电动车将带来前所未有的机遇

不久之前，Cree还以LED元件和照明产品供应商而闻名。但今天，在5月份以3.1亿美元出售了LED照明业务后，Cree的大部分收入以及大部分毛利润都来自其Wolfspeed 功率半导体和材料部门。

SiC芯片和Wolfspeed的战略

Cree占全球SiC产量的60%以上。SiC是一种化合物，用于制造比Si能承受更高温度和电压的芯片。虽然SiC芯片往往成本更高，但其热特性使其比同类硅芯片提供更高的功率密度、更快的功率切换速度和/或更低的功率切换损耗。

由于SiC芯片的特性，长期以来一直被用于航空航天和国防设备。近年来，得益于射频晶体管的采用，SiC芯片的销售在电动汽车和移动基站市场中迅速增长。射频晶体管的一种材料——GaN，在SiC衬底上分层。太阳能逆变器市场和各种工业终端市场的需求也在不断增长。

为了从SiC应用中获利，Wolfspeed有两方面的战略:向意法半导体(STM)、英飞凌(Infineon)和ON等第三方芯片制造商销售裸晶片和外延晶片，并销售内部设计的芯片。为了帮助后者，Cree去年斥资3.45亿欧元(3.8亿美元)收购了英飞凌的射频电源芯片业务。

由于对华为的销售停滞、中国电动汽车需求放缓以及部分5G的业务推迟，市场普遍认为，在Cree 2020财年(截止2020年6月)，Wolfspeed的收入将下降7%，至5.02亿美元。然而，随着晶片销量的持续增长，以及主要电动汽车和5G基站设计的胜出，到2023财年，公司营收预计将增长一倍以上。

在11月20日的Investor Day上，Cree表示，预计到2024年，Wolfspeed的GaN RF潜在市场总额将达到20亿美元，而SiC功率芯片潜在市场总额将达到50亿美元。在与TheStreet的谈话中，Cree首席执行官Gregg Lowe详细分析了这两大机遇。

5G带来是重大机遇

Cree长期以来一直认为，5G基站的技术需求是需要支持非常高的数据速率，以及具有很宽的带宽的更高频段——这将推动GaN-on-SiC射频晶体管发展，也可以支持比其他选择高得多的功率密度。Lowe表示，随着市场从4G转向5G，基站内SiC的采用率“肯定会超过50%”。