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ST芯片向先进的45nm CMOS 射频技术升级
时间：2007-12-09 21:50:00
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[导读]ST芯片向先进的45nm CMOS 射频技术升级
意法半导体（ST)宣布该公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射频 (RF)制造技术的功能芯片。这项先端技术对于下一代无线局域网（WLAN）应用产品至关重要。
这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles 300mm 晶圆生产线制造的，原型产品集成了从初级RF信号检测到下一步信号处理需要的数字数据输出的全部功能链。这些原型芯片具有最先进的性能和最高的密度(低噪放大器、混频器、模数转换器和滤波器都工作在1.1V下，整个电路仅占用0.45mm2)。
ST的半导体成就归功于公司开发CMOS RF衍生技术的研发战略，进一步加强了公司采用45nm和32nm技术节点制造单片移动解决方案的能力。这项成绩还归功于ST的先进的 45nm CMOS RF衍生技术与世界领先的RF设计、仿真和特征分析的双重能力。衍生技术是企业在标准CMOS核心技术平台基础上自主开发的能够为特定应用领域带来附加值的改进技术。ST的模拟/射频衍生技术允许电阻、电容和电感等无源器件与高性能、高密度的数字逻辑功能单元集成到一起。
“第一批原型芯片的测试结果充分证明，我们的45nm 射频衍生技术能够让下一代无线局域网连接解决方案实现产业化和商业化，”意法半导体分管先进研发活动中的高性能逻辑及衍生技术的前工序技术及制造部副总裁Mike Thompson表示，“这项45nm 射频制造工艺表明，通过整合企业专有的制造工序，使成品芯片能够具有多种应用功能，如集成化的射频/模拟功能或各类嵌入式存储器功能，ST能够给核心CMOS平台带来附加值。”
这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles 300mm 晶圆生产线制造的，原型产品集成了从初级RF信号检测到下一步信号处理需要的数字数据输出的全部功能链。这些原型芯片具有最先进的性能和最高的密度(低噪放大器、混频器、模数转换器和滤波器都工作在1.1V下，整个电路仅占用0.45mm2)。
ST的半导体成就归功于公司开发CMOS RF衍生技术的研发战略，进一步加强了公司采用45nm和32nm技术节点制造单片移动解决方案的能力。这项成绩还归功于ST的先进的 45nm CMOS RF衍生技术与世界领先的RF设计、仿真和特征分析的双重能力。衍生技术是企业在标准CMOS核心技术平台基础上自主开发的能够为特定应用领域带来附加值的改进技术。ST的模拟/射频衍生技术允许电阻、电容和电感等无源器件与高性能、高密度的数字逻辑功能单元集成到一起。
“第一批原型芯片的测试结果充分证明，我们的45nm 射频衍生技术能够让下一代无线局域网连接解决方案实现产业化和商业化，”意法半导体分管先进研发活动中的高性能逻辑及衍生技术的前工序技术及制造部副总裁Mike Thompson表示，“这项45nm 射频制造工艺表明，通过整合企业专有的制造工序，使成品芯片能够具有多种应用功能，如集成化的射频/模拟功能或各类嵌入式存储器功能，ST能够给核心CMOS平台带来附加值。”
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