整流器和智能的激情柔和，这就是你要的智能整流器

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MP6909 是一款模拟低压降二极管控制 IC，驱动外部开关管时，可取代高效反激变换器中的肖特基二极管。

MP6909 智能整流器可将外部同步整流器(SR)MOSFET 的导通压降调节至大约 40mV，一旦电压变为负，则开关管关断。MP6909 可以通过内部线性调节器生成自身的电源电压。可编程的振铃检测电路可防止 MP6909 在非连续导通模式(DCM)和准谐振工作期间在 VDS 振荡时发生误导通。MP6909 采用节省空间的 TSOT23-6 封装。

MP6909 智能整流器支持在非连续导通模式 (DCM)、连续导通模式 (CCM) 和准谐振反激转换器下运行。 控制电路以正向模式控制栅极，并在同步整流 (SR) MOSFET 电流降至零时关闭栅极。

在VR生成方面，VIN 是内部线性稳压器的输入。 VR 是内部线性稳压器的输出。 VR 端的电容为 IC 供电。 当 VIN < 9.3V 时，内部线性稳压器将 VR 调节在 VIN-0.3V。 当 VIN > 9.3V 时，内部线性稳压器将 VR 调节为 9V。

在启动和欠压锁定 (UVLO)方面，当 VR 升至 3.75V 以上时，MP6909 退出欠压锁定 (UVLO) 并启用。 MP6909 智能整流器进入睡眠模式，一旦 VR 降至 3.55V 以下，VGS 就会保持低电平。

在开启阶段方面，当 VDS 降至 ~2V 时，开启定时器开始计时。 该开启定时器可通过 SL 上的外部电阻器进行编程。 如果 VDS 在定时器设定的时间(TSLEW)内从 2V 达到 -86mV 的开启阈值，则 MOSFET 在开启延迟(约 30ns)后开启。 如果定时器结束后 VDS 超过 -86mV，栅极电压 (VG) 将保持关闭。 该开启定时器可防止 MP6909 智能整流器由于 DCM 振铃和准谐振操作而错误开启。

在开启消隐方面，控制电路包含消隐功能。 当 MOSFET 导通时，控制电路确保导通状态持续一段特定的时间。 开启消隐时间约为 1.1µs，以防止因振铃而意外关闭。 但是，如果在导通消隐时间内，在导通消隐期间 VDS 达到关断阈值，则 VGS 会立即被拉低。

在传导阶段方面，当 VDS 根据开关电流的减小而上升到正向压降(-40mV)以上时，MP6909智能整流器降低栅极电压电平以增大同步 MOSFET 的导通电阻。使用这种控制方案，即使通过 MOSFET 的电流相当低，VDS 也被调整到 -40mV 左右。 该功能在同步 MOSFET 关断时将驱动器电压保持在非常低的水平，从而提高关断速度，对于 CCM 操作尤其重要。

在关断阶段方面，当 VDS 上升以触发关断阈值 (-3mV) 时，栅极电压会在非常短的 25ns 关断延迟后被拉至零。

在关闭消隐方面，在栅极驱动器 (VGS) 被 VDS 拉至关零阈值 (-3mV) 后，应用关断消隐时间，在此期间，栅极驱动器信号被锁存。 当 VDS 上升到关断消隐退出阈值 (2-3V) 以上时，关断消隐被移除。

在转换速率设置方面，仔细选择压摆率设置电阻。 在 SL 上放置电阻器之前，测量正常开启期间的 VDS 压摆率和 DCM 期间的振荡。 选择可以保证 SR 驱动器正常导通的电阻。 例如，如果 VDS 压摆率在正常下降期间为 -1V/ns，而在振荡时为 0.01V/ns，则 0.1V/ns 压摆率是设置的合适目标。

由于过压条件可能会损坏器件，因此必须有适当的应用设计来保证安全操作，尤其是在高压引脚上。

一种常见的过压情况是 SR MOSFET 的体二极管开启且正向压降可能超过 VD 的负额定值。 在这种情况下，应在 VD 和 MOSFET 漏极之间放置一个外部电阻器。 一般建议电阻不小于300Ω。

另一方面，该电阻不能太大，因为大电阻值会降低 VDS 检测的压摆率。 一般情况下，不建议使用大于 1kΩ 的任何电阻值，但应根据每个实际情况的压摆率进行检查。

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