伍尔特电子启动全面电容方案

伍尔特电子通过引入认证的X2薄膜和X&Y陶瓷电容器已完成其EMC项目。此外，还发布了铝电解电容器、铝聚合化合物电容器，以及多层陶瓷电容器(MLCC)。MLCC允许对单一来源的电能进行充分管理。

干扰抑制电容器

通过VDE, cULus 和CQC认证的X2 薄膜电容器能在电压范围275 V (AC) 到 310 V (AC)之间提供可靠的干扰抑制。元件尺寸间距在7.5 到37.5 mm之间，最大电容为 6.8 μF，脉冲稳定性则可达600 V/μs。基于MLCC的 X&Y电容器有 1808 ,1812 和 2211三种封装规格以满足微型化应用要求。所有电容器均经过TÜV测试，并符合相关UL标准。

铝电解电容器

铝电解电容器有多种设计类型供选择，包括 V-Chip SMD, 带引线THD (Radial THD),和 Snap-I，具有高电容值，应用电压最高达450V(DC)，并可提供非极性版本。产品包括适用于85 °C工作温度和1000小时工作寿命的标准应用电容器，以及适用于高达125 °C工作温度和长达10000小时工作寿命的电容器

铝聚合化合物电容器

铝聚合化合物电容器在电荷存储设备领域是公认的创新。伍尔特电子的铝聚合化合物电容提供V-Chip SMD 和 Radial THD两种封装。拥有超低ESR值，高电容值和长寿命的特性，目前工作电压最高可达63 V(DC)。

这套电容器系列搭配从0402到1812所有规格的MLCC可完全满足一般应用。将来，其他元件还会被陆续添加到这套系列中，如灵活终端及其他特殊类型。

近期产品目录中的所有电容都备有现货，也提供免费样品试用。此外，公司还提供各种适合X2薄膜和MLCC电容的设计套装。

和新电容一起上市的还有一本来自伍尔特电子的使用手册《The "ABC of Capacitors" 》，有德语和英语两个版本，面向开发者，以实用为出发点详尽介绍了有关电容器的知识。本书由开发者撰写。