业内最高 I/O 速度，长江存储 128 层 QLC 闪存首次公开亮相

[导读]8月14日消息今年 4 月 13 日，长江存储宣布已成功研发 128 层 QLC 3D 闪存（X2-6070）。长江存储在今天召开的中国电子信息博览会上首次公开展示了 128 层 QLC 3D N

8月14日消息今年 4 月 13 日，长江存储宣布已成功研发 128 层 QLC 3D 闪存（X2-6070）。长江存储在今天召开的中国电子信息博览会上首次公开展示了 128 层 QLC 3D NAND 闪存芯片。

第八届中国电子信息博览会（CITE2020）于 2020 年 8 月 14 日至 8 月 16 日期间在深圳会展中心正式举办。此次参展企业包括紫光集团、华为、维信诺、紫晶存储、柔宇科技、TCL、创维等多家科技企业。

在 CITE2020 上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的 128 层 QLC 三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片 EasyCore 等。作为业内首款 128 层 QLC 规格的 3D NAND 闪存，长江存储 X2-6070 拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高 I/O 传输速度和最高单颗 NAND 闪存芯片容量。

长江存储还展示了 64 层堆栈的闪存，其中 64 层 TLC 闪存是国内首个自研量产的 64 层闪存，基于 Xtacking 堆叠架构，其拥有同类产品中最大的单位面积的存储密度。而 128 层 QLC 产品是目前行业内首款单颗 Die 容量 1.33Tb 的 NAND 闪存。两款产品目前均已获得主流控制器厂商验证。预计将在今年底至明年初量产。

▲ 图源 CITE

了解到，目前长江存储的量产主力就是 64 层 TLC 闪存，该系列产品已随光威等厂商的推出。

此外，作为长江存储主要竞争对手之一的英特尔目前的 QLC 闪存堆栈技术已达到了 144 层，预计年底或明年年初量产；三星 V-NAND 闪存目前已达到 136 层堆叠，据此前消息称，三星方面正在研发新一代的 160 层的第七代 3D 闪存堆叠技术。