GD32和STM32不能完全替代,这些差异点您清楚吗?
扫描二维码
随时随地手机看文章
回复【电容】,获取关于电容相关的内容;
回复【阻抗匹配】,获取电磁兼容性、阻抗匹配相关的资料回复【资料】,获取全部电子设计、单片机开发相关的资料回复【终端电阻】,获取CAN终端电阻相关的资料回复【单片机】,获取单片机全套视频教程和参考设计
回复【STM32】,获取STM32相关设计和视频教程回复【PCB】,获取PCB设计相关的资料回复【硬件知识】、【硬件设计】,获取硬件开发工程必备手册
回复【经典电路】,获取5000个经典电路
回复【论文】,获取毕业设计、电子竞赛、学术专业等相关论文资料…………
欢迎关注【玩转单片机与嵌入式】公众号,本公众号会以连载的形式对电容进行深入讲解,欢迎持续关注。
一:前言什么GD32?GD32是国内开发的一款单片机,据说开发的人员是来自ST公司的,GD32也是以STM32作为模板做出来的。
所以GD32和STM32有很多地方都是一样的,不过GD32毕竟是不同的产品,不可能所有东西都沿用STM32,有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方我们就不说了,下面我给大家讲一下不同的地方。
二:区别
01内核
GD32采用二代的M3内核,STM32主要采用一代M3内核,下图是ARM公司的M3内核勘误表,GD使用的内核只有752419这一个BUG。
02主频
使用HSE(高速外部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大72M
使用HSI(高速内部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大64M主频大意味着单片机代码运行的速度会更快,项目中如果需要进行刷屏,开方运算,电机控制等操作,GD是一个不错的选择。
03供电
外部供电:GD32外部供电范围是2.63.6V,STM32外部供电范围是23.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
内核电压:GD32内核电压是1.2V,STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低,所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。
04Flash差异
GD32的Flash是自主研发的,和STM32的不一样。
GD Flash执行速度:GD32 Flash中程序执行为0等待周期。
STM32 Flash执行速度:ST系统频率不访问flash等待时间关系:0等待周期,当0
Flash擦除时间:GD擦除的时间要久一点,官方给出的数据是这样的:GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号, Page Erase 典型值100ms, 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。
05功耗
GD的产品在相同主频情况下,GD的运行功耗比STM32小,但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
06串口
GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle,而STM32没有,如下图。
GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。
GD 和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响,只是GD的通信时间会加长一点。
07ADC差异
GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异,相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下,ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系:
08FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMC,GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
09103系列RAM