三星3纳米制程技术，远超台积电，到底是不是真的？

10月7日消息，当地时间周三，三星电子宣布公司新一代3纳米芯片制造技术将推迟到2022年上市，同时称更先进的2纳米芯片制造技术将在2025年问世。

三星曾计划于今年开始用3纳米制程工艺生产处理速度更快、能效更高的芯片产品。周三公司在“三星代工论坛”(Samsung Foundry Forum)上表示，转向全新制造技术的难度很大，3纳米制程芯片将在2022年上半年上市。这意味着三星客户将要到明年才能用上这一前沿技术。

三星芯片代工的客户包括手机芯片设计公司高通、服务器制造商IBM和三星自家产品。

不过好消息是，三星宣布将在2025年下半年实现2纳米芯片制造技术。三星表示，这将使芯片在性能、能效以及电子产品小型化向前继续迈进。

台积电今年8月份也宣布推迟上线3纳米芯片制造技术，这一计划的延迟使得英特尔压力有所缓解。目前英特尔正在推出自家代工业务，旨在夺回被台积电和三星拿走的市场份额。

随着个人电脑销量的不断增长、智能手机的普及以及数据中心的在线服务量不断上升，市场对芯片的需求已经超过产能。全球范围内的芯片短缺影响到依赖电子产品供应链的个人电脑、游戏机、汽车等产品销售。

除此之外，台积电今年 8 月份也宣布推迟上线 3 纳米芯片制造技术。这一计划的延迟使得英特尔压力有所缓解。目前英特尔正在推出自家代工业务，旨在夺回被台积电和三星拿走的市场份额。但是不得不说，芯片业务正在面临着极大的压力。随着个人电脑销量的不断增长、智能手机的普及以及数据中心的在线服务量不断上升，市场对芯片的需求已经超过产能。全球范围内的芯片短缺影响到依赖电子产品供应链的个人电脑、游戏机、汽车等产品销售。

三星代工事业部高级副总裁 Shawn Han 说，芯片短缺问题要到 2022 年才会缓解。随着芯片变得越来越复杂，通常也会越来越贵，这就是为什么许多客户坚持使用格芯等公司更老更便宜制造工艺生产的芯片。但三星认为，其可以降低全新制造技术的成本。

不过好消息是，三星宣布将在2025年下半年实现2纳米芯片制造技术。三星表示，这将使芯片在性能、能效以及电子产品小型化向前继续迈进。

台积电今年8月份也宣布推迟上线3纳米芯片制造技术。这一计划的延迟使得英特尔压力有所缓解。目前英特尔正在推出自家代工业务，旨在夺回被台积电和三星拿走的市场份额。

芯片业务面临的压力极大。随着个人电脑销量的不断增长、智能手机的普及以及数据中心的在线服务量不断上升，市场对芯片的需求已经超过产能。全球范围内的芯片短缺影响到依赖电子产品供应链的个人电脑、游戏机、汽车等产品销售。

三星代工事业部高级副总裁Shawn Han说，芯片短缺问题要到2022年才会缓解。他表示，“尽管我们正在投资，其他代工厂商也在增加产能，但在我们看来，这一状况会再持续六到九个月。”

三星电子表示，因为GAA架构需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET架构的设计和鉴定工具，该公司采用了来自新思科技(Synopsys)的Fusion Design Platform。该流程的物理设计套件(PDK)已于2019年5月发布，工具已于去年通过流程认证。三星电子与新思科技的合作，旨在加速为GAA流程提供高度优化的参考方法。

参考设计流程包括一个集成的、支持golden-signoff的RTL-to-GDSII设计流程以及golden-signoff产品。该流程针对的是希望将3纳米GAA工艺用于高性能计算、5G、移动和高级人工智能应用中的芯片的客户。

三星电子代工业务三星代工(Samsung Foundry)设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示：“三星代工是推动下一阶段行业创新的核心，我们不断进行基于工艺技术的发展，以满足专业和广泛市场应用日益增长的需求。我们最新的、先进的3纳米GAA工艺得益于我们与新思科技的广泛合作，以及Fusion Design Platform的加速准备，使3纳米工艺的承诺能够有效实现，这是这些关键联盟的重要性和利益的证明。”

三星电子表示，GAA架构改善了静电特性，提高了性能，降低了功耗，并增加了基于纳米片宽控制的额外矢量的新优化机会的好处。与成熟的电压阈值调谐配合使用，这为优化功率、性能或面积设计提供了更多方法(PPA)。设计流程还包括支持复杂的布局方法和布局规则、新的布线规则和增加的可变性。该流程基于单一数据模型，并使用通用优化架构，而不是组合点工具。

三星这一次秀出3纳米技术，肯定是要给台积电一个下马威，不过台湾专家的一句话，就揭穿了三星的老底。

在不久前的技术论坛上台积电强调3 纳米制程将照时程于2022 下半年正式量产。而作为竞争对手的韩国三星也在积极加快3纳米量产进程。

据外媒报道，三星日前表示，采用GAA 架构的3 纳米制程技术已正式流片(Tape Out)，对全球只有这两家能做到5 纳米制程以下的半导体晶圆代工厂来说，较劲意味浓厚。

外媒报道指出，三星3 纳米制程流片进度是与新思科技(Synopsys)合作，加速为GAA 架构的生产流程提供高度优化参考方法。因三星3 纳米制程不同于台积电或英特尔的FinFET 架构，而是GAA 架构，三星需要新设计和认证工具，因此采用新思科技的Fusion DesignPlatform。制程技术的物理设计套件(PDK)已在2019年5 月发布，并2020 年通过制程技术认证。预计此流程使三星3 纳米GAA 结构制程技术用于高性能运算(HPC)、5G、行动和高阶人工智能(AI)应用芯片生产。

三星代工设计技术团队副总裁Sangyun Kim 表示，三星代工是推动下一阶段产业创新的核心。三星将藉由不断发展技术制程，满足专业和广泛市场增长的需求。三星电子最新且先进的3 纳米GAA 制程技术，受惠于与新思科技合作，Fusion Design Platform 加速准备，有效达成3 纳米制程技术承诺，证明关键联盟的重要性和优点。

有网友指出，三星这种“噱头”的宣传早就有了，这并不是第一次。早在2015年，当年iPhone 6s有三星和台积电版两个本，三星版本夸大了自己14nm的工艺，而台积电没有这个工艺，但结果却在续航、发热等技术上，被台积电碾压，购买三星版本的iPhone 6s，血亏!