的，烧了东西算你的。德系PLC的接口一般为PNP型(源型输出)，即控制Power方式，由于德国人比较喜欢主动权把握在自己手里，我给你Power了你才能动作，不给你Power是比较安全的，你想烧东西没有Power怎么烧?

NPN和PNP到底有哪些不同呢?

1、NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。

NPN：是由两个N型半导体和一个P型半导体组成。

PNP：是由两个P型半导体和一个N型半导体组成。

2、电流方向

NPN 是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC)，E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VC > VB > VEPNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC)，E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即 VC < VB < VE

3、电压区别

NPN基极高电压，集电极与发射极短路。低电压，集电极与发射极开路。也是不工作。PNP基极高电压。集电极与发射极开路，也是不工作。如果基极加低电位，集电极与发射极短路。

工作原理：

晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子(电子)基极区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散。

但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。

由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic

这是说，在基极补充一个很小的Ib，可以在集电极上得到一个较大的Ic，这是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib

式中：β1--称为直流放大倍数，

集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib

式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。

同理，PNP三极管则主要是形成空穴电流，其余原理基本相近。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。以上就是NPN和PNP的区别及应用，希望能给大家帮助。