EPC21601荣获2021全球电子成就奖-年度功率半导体/驱动器

北京2021年11月12日 /美通社/ -- 宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓（eGaN^®）功率场效应晶体管和集成电路的全球行业领先供应商，其eToF™激光驱动器集成电路（EPC21601）在2021全球电子成就奖（WEAA）评选中，荣获年度功率半导体/驱动器大奖。

全球电子成就奖旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，以及在业界处于领先地位的产品。由ASPENCORE全球资深产业分析师组成的评审委员会和全球网站用户群进行综合评定，共同评选出得奖者。ASPENCORE主办的全球高科技领袖论坛-全球CEO峰会和全球电子成就奖颁奖典礼在2021年11月3日于深圳举行。

宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow博士说：“我谨代表EPC团队感谢ASPENCORE团队和所有投票者，支持eToF激光驱动器IC（EPC21601）以获得享有盛誉的全球电子成就奖。我们的氮化镓IC技术的最新发展针对改变飞行时间激光雷达系统的设计方式，在单个芯片上集成氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）和驱动器,可实现功能强大、速度超快的集成电路，从而实现尺寸更小、成本更低的飞行时间（ToF）激光雷达系统以在消费类应用中，更普遍被采用。”

eToF™激光驱动器集成电路（EPC21601）在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管、栅极驱动器和3.3 V逻辑电平输入，针对飞行时间（ToF）激光雷达系统，用于机器人、监控保安系统、无人机、全自动驾驶汽车和吸尘器。

EPC21601集成电路能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。

EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管，采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅为1.5 mm x 1.0 mm。由于外形小巧且集成了多个功能，因此与采用等效多芯片分立器件的解决方案相比，其占板面积小36％。

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供应商，其氮化镓场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站（www.epc-co.com.cn）和观看优酷视频。eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

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