大佬带你看MPS MPQ20073存储器终端调节器全方位解析

今天，小编将在这篇文章中为大家带来MPS MPQ20073存储器终端调节器的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。

一、MPQ20073存储器终端调节器概述

MPQ20073 集成了 DDR 存储器终端调节器，其输出电压(VTT)和缓冲 VTTREF 输出为 VREF 的一半。VTT-LDO 为 2A 灌/拉电流跟踪系统终端调节器。它专门设计用于低成本/少量外部元器件的系统，这些系统对空间利用率要求很高。

MPQ20073 仅需 20µF(2x10µF)的陶瓷输出电容便能维持快速瞬态响应。MPQ20073 支持 Kelvin 采样功能。MPQ20073 采用带散热焊盘的 8 引脚 MSOP 封装。

二、输入电容

取决于从电源到器件的走线阻抗，电源电流的瞬态增加主要由VDDQ输入电容器的电荷提供。使用10μF(或更大)的陶瓷电容器提供此瞬态电荷。 随着VTT使用更多的输出电容，请提供更多的输入电容。通常，使用1/2 COUT作为输入。

三、输出电容

为了稳定运行，VTT输出端子的总电容可以等于或大于20μF。并联连接两个10μF陶瓷电容器，以最大程度地减小ESR和ESL的影响。如果ESR大于10mΩ，则在输出和VTTSEN输入之间插入一个R-C滤波器，以实现环路稳定性。R-C滤波器的时间常数应几乎等于或略低于输出电容器及其ESR的时间常数。

四、VDRV电容器

在VDRV引脚附近放置一个介于1.0μF和4.7μF之间的陶瓷电容，以稳定3.3V电压，使其不受电源的任何寄生阻抗影响。

五、散热设计

由于MPQ20073是线性稳压器，因此VTT电流在源极和吸收极两个方向上的流动都会产生器件的功耗。在源极阶段，VDDQ和VTT乘以VTT电流之间的电势差成为功耗，Psource =(VDDQ-VTT)x Isource在这种情况下，如果VDDQ连接到低于VDDQ电压的备用电源，则功率损耗减少。对于灌电流阶段，在内部LDO稳压器上施加VTT电压，功耗Psink为：

Psink = VTT x Isink

该设备不会同时吸收和吸收电流，并且吸收/吸收电流会随时间快速变化。热设计要考虑的实际功耗是上述值随时间的平均值。另一个功耗是VDDQ电源用于内部控制电路的电流。 该功率需要有效地从封装中消散。

六、PCB布局指南

良好的PCB布局设计对于确保DDR电源控制器的高性能和稳定运行至关重要。准备PCB布局时，必须考虑以下事项：

1.所有大电流走线必须保持尽可能短和宽，以减少功率损耗。高电流走线是从输入电压端子到VDDQ引脚的走线，从VTT输出端子到负载的走线，从输入接地端子到VTT输出接地端子的走线以及从VTT输出接地端子到电源引脚的走线。 GND引脚。高电流走线的功率处理和漏电流可以通过在其他层中通过同一路径布线相同的高电流走线并将它们与多个过孔连接在一起来改善。

2.为确保设备正常工作，应根据应用电路的不同功能使用分开的接地连接。 VTT输出电容器的接地应先通过短走线连接到GND引脚，然后再连接到GND的接地层。输入电容接地，VTT输出电容接地，VDDQ去耦电容接地应连接到GND平面。

3. 8引脚MSOP封装的散热垫应连接到GND，以提高散热性能。建议使用带有1盎司或2盎司铜箔的PCB。

4.应使用单独的感测走线将VTT稳压点(通常是负载的本地旁路电容器)连接到VTTSEN引脚。

5.应使用单独的感测走线将VREF稳压点连接至VTTREF引脚，以确保VTT的基准电压精度。

6.如果将VDDQ用作VTT的源极电源，则VDDQ应该以宽和短走线连接到VREF输入。如果使用外部电压源作为VTT的源极电源，则应在VDDQ引脚附近添加至少10μF的输入电容器，并旁路至GND。

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