[导读]场效应 型号 反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数&nb
场效应 型号 反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS 场效应
IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS 场效应
IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS 场效应
IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS 场效应
IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS 场效应
IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS 场效应
IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS 场效应
IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS 场效应
IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS 场效应
IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS 场效应
IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS 场效应
IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS 场效应
IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS 场效应
IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS 场效应
IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS 场效应
IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS 场效应
IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS 场效应
IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS 场效应
IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS 场效应
IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS 场效应
IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS 场效应
IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS 场效应
IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS 场效应
IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS 场效应
IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS 场效应
IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS 场效应
IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS 场效应
IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS 场效应
IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS 场效应
IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS 场效应
IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS 场效应
IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS 场效应
IRF840 500V 8A 125W * * NMOS 场效应
IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS 场效应
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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等),它具有检测、整流、放大、开关、稳压和信号调制等多种功能。作为交流断路器,晶体管可以根据输入电压控制输出电流。
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抗饱和晶体管
晶体管
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场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)作为一种重要的半导体器件,广泛应用在现代电子技术和集成电路设计中,尤其在低噪声放大器、开关电路、信号处理及功率转换等领域扮演着不可或缺的角色。
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5G
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种重要的半导体器件,广泛应用于电子设备的各种电路中。它具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点...
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场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)是一种重要的半导体器件,属于电压控制型的电子元件。它的工作原理基于电场对导电沟道中载流子(电子或空穴)的控制,以此来改变通道中的电流大小。根据导电沟道...
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SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能
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此款750V SiC FET作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,导通电阻值最高可达60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数(PTC)加热器模块等电动汽车(EV)类应用。
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IGBT模块在电力电子领域中扮演着重要的角色,它是一种基于绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的功率模块。IGBT模块的作用是将电能进行转换和控制,广泛应用于电机驱动、电...
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业内消息,近日台积电在IEDM 2023会议上制定了提供包含1万亿个晶体管的芯片封装路线,来自单个芯片封装上的3D封装小芯片集合,与此同时台积电也在开发单个芯片2000亿晶体管,该战略和英特尔类似。
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毋庸置疑的是,与“摩尔定律”紧密相关单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进正在迎来一个“奇点时刻”。与此同时,终端应用的高算力需求依然在不断推高单芯片Die尺寸,在光罩墙的物理性制约之下,众多芯片设计厂商在芯片工艺与良率的流...
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在今年9月,英特尔宣布率先推出用于下一代先进封装的玻璃基板,并计划在未来几年内向市场提供完整的解决方案,从而使单个封装内的晶体管数量不断增加,继续推动摩尔定律,满足以数据为中心的应用的算力需求。
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算力
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2023 年 9 月 6 日,中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器,新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电...
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氮化镓
晶体管
栅极驱动器
以下内容中,小编将对场效应管的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对场效应管的了解,和小编一起来看看吧。
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场效应管
场效应晶体管
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VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列中首款高压GAN转换器,可在宽范围工作电压(9 V至23 V)中分别提供50 W、65 W和高达100 W的功率。我们还推...
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