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[导读]Etron为边缘物联网应用重振了DRAM雄风,Lattice半导体也看到了它的潜力。 关于新兴记忆体如何处理物联网(IoT)所创造的机会,以及如何避免诸如SRAM等昂贵选择的讨论已经众说纷纭。有一家公司认为低引脚数的DRAM可能是突破口。

Etron(钰创)公司负责成像和存储产品开发的副总裁兼首席科学家Richard Crisp表示,该公司的DRAM代表了与JEDEC(联合电子设备工程会)路线图上的传统架构的一个分歧,即应用程序不需要不断增长的密度、高速pin码或最新DDR4的所有可用带宽,最新DDR4的最低容量为4GB。他说:“有很多应用程序使用的内存远远少于1千兆比特。人们对拥有合适大小、易于使用的内存很感兴趣。”

Crisp表示,这就对Etron的推动,它希望提供足够的DRAM来满足应用程序的需求,同时减少典型的DDR类型内存的引脚数。随着该公司沿着开发小型内存的道路前进,全世界都对人工智能(AI)产生了兴趣。“我们当时并没有真正考虑过人工智能,但它确实发生了,我们找到了一个有趣的解决方案。”

一个典型的人工智能场景,端点收集所有类型的数据,然后发送到一个集中式的云中进行处理,并使用一个连接两端的大型网络层。但Etron喜欢将端点和边缘区分开来,其中端点是一个从外部世界收集数据的传感器,而边缘是一个本地中央计算机,它可以将多个传感器的数据聚合到一个具有相当高性能的媒体处理器的公共流中。他介绍,这台边缘计算机在向云发送一些情报之前,会对数据流进行自动分析,这就需要比端点更高的性能,但仍有一定的尺寸限制。

Etron的RPC DRAM可以放在扇入式晶圆级CSP (FI-WLCSP)封装中,该封装非常小,消除了衬底以及任何线键合或倒装芯片组装步骤。

据Crisp介绍,Etron的解决方案是减少pin-count (RPC) DRAM,以支持AI边缘应用程序,这些应用程序需要相当大的数据存储空间和足够高的带宽,以便能够快速处理数据。RPC DRAM可以提供必要的片外存储器,但只能在芯片内风扇级的CSP (FI-WLCSP)封装中使用,这些封装非常小,可以消除基体以及任何线键或芯片组装步骤。

Lattice半导体战略营销总监Kambiz Khalilian表示,该公司认为Etron的产品有潜力,由于它的外形因素非常小,采用RPC DRAM是理想的选择。“它基本上可以实现与标准DRAM相同的性能,同时拥有更低的引脚数。这对于许多“深度安全网关”应用程序来说是比较理想的,在这些应用程序中,性能/权衡非常重要。在低功耗的小范围内,在带宽无法将所有数据发送回服务器进行处理的情况下,它允许在最合理的地方处理数据(包括边缘)。

由于Etron的RPC DRAM的低引脚数小型化WLCSP封装,使用的信号少于传统DDR解决方案的一半,故而Etron的RPC DRAM高带宽是Lattice FPGA理想的互补对象。针数的节省转化为内存接口的FPGA资源需求的减少和更小的PCB组件的占用。

Khalilian介绍,在某些情况下,需要的内存要比嵌入在Lattice FPGA中的内存大。这就是RPC DRAM发挥作用的地方。“在很多边缘相机的应用中,每平方毫米都很重要。为了进一步增加RPC DRAM的吸引力,它们可以被堆叠在一块板上,如果需要,仍然可为flash闪存留出空间,这不仅优化了布局,而且解决了功率、性能和大小之间的权衡。

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