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DRV8353M 系列器件是用于三相电机驱动应用的集成 100V 栅极驱动器。这些器件通过集成三个独立的半桥栅极驱动器、电荷泵和用于高侧和低侧栅极驱动器电源电压的线性稳压器、可选的三路分流放大器和可选的 350mA 来减少系统组件数量、成本和复杂性降压调节器。标准串行外设接口 (SPI) 提供了一种通过外部控制器配置各种设备设置和读取故障诊断信息的简单方法。或者，硬件接口 (H/W) 选项允许通过固定的外部电阻器配置最常用的设置。栅极驱动器支持外部 N 沟道高侧和低侧功率 。MOSFET，并且可以以 25mA 的平均输出电流驱动高达 1A 的拉电流、2A 的吸收峰值电流。高端栅极驱动电源电压使用倍增电荷泵架构生成，该架构将 VCP 输出调节至 VVDRAIN + 10.5V。低侧栅极驱动电源电压使用来自 VM 电源的线性稳压器生成，该稳压器将 VGLS 输出调节至 14.5V。 VGLS 电源在 GLx 低侧栅极驱动器上进一步调节至 11V。

输出。智能栅极驱动架构能够动态调整输出栅极驱动电流强度，从而允许栅极驱动器控制功率 MOSFET VDS 开关速度。这允许移除外部栅极驱动电阻器和二极管，从而减少 BOM 组件数量、成本和 PCB 面积。该架构还使用内部状态机来防止栅极驱动短路事件、控制半桥死区时间并防止外部功率 MOSFET 的 dV/dt 寄生导通。栅极驱动器可以在单电源或双电源架构中运行。在单电源架构中，VM 可以连接到 VDRAIN 并在内部调节到正确的电源电压。在双电源架构中，VM 可以连接到来自更高效开关稳压器的较低电压电源，以提高设备效率。 VDRAIN 保持连接到外部 MOSFET，以设置正确的电荷泵和过流监视器参考。

DRV8353 器件集成了三个双向分流放大器，用于使用低侧分流电阻器监控通过每个外部半桥的电流水平。并联放大器的增益设置可以通过 SPI 或硬件接口进行调整，SPI 提供额外的灵活性来调整。

输出偏置点。除了高度的器件集成之外，DRV8353M 系列器件还提供广泛的集成保护功能。这些功能包括电源欠压锁定 (UVLO)、栅极驱动欠压锁定 (GDUV)、VDS 过流监控 (OCP)、栅极驱动器短路检测 (GDF) 和过热关断 (OTW/OTSD)。故障事件由 nFAULT 引脚指示，并在 SPI 设备版本的 SPI 寄存器中提供详细信息。

DRV8353M 系列器件采用 0.5 毫米引脚间距、QFN 表面贴装封装。 40 引脚封装的 QFN 尺寸为 6 × 6 mm。

DRV8353M 系列器件采用智能栅极驱动架构，允许用户动态调整栅极驱动电流，而无需外部栅极限流电阻器。 此外，该架构为外部 MOSFET 提供了多种保护功能，包括自动死区时间插入、寄生 dV/dt 栅极导通预防和栅极故障检测。

DRV8353M 系列器件提供四种不同的 PWM 控制模式，以支持各种换向和控制方法。 TI不建议在功率 MOSFET 运行期间更改 MODE 引脚或 PWM_MODE 寄存器。 在进行 MODE 或 PWM_MODE 更改之前，将所有 INHx 和 INLx 引脚设置为逻辑低电平。

DRV8353M 系列器件支持两种不同的接口模式(SPI 和硬件)，以允许最终应用设计灵活或简单。 两种接口模式共享相同的四个引脚，允许不同版本的引脚兼容。 这允许应用程序设计人员使用一个接口版本进行评估，并有可能在对其设计进行最少修改的情况下切换到另一个。

硬件接口设备将四个 SPI 引脚转换为四个电阻可配置输入，GAIN、IDRIVE、MODE 和 VDS。 这允许应用程序设计人员通过将引脚逻辑连接为高电平或逻辑低电平，或使用简单的上拉或下拉电阻来配置最常用的设备设置。 这消除了外部控制器对 SPI 总线的要求。 仍然可以通过 nFAULT 引脚获得一般故障信息。

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