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随着信息技术的飞速发展,数字电路已成为现代电子设备不可或缺的核心组成部分。在数字电路中,数字晶体管作为一种重要的开关元件,发挥着至关重要的作用。本文将详细探讨数字晶体管的基本概念、工作原理、主要类型、应用领域以及未来发展...
关键字:
数字电路
晶体管
开关元件
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能
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功率模块
IGBT
晶体管
【2024年1月25日,德国慕尼黑和中国深圳讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX /OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新...
关键字:
MOSFET
氮化镓
晶体管
IGBT模块在电力电子领域中扮演着重要的角色,它是一种基于绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的功率模块。IGBT模块的作用是将电能进行转换和控制,广泛应用于电机驱动、电...
关键字:
IGBT模块
电力电子
晶体管
业内消息,近日台积电在IEDM 2023会议上制定了提供包含1万亿个晶体管的芯片封装路线,来自单个芯片封装上的3D封装小芯片集合,与此同时台积电也在开发单个芯片2000亿晶体管,该战略和英特尔类似。
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台积电
1nm
晶体管
芯片封装
毋庸置疑的是,与“摩尔定律”紧密相关单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进正在迎来一个“奇点时刻”。与此同时,终端应用的高算力需求依然在不断推高单芯片Die尺寸,在光罩墙的物理性制约之下,众多芯片设计厂商在芯片工艺与良率的流...
关键字:
晶体管
芯片设计
算力
在今年9月,英特尔宣布率先推出用于下一代先进封装的玻璃基板,并计划在未来几年内向市场提供完整的解决方案,从而使单个封装内的晶体管数量不断增加,继续推动摩尔定律,满足以数据为中心的应用的算力需求。
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玻璃基板
晶体管
算力
三相感应电动机是一种广泛使用的交流电动机。它的工作原理基于电磁感应原理和安培定则。在这篇文章中,我将详细介绍三相感应电动机的工作原理及其组成部分。
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直流
电机
驱动电路
电路图是电子工程师必学的基本技能之一,本文集合了稳压电源、DCDC转换电源、开关电源、充电电路、恒流源相关的经典电路资料,为工程师提供最新鲜的电路图参考资料,超全超详细,只能帮你到这了!
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直流
稳压电源
电路图
直流稳压电源能为负载提供稳定直流电源的电子装置。直流稳压电源的供电电源大都是交流电源,当交流供电电源的电压或负载电阻变化时,稳压器的直流输出电压都会保持稳定。
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线性
直流
稳压电源
低纹波直流稳压电源设计基于晶体管显示在这里。这种晶体管稳压器适用于需要高输出电流的应用。常规一系列综合监管机构,像7805只能提供高达1A。其他系列通晶体管被添加到7805稳压电路,为改善他们目前的能力。
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直流
稳压电源
电路设计
能为负载提供稳定直流电源的电子装置。直流稳压电源的供电电源大都是交流电源,当交流供电电源的电压或负载电阻变化时,稳压器的直流输出电压都会保持稳定。
关键字:
直流
稳压电源
直流输出
业内消息,上周北京大学彭练矛院士/张志勇教授团队研究出一款基于阵列碳纳米管的 90nm 碳纳米管晶体管,该技术可使碳纳米晶体管工艺高度集成,并在该基础上探索将碳基晶体管进一步缩减到 10nm 节点的可能性。
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90nm
晶体管
2023 年 9 月 6 日,中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器,新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电...
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氮化镓
晶体管
栅极驱动器
交流伺服与直流伺服有什么不同,它们都有什么特点?直流伺服电机:就是把直流电机加上编码器 形成闭环控制,电机通过改变电的大小来改变电机的 扭矩,速度等参数。
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直流
伺服电动机
直流电机
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列中首款高压GAN转换器,可在宽范围工作电压(9 V至23 V)中分别提供50 W、65 W和高达100 W的功率。我们还推...
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氮化镓转换器
USB-PD应用
晶体管
据业内信息报道,昨天在美国旧金山举行的数据中心与人工智能技术发布会上,AMD 正式发布了新一代的面向 AI 及 HPC 领域的 GPU 产品 Instinct MI 300 系列,欲在 AI 芯片领域单杀英伟达。
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晶体管
AMD
AI 芯片
英伟达
众所周知,光刻机作为芯片生产过程中的最主要的设备之一,其重要性不言而喻。先进的制程工艺完全依赖于先进的光刻机设备,比如现阶段台积电最先进的第二代 3nm 工艺,离不开 EUV 光刻机。然而,前不久麻省理工学院(MIT)华...
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光刻机
晶体管
2023 年 5 月 24 日,中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
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晶体管
MOSFET
此次合作将为芯片设计者们带来 Arm 内核与英特尔埃米时代的制程工艺技术的强大组合
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芯片设计
半导体
晶体管